TH80566B - Small Molecule Thin Film Photovoltaic Cell - Google Patents

Small Molecule Thin Film Photovoltaic Cell

Info

Publication number
TH80566B
TH80566B TH501000032A TH0501000032A TH80566B TH 80566 B TH80566 B TH 80566B TH 501000032 A TH501000032 A TH 501000032A TH 0501000032 A TH0501000032 A TH 0501000032A TH 80566 B TH80566 B TH 80566B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
organic semiconductor
semiconductor
bis
znse
layer
Prior art date
Application number
TH501000032A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH69495A (en
TH80566A (en
Inventor
หนูแก้ว นายจิติ
ยินดีสุข นายวิฑูรย์
ระหงษ์ นายสากล
วิริยะสืบพงศ์ นายสุรพล
Original Assignee
บริษัท ยูเนี่ยน พรีซิชั่น เอ็นจิเนียริ่ง จำกัด
สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
Filing date
Publication date
Application filed by บริษัท ยูเนี่ยน พรีซิชั่น เอ็นจิเนียริ่ง จำกัด, สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ filed Critical บริษัท ยูเนี่ยน พรีซิชั่น เอ็นจิเนียริ่ง จำกัด
Publication of TH69495A publication Critical patent/TH69495A/en
Publication of TH80566A publication Critical patent/TH80566A/en
Publication of TH80566B publication Critical patent/TH80566B/en

Links

Abstract

------22/05/2563------(OCR) หน้าที่ 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ อุปกรณ์โฟโตโวลเตอิกเซลล์ฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์แบบโมเลกุลขนาดเล็ก คือ อุปกรณ์ที่สามารถเปลี่ยนพลังงานแสงให้อยู่ในรูปแบบของพลังงานไฟฟ้า มีโครงสร้างเป็นแบบระนาบ (Planar structure) อยู่ในรูปของฟิล์มบางระดับนาโนเมตร ซึ่งฟิล์มบางที่ทำการปลูกประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำอินทรีย์ TPD (N,N’-Bis(3-methylphenyl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine) สารกึ่งตัวนำ Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)) สารกึ่งตัวนำ ซิงด์ซีลีไนด์ (ZnSe)ขั้วไฟฟ้าโปร่งใส (Transparent electrode) อินเดียมออกไซด์ (ITO) ตามลำดับ โดยทำการสร้างด้วยเทคนิคระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง และเมื่อพิจารณาโครงสร้างแถบพลังงานของสิ่งประดิษฐ์พบว่า มีลักษณะเป็นโครงสร้างแบบบ่อควอนตัม ส่วนที่เป็นกำแพงศักย์ด้านแรกสร้างมาจากสารกึ่งตัวนำอินทรีย์แบบโมเลกุลขนาดเล็ก TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine) กำแพงศักย์ส่วนที่สองจะสร้างมาจากสารกึ่งตัวนำ ซิงค์ซีลีไนด์ (ZnSe) ส่วนของบ่อศักย์สร้างมาจากสารกึ่งตัวนำอินทรีย์แบบโมเลกุลขนาดเล็ก Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)) เมื่อสิ่งประดิษฐ์ได้รับแสงกระตุ้นจากแหล่งกำเนิดแสงภายนอก อิเล็กตรอนจะถูกกระตุ้นจากสถานะพื้นไปยังสถานะกระตุ้น แล้วเคลื่อนที่เข้าหาขั้วไฟฟ้าทำให้เกิดแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมสิ่งประดิษฐ์ โดยเมื่อทำการวัดค่าประสิทธิภาพของอุปกรณ์พบว่ามีค่าเป็น 1.2% และมีผลของการตอบสนองทางแสงตั้งแต่ความยาวคลื่น 540-1000 นาโนเมตร ------------ ------20/07/2561------(OCR) หน้าที่ 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ อุปกรณ์โฟโตโวลเตอิกเซลล์ฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์แบบโมเลกุลขนาดเล็ก คือ อุปกรณ์ที่สามารถเปลี่ยน พลังงานแสงให้อยู่ในรูปแบบของพลังงานไฟฟ้า มีโครงสร้างเป็นแบบระนาบ (Planar structure) อยู่ในรูปของฟิล์มบางระตับนา โนเมตร ซึ่งฟิล์มบางที่ทำการปลูกประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำอินทรีย์ TPD (N,N’-Bis(3-methylphenyl)-N,N’- bis(phenyl)benzidine) สารกึงตัวนำ Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)) สารกึ่งตัวนำ ซิงค์ซีลีไนด์ (ZnSe) ขั้วไฟฟ้าโปร่งใส (Transparent electrode) อินเดียมออกไซด์ (ITO) ตามลำดับ โดยทำการสร้างด้วยเทคนิคระเหยสารด้วยลำ อิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง และเมื่อพิจารณาโครงสร้างแถบพลังงานของสิ่งประดิษฐ์พบว่า มีลักษณะเป็นโครงสร้างแบบบ่อ ควอนต้ม ส่วนที่เป็นกำแพงศักย์ด้านแรกสร้างมาจากสารกึ่งตัวนำอินทรีย์แบบโมเลกุลขนาดเล็ก TPD (N,N’-Bis(3- methylphenyl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine) กำแพงศักย์ส่วนที่สองจะสร้างมาจากสารกึ่งตัวนำ ซิงด์ซีลีไนด์ (ZnSe) ส่วนของ บ่อศักย์สร้างมาจากสารกึ่งตัวนำอินทรีย์แบบโมเลกุลขนาดเล็ก Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(lll)) เมื่อ สิ่งประดิษฐ์ได้รับแสงกระต้นจากแหล่งกำเนิดแสงภายนอก อิเล็กตรอนจะถูกกระตุ้นจากสถานะพื้นไปยังสถานะกระตุ้น แล้ว เคลื่อนที่เข้าหาขั้วไฟฟ้าทำให้เกิดแรงตันไฟฟ้าตกคร่อมสิ่งประดิษฐ์โดยเมื่อทำการวัดค่าประสิทธิภาพของอุปกรณ์พบว่ามีค่า เป็น 1.2% และมีผลของการตอบสนองทางแสงตั้งแต่ความยาวคลื่น540-1000นาโนเมตร ------------ อุปกรณ์โฟโตโวลเตอิกเซลล์ฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก คือ อุปกรณ์ที่สามารถ เปลี่ยนพลังงานแสงให้อยู่ในรูปแบบของพลังงานไฟฟ้า มีลักษณะโครงสร้างเป็นแบบระนาบ (Planar structure) อยู่ ในรูปของฟิล์มบางระดับนาโนเมตร ซึ่งฟิล์มบางที่ทำการปลูกประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำอินทรีย์ TPD(N,N''-Bis(3- methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine) สารกึ่งตัวนำ Alq. (tris-(8-hydroxyquinaline) aluminum(III)สาร กึ่งตัวนำ ซิงค์ซีลีไนด์ (Znse) ขั้วไฟฟ้าโปร่งใส(Transparent electrode) อินเดียมทินออกไซด์ (ITO) ตามลำดับโดย ทำการสร้างด้วยเทคนิคระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนในสุญญากาศสูง และเมื่อพิจารณาโครงสร้างแถบพลังงานของ สิ่งประดิษฐ์พบว่ามีลักษณะเป็นโครงสร้างแบบบ่อควอนตัม ส่วนที่เป็นกำแพงศักย์ด้านแรกสร้างมาจากสารกึ่งตัวนำ อินทรีย์แบบโมเลกุลขนาดเล็ก TPD(N,N''-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine)กำแพงศักย์ส่วนที่ สองจะสร้างมาจากสารกึ่งตัวนำ ซิงค์ซีลีไนด์ (Znse) ส่วนของบ่อศักย์สร้างมาจากสารกึ่งตัวนำอินทรีย์แบบโมเลกุล ขนาดเล็ก Alq.3(tris-(8-hydroxyquinaline) aluminum(III) เมื่อสางประดิษฐ์ได้รับแสงกระตุ้นจากแหล่งกำเนิดแสง ภายนอก อิเล็กตรอนจะถูกกระตุ้นจากสถานะพื้นไปยังสถานะกระต้นแล้วเคลื่อนที่เข้าหาขั้วไฟฟ้าทำให้เกิดแรงดันไฟ ฟ้าตกคร่อมสิ่งประดิษฐ์ โดยเมื่อทำการวัดค่าประสิทธิภาพของอุปกรณ์พบว่ามีค่าเป็น 1.2%และ มีผลของการตอบ สนองทางแสงตั้งแต่ความยาวคลื่น 540-1000 นาโนเมตร------May 22, 2020------(OCR) Page 1 of 1. Invention Summary: A small molecular organic semiconductor thin-film photovoltaic cell (SLSC) is a device capable of converting light energy into electrical energy. It has a planar structure and is in the form of a nanometer-scale thin film. The fabricated thin film consists of the organic semiconductor TPD (N,N’-Bis(3-methylphenyl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine), the semiconductor Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)), the semiconductor zinc selenide (ZnSe), a transparent electrode, and indium oxide (ITO), respectively. It was fabricated using the electron beam evaporation technique in a high vacuum. The band structure of the invention is found to be a quantum well structure. The first potential barrier is constructed from the small molecular organic semiconductor TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine). The second potential barrier is constructed from the zinc selenide (ZnSe) semiconductor. The potential well is constructed from the small molecular organic semiconductor Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)). When the device is stimulated by light from an external light source, electrons are excited from the ground state to the excited state and move towards the electrodes, causing a voltage to be dropped across the device. The device's efficiency was measured at 1.2%, and the optical response ranged from wavelengths of 540-1000 nanometers. ------20/07/2018------(OCR) Page 1 of 1. Summary of the Invention: A small molecular organic semiconductor thin-film photovoltaic cell is a device that can convert light energy into electrical energy. It has a planar structure in the form of a nanometer-sized thin film. The implanted thin film consists of the organic semiconductor TPD (N,N’-Bis(3-methylphenyl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine), the semiconductor Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)), the semiconductor zinc selenide (ZnSe), a transparent electrode, and indium oxide (ITO), respectively. It was fabricated using the electron beam evaporation technique in a high vacuum. The band structure of the artifact is quantum well-like. The first potential barrier is constructed from the small molecular organic semiconductor TPD (N,N’-Bis(3-methylphenyl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine, and the second potential barrier is constructed from the semiconductor... The zinc selenide (ZnSe) potential well portion is constructed from the small molecular organic semiconductor Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(lll)). When the device is stimulated by light from an external light source, electrons are excited from the ground state to the excited state and move towards the electrodes, causing an electrical voltage to be applied across the device. The device's efficiency was measured at 1.2%, and it exhibited an optical response from wavelengths of 540-1000 nanometers. ------------ Small molecular organic semiconductor thin-film photovoltaic cells are devices that can convert light energy into electrical energy. They have a planar structure and are in the form of nanometer-scale thin films, which are grown from organic semiconductors. The TPD(N,N''-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine) semiconductor, Alq. (tris-(8-hydroxyquinaline) aluminum(III) semiconductor, zinc selenide (Znse) semiconductor, transparent electrode, and indium tin oxide (ITO) semiconductor were respectively fabricated using the electron beam vaporization technique in a high vacuum. When considering the band structure of the artifact, it is found to have the characteristics of a quantum well structure. The first potential barrier is fabricated from the small molecular organic semiconductor TPD(N,N''-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine), and the second potential barrier is fabricated from the semiconductor. The zinc selenide (Znse) potential well portion is made from the small molecular organic semiconductor Alq.3(tris-(8-hydroxyquinaline) aluminum(III). When the device is stimulated by light from an external light source, electrons are stimulated from the ground state to the excited state and move toward the electrodes, causing a voltage to be applied across the device. When the device's efficiency was measured, it was found to be 1.2% and had an optical response from wavelengths of 540-1000 nanometers.

Claims (4)

------22/05/2563------(OCR) หน้าที่ 1 ของจำนวน 1 หน้า ข้อถือสิทธิ1. อุปกรณ์โฟโตโวลเตอิกเซลล์แบบฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก ประกอบด้วย - แผ่นฐานรองรับซิลิกอนชนิดพีซึ่งในชั้นถัดไปมี - สารกึ่งตัวนำอินทรีย์TPD (N,N’-Bis(3-methylphenyl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine) และมี - สารกึ่งตัวนำอินทรีย์ Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)) อยู่ถัดจากชั้น TPD ดังกล่าว และมี - สารกึ่งตัวนำ ซิงค์ซีลีไนด์ (ZnSe) อยู่ต่อจากชั้น Alq3 โดยมี - ขั้วไฟฟ้าโปร่งใส (Transparent electrode) อินเดียมออกไซด์ (ITO) อยู่ในชั้นสุดท้าย อุปกรณ์โฟโตโวลเตอิกเซลล์แบบฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก มีลักษณะเฉพาะคือ ซิงค์ซีลี ไนด์ (ZnSe) ดังกล่าว อยู่ในชั้นต่อจากชั้นสารกึ่งตัวนำอินทรีย์ Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)) และมี ขั้วไฟฟ้าโปร่งใส (Transparent electrode) อินเดียมออกไซด์ (ITO) ดังกล่าว อยู่ในชั้นต่อจากซิงด์ซีลีไนด์ (ZnSe) ดังกล่าว ซึ่งเป็นชั้นสุดท้าย2. อุปกรณ์โฟโตโวลเตอิกเซลล์แบบฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก ตามข้อถือสิทธิ 1 มีลักษณะเฉพาะ คือ สารกึ่งตัวนำอินทรีย์ TPD (N,N’-Bis(3-methylphenyl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine) ที่มีสมบัติคล้ายกับสารกึ่ง ตัวนำชนิดพีความหนา 5 นาโนเมตร และสารกึ่งตัวนำอินทรีย์ Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)) ที่มี สมบัติคล้ายกับสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นมีความหนา 50 นาโนเมตร ตามลำดับ เมื่อนำมาต่อกันจะมีลักษณะเป็นรอยต่อ พีเอ็น (p-n junction)3. อุปกรณ์โฟโตโวลเตอิกเซลล์แบบฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก ตามข้อถือสิทธิ 1 มีลักษณะเฉพาะ คือ สารกึ่งตัวนำ ซิงค์ซีลีไนด์ (ZnSe) เป็นสารกึ่งตัวนำชนิดพีและมีลักษณะเป็นผลึกระดับนาโนเมตร โดยชั้นซิงค์ซีลี ไนด์ (ZnSe) ดังกล่าว มีความหนา 200 นาโนเมตร มาทำการปลูกทับลงบนสารกึ่งตัวนำ Alq3 (tris-(8- hydroxyquinoline) aluminum(lll)) เพื่อป้องกันไม่ให้สารกึ่งตัวนำ Alq3 สัมผัสกับอากาศ4. อุปกรณ์โฟโตโวลเตอิกเซลล์แบบฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก ตามข้อถือสิทธิ 1 มีลักษณะเฉพาะ คือ การนำเอาขั้วไฟฟ้าโปร่งใส (Transparent electrode) อินเดียมออกไซด์(ITO) มาสร้างเป็นขั้วไฟฟ้าในด้านคาโธด ด้วยความหนา 100-300 นาโนเมตร ------------ ------20/07/2561------(OCR) หน้าที่ 1 ของจำนวน 1 หน้า ข้อถือสิทธิ 1. อุปกรณ์โฟโตโวลเตอิกเซลล์แบบฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก ประกอบด้วย แผ่นฐานรองรับซิลิกอนชนิดพีซึ่งในชั้นถัดไปมี สารกึ่งตัวนำอินทรีย์TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine) และมี สารกึ่งตัวนำอินทรีย์ Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)) อยู่ถัดจากชั้น TPD ดังกล่าว และมี - สารกึ่งตัวนำ ซิงค์ซีลีไนด์ (ZnSe) อยู่ต่อจากชั้น Alq3 โดยมี ขั้วไฟฟ้าโปร่งใส (Transparent electrode) อินเดียมออกไซด์ (ITO) อยู่ในชั้นสุดท้าย อุปกรณ์โฟโตโวลเตอิกเซลล์แบบฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก มีลักษณะเฉพาะคือ ซิงด์ซีลี ไนด์ (ZnSe) ดังกล่าว อยู่ในชั้นต่อจากชั้นสารกึ่งตัวนำอินทรีย์ Alq3(tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)) และมี ขั้วไฟฟ้าโปร่งใส (Transparent electrode) อินเดียมออกไซด์ (ITO) ดังกล่าว อยู่ในชั้นต่อจากซิงค์ซีลีไนด์ (ZnSe) ดังกล่าว ซึ่งเป็นชั้นสุดท้าย 2. อุปกรณ์โฟโตโวลเตอิกเซลล์แบบฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก ตามข้อถือสิทธิ 1 มีลักษณะเฉพาะ คือ สารกึ่งตัวนำอินทรีย์ TPD (N,N’-Bis(3-methylphenyl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine) ที่มีสมบัติคล้ายกับสารกึ่ง ตัวนำชนิดพีความหนา 5 นาโนเมตร และสารกึ่งตัวนำอินทรีย์Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)) ที่มี สมบัติคล้ายกับสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นมีความหนา 50 นาโนเมตร ตามลำดับ เมื่อนำมาต่อกันจะมีลักษณะเป็นรอยต่อ พีเอ็น (p-n junction) 3. อุปกรณ์โฟโตโวลเตอิกเซลล์แบบฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก ตามข้อถือสิทธิ 1 มีลักษณะเฉพาะ คือ สารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์ (ZnSe) เป็นสารกึ่งตัวนำชนิดพีและมีลักษณะเป็นผลึกระดับนาโนเมตร โดยชั้นซิงค์ซีลี ไนด์ (ZnSe) ดังกล่าว มีความหนา 200นาโนเมตร มาทำการปลูกทับลงบนสารกึ่งตัวนำ Alq3 (tris-(8- hydroxyquinoline) aluminum(lll)) เพื่อป้องกันไม่ให้สารกึ่งตัวนำ Alq3สัมผัสกับอากาศ 4. อุปกรณ์โฟโตโวลเตอิกเซลล์แบบฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก ตามข้อถือสิทธิ 1 มีลักษณะเฉพาะ คือ การนำเอาชั้วไฟฟ้าโปร่งใส (Transparent electrode) อินเดียมออกไซด์(ITO) มาสร้างเป็นขั้วไฟฟ้าในด้านคาโธด ด้วยความหนา 100-300 นาโนเมตร ------------------22/05/2020------(OCR) Page 1 of 1 page. Claim 1. A small molecule organic semiconductor thin-film photovoltaic cell device consisting of: - a p-type silicon substrate, followed by - an organic semiconductor TPD (N,N’-Bis(3-methylphenyl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine), and - an organic semiconductor Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)), and - a zinc selenide (ZnSe) semiconductor (ZnSe) followed by the Alq3 layer, with - a transparent indium oxide (ITO) electrode in the final layer. It is characterized by the presence of the aforementioned zinc selenide (ZnSe) layer following the organic semiconductor Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)) layer, and the presence of the aforementioned transparent electrode indium oxide (ITO) layer following the zinc selenide (ZnSe), which is the final layer.2. The small molecule organic semiconductor thin-film photovoltaic cell device according to claim 1 is characterized by the presence of the organic semiconductor TPD (N,N’-Bis(3-methylphenyl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine) which has properties similar to the semiconductor. A 5 nm thick p-type semiconductor and a 50 nm thick organic semiconductor Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)) with properties similar to an n-type semiconductor, respectively, when joined together, form a p-n junction. 3. A small molecule organic semiconductor thin-film photovoltaic cell device, according to claim 1, has the following characteristics: a zinc selenide (ZnSe) semiconductor, which is a p-type semiconductor with nanoscale crystalline structure. A 200 nm thick layer of this zinc selenide (ZnSe) is grown on top of the Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)) semiconductor to prevent the Alq3 semiconductor from coming into contact with air. 4. A small molecule organic semiconductor thin-film photovoltaic cell device. According to claim 1, the characteristic feature is the use of a transparent indium oxide (ITO) electrode as the cathode electrode with a thickness of 100-300 nanometers. ------20/07/2018------(OCR) Page 1 of 1. Claim 1. A small molecule organic semiconductor thin-film photovoltaic cell device consisting of a p-type silicon substrate, followed by an organic semiconductor TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine), and then an organic semiconductor Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)), and finally a zinc selenide (ZnSe) semiconductor, with a transparent indium oxide (ITO) electrode in the final layer. The small molecule organic semiconductor thin-film photovoltaic cell device described in claim 1 is characterized by the presence of the aforementioned zinc selenide (ZnSe) layer following the organic semiconductor Alq3(tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)) layer, and the presence of the aforementioned transparent indium oxide (ITO) electrode layer following the zinc selenide (ZnSe) layer, which is the final layer. 2. The small molecule organic semiconductor thin-film photovoltaic cell device described in claim 1 is characterized by the presence of the organic semiconductor TPD (N,N’-Bis(3-methylphenyl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine) with properties similar to a 5 nm thick p-type semiconductor and the organic semiconductor Alq3. (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)) with properties similar to n-type semiconductors, with a thickness of 50 nm, respectively, when joined together, will have a p-n junction. 3. The small molecule organic semiconductor thin-film photovoltaic cell device according to claim 1 has the following characteristics: zinc selenide (ZnSe) semiconductor is a p-type semiconductor with nanoscale crystalline structure. The said zinc selenide (ZnSe) layer, with a thickness of 200 nm, is planted on top of Alq3 (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum(lll)) semiconductor to prevent the Alq3 semiconductor from coming into contact with air. 4. The small molecule organic semiconductor thin-film photovoltaic cell device. According to claim 1, the characteristic feature is the use of a transparent indium oxide (ITO) electrode to form the cathode side, with a thickness of 100-300 nanometers. 1. อุปกรณ์โฟโวลเตอิกเซลล์แบบฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก ประกอบด้วย - แผ่นฐานรองรับซิลิกอนชนิดฟีซึ่งในชั้นถัดไปมี - สารกึ่งตัวนำอินทรีย์ TPD(N,N''-Bis(3-methylphenyl)-N,N-bis(phenyl)benzidine) และมี - สารกึ่งตัวนำอินทรีย์ Alq3 (tris-(8-hydroxyquinaline) aluminum(III) อยู่ในถัดจากชั้น TPD ดังกล่าวและมี - สารกึ่งตัวนำ ซิงค์ซีลีไนด์ (Znse) อยู่ต่อจากชั้น Alq3 โดยมี - ขั้วไฟฟ้าโปร่งใส (Transparent electrode) อินเดียมทินออกไซด์ (ITO) อยู่ในขั้นสุดท้าย อุปกรณ์โฟโวลเตอิกเซลล์แบบฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก มีลักษณะเฉพาะคือ ซิงค์ซีลีไนด์ (Znse)ดังกล่าว อยู่ในขั้นต่อจากชั้นสารกึ่งตัวนำอินทรีย์ Alq3(tris-(8-hydroxyquinaline) aluminum(III) และมี ขั้วไฟฟ้าโปร่งใน (Transparent electrode) อินเดียมทินออกไซด์ (ITO)ดังกล่าว อยู่ในชั้นต่อจากซิงค์ซีลีไนด์ (Znse) ดังกล่าว ซึ่งเป็นชั้นสุดท้าย1. The small molecule organic semiconductor thin-film photovoltaic cell device consists of - a phenolic silicon substrate layer which is followed by - an organic semiconductor TPD(N,N''-Bis(3-methylphenyl)-N,N-bis(phenyl)benzidine) layer, and - an organic semiconductor Alq3 (tris-(8-hydroxyquinaline) aluminum(III) layer, and - a zinc selenide (Znse) semiconductor layer, and - an indium tin oxide (ITO) transparent electrode layer, and is characterized by the zinc selenide (Znse) layer, which is followed by the indium tin oxide (ITO) transparent electrode layer. The small molecule organic semiconductor thin-film photovoltaic cell device is characterized by the zinc selenide (Znse) layer, which is followed by the indium tin oxide (ITO) transparent electrode layer, and is characterized ... It is located in the layer following the zinc selenide (ZnSe), which is the final layer. 2. อุปกรณ์โฟโวลเตอิกเซลล์แบบฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก ตามข้อถือสิทธิที่ 1 มีลักษณะ เฉพาะคือ สารกึ่งตัวนำอินทรีย์ TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine) ที่มีสมบัติ คล้ายกับสารกึ่งตัวนำชนิดพีความหนา 4-6 นาโนเมตร และสารกึ่งตัวนำอินทรีย์ Alq3 (tris-(8-hydroxyquinaline) aluminum(III)) ที่มีสมบัติคล้ายกับสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นมีความหนา 40-60 nm ตามลำดับ เมื่อนำมาต่อกันจะมี ลักษณะเป็นรอยต่อพีเอ็น (p-n junclion)2. The organic semiconductor thin-film photovoltaic cell device according to claim 1 has the following characteristics: the organic semiconductor TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine) with properties similar to p-type semiconductor, thickness 4-6 nm, and the organic semiconductor Alq3 (tris-(8-hydroxyquinaline) aluminum(III)) with properties similar to n-type semiconductor, thickness 40-60 nm, respectively, when joined together, have the characteristics of a p-n junction (p-n junction). 3. อุปกรณ์โฟโวลเตอิกเซลล์แบบฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก ตามข้อถือสิทธิที่ 1 มีลักษณะ เฉพาะคือ สารกึ่งตัวนำ ซิงค์ซีลิโนด์ (ZnSe) เป็นสารกึ่งตัวนำชนิดพีและมีลักษณะเป็นผลึกระดับนาโนเมตร โดย มีขนาดของเม็ดผลึกประมาณ 20-40 นาโนเมตร โดยชั้นซิงค์ซีลีไนด์ (ZnSe) ดังกล่าวมีความหนา 100-300 นาโน เมตร มาทำการปลูกทับลงบนสารกึ่งตัวนำ Alq3 (tris-(8-hydroxyquinaline) aluminum(III)) เพื่อป้องกันไม่ให้ สารกึ่งตัวนำอินทรีย์ Alq3 สัมผัสกับอากาศ3. The organic semiconductor thin-film photovoltaic cell device according to claim 1 has the following characteristics: the semiconductor zinc selenide (ZnSe) is a p-type semiconductor with a nanoscale crystal structure, with a crystal grain size of approximately 20-40 nm. The zinc selenide (ZnSe) layer, with a thickness of 100-300 nm, is planted on the semiconductor Alq3 (tris-(8-hydroxyquinaline) aluminum(III)) to prevent the organic semiconductor Alq3 from coming into contact with air. 4. อุปกรณ์โฟโวลเตอิกเซลล์แบบฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำอินทรีย์โมเลกุลขนาดเล็ก ตามข้อถือสิทธิที่ 1 มีลักษณะ เฉพาะคือ การนำเอาขั้วไฟฟ้าโปร่งใส (Transparent electrode) อินเดียมทินออกไซด์ (ITO) มาสร้างเป็นขั้วไฟ ฟ้าในด้านคาโธตด้วยความหนา 100-300 นาโนเมตร4. The small molecule organic semiconductor thin-film photovoltaic cell device, as per claim 1, is characterized by the use of a transparent electrode made of indium tin oxide (ITO) to form the cathode side with a thickness of 100-300 nanometers.
TH501000032A 2004-07-02 Small Molecule Thin Film Photovoltaic Cell TH80566B (en)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH69495A TH69495A (en) 2005-07-05
TH80566A TH80566A (en) 2006-10-19
TH80566B true TH80566B (en) 2021-01-08

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Jiang et al. Light-emitting diodes of colloidal quantum dots and nanorod heterostructures for future emissive displays
US8729528B2 (en) Quantum dot-fullerene junction optoelectronic devices
CN104937722B (en) Using the Intermediate Gray quasiconductor, hetero-junctions and the optoelectronic device that process quantum dot solution manufacture, and its correlation technique
US8847240B2 (en) Optoelectronic devices
US7157851B2 (en) Self-charging organic electroluminescent display device
KR101916904B1 (en) Electronic device comprising interlayer with graphine quantum dot and method for fabricating the same
CN101515608B (en) Photovoltaic cells of si-nanocrystals and applications in thin film transistor panel
CN105118921B (en) A kind of organic photodetector of high external quantum efficiency and wide spectrum response and preparation method thereof
US20140060613A1 (en) Method and apparatus for integrating an infrared (ir) photovoltaic cell on a thin film photovoltaic cell
JP6449766B2 (en) Transparent electrodes for optoelectronic devices
JP2008153632A (en) Photocell
TWI273719B (en) Nanocrystal and photovoltaics applying the same
US9006931B2 (en) Static-electrical-field-enhanced semiconductor-based devices and methods of enhancing semiconductor-based device performance
CN115312675A (en) Diffusion-limited electroactive barrier for photovoltaic modules
CN113451430B (en) Graphene/bilayer tellurium/boron graphene van der Waals heterojunction photodiode devices
JP2010186915A (en) Solar cell
JP2013537366A (en) Organic semiconductors as window layers for inorganic solar cells
CN108447991A (en) A parallel double-junction organic/inorganic hybrid solar cell based on inorganic nanocrystals
TH69495A (en) Photovoltaic devices, Thin film cells, Small molecules, Organic semiconductors (Small Molecule Thin Film Photovoltaic cells)
KR101883322B1 (en) An assembly comprising aa light emitting module and a manufacturing method thereof
KR101378168B1 (en) Process for preparing nanoparticle embedded electronic devices
Liu et al. Highly efficient organic ultraviolet photodetectors based on excellent Cu (I) complexes
JP2014033165A (en) Photoelectric conversion element
WO2019167227A1 (en) Photoelectric conversion element and photoelectric conversion module
JP2003347568A (en) Photoelectric conversion element and method for manufacturing the same