TH75713A - Method for producing indium nitride thin films on silicon substrates in RF magnetron sputtering and photoresist devices containing loud indium nitride thin films. say - Google Patents

Method for producing indium nitride thin films on silicon substrates in RF magnetron sputtering and photoresist devices containing loud indium nitride thin films. say

Info

Publication number
TH75713A
TH75713A TH501001242A TH0501001242A TH75713A TH 75713 A TH75713 A TH 75713A TH 501001242 A TH501001242 A TH 501001242A TH 0501001242 A TH0501001242 A TH 0501001242A TH 75713 A TH75713 A TH 75713A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
indium nitride
thin film
found
sputtering
film
Prior art date
Application number
TH501001242A
Other languages
Thai (th)
Inventor
หนูแก้ว นายจิตติ
พรธีระภัทร นางสาวศุภนิจ
ตันฮู้ นายเบญจพล
Original Assignee
นางสาวอรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล
นายเกรียงศักดิ์ ก้อนทอง
นายกนกศักดิ์ ทองพาณิชย์
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวอรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล, นายเกรียงศักดิ์ ก้อนทอง, นายกนกศักดิ์ ทองพาณิชย์ filed Critical นางสาวอรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล
Publication of TH75713A publication Critical patent/TH75713A/en

Links

Abstract

------15/11/2562------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ ฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์ ความหนา 500 นาโนเมตร ถูกปลูกขึ้นโดยใช้ระบบปลูกฟิล์มแบบอาร์เอฟแมกนีตรอนสปัตเตอริง ด้วยเทคนิคการควบคุมเวลาก๊าซไวปฏิกิริยาหรือก๊าซที่เข้าทำการสปัตเตอร์ โดยไม่ให้อุณหภูมิแก่ฐานรองรับ เมื่อนำสิ่งประดิษฐ์นี้ไปตรวจสอบสมบัติต่างๆ พบว่าฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์บนซิลิกอนซับสเตรตมีความเป็นผลึกในระนาบ (101) และ (002) ซึ่งแสดงถึงลักษณะโครงสร้างพหุผลึกแบบเฮกซะโกนอล และเมื่อนำฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์ระดับนาโนเมตรไปสร้างเป็นอุปกรณ์ตรวจวัดแสงพบว่าผลการตอบสนองทางแสงอยู่ในช่วง 1000 ถึง 1150 นาโนเมตร ------------ DC60 (22/03/48) ฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์ ความหนา 500 นาโนเมตร ถูกปลูกขึ้นโดยใช้ระบบปลูกฟิล์มแบบอาร์เอฟ แมกนีตรอนสปัตเตอริง ด้วยเทคนิคการควบคุมเวลากาซไวปฏิกิริยาหรือกาซที่เข้าทำการสปัตเตอร์ โดยไม่ให้ อุณหภูมิแก่ฐานรองรับ เมื่อนำสิ่งประดิษฐ์นี้ไปตรวจสอบสมบัติต่างๆ พบว่าฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์บนฐานรอง รับซิลิกอนมีความเป็นผลึกในระนาบ (101) และ (002) ซึ่งแสดงถึงลักษณะโครงสร้างพหุผลึกแบบเฮกซะโกนอ ล (Hexagonal polycrystalline Structure ) และเมื่อนำฟิล์มบางผลึกอินเดียมไนไตรด์ระดับนาโนเมตรไปสร้าง เป็นอุปกรณ์ตรวจวัดแสงพบว่าผลการตอบสนองทางแสงอยู่ในช่วง Near IR (1000-1150 นาโนเมตร) ฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์ ความหนา 500 นาโนเมตร ถูกปลุกขึ้นโดยใช้ระบบปลูกฟิล์มแบบอาร์เอฟ แมกนีตรอนสปัตเตอริง ด้วยเทคนิคการควบคุมเวลาก๊าซไวปฏิกิริยาหรือกาซที่เข้าทำการสปัตเตอร์โดยไม่ให้ อุณหภูมิแก่ฐานรองรับ เมื่อนำสิ่งประดิษฐ์นี้ไปตรวจสอบสมบัติต่างๆ พบว่าฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์บนฐานรอง รับซิลิกอนมีความเป็นผลึกในระนาบ(101)และ(002)ซึ่งแสดงถึงลักษณะโครงสร้างพหุผลึกแบบเฮกซะโกนอ ล(Hexagonal polycrystalline Structure )และเมื่อนำฟิล์มบางผลึกอินเดียมไนไตรด์ระดับนาโนเมตรไปสร้าง เป็นอุปกรณ์ตรวจวัดแสงพบว่าผลการตอบสนองทางแสงอยู่ในช่วง Near IR(1000-1150 นาโนเมตร) ------ 15/11/2019 ------ (OCR) page 1 of number 1 page, invention summary. Indium nitride thin film of 500 nm was grown using RF magnetron sputtering film growing system. With time control techniques, reactive gas or gases that enter the sputtering Without giving the temperature to the support base When using this artifact to examine various treasures Indium nitride thin films on silicon substrates were found to have crystallinity in the planes (101) and (002), indicating the hexagonally multicrystalline structure. And when indium nitride thin film was used to create a photometric device, it was found that the optical response was in the range of 1000 to 1150 nm ------------ DC60 ( 22/03/48) Indium nitride thin film, thickness 500 nm, was grown using RF film planting system. Magnetron sputtering With time control techniques, reaction gas or gas that enters the sputtering without temperature to the support base. When using this artifact to examine various treasures It was found that the thin film indium nitride on the secondary base. Silicon is crystalline in the planes (101) and (002), which characterizes the Hexagonal polycrystalline structure, and when the indium nitride nano-crystalline thin film is applied. M to build As a light measuring device, it was found that the optical response was in the Near IR range (1000-1150 nm). Thin indium nitride film, thickness 500 nm, was awakened using an RF film growing system. Magnetron sputtering With time control techniques, reactive gas or gas that goes into sputtering without giving Temperature to the support base When this artifact is examined It was found that the thin film indium nitride on the secondary base. Silicon is crystalline in the planes (101) and (002), which characterizes the hexagonal polycrystalline structure, and when the indium nitride nano-crystalline thin film is applied. M to build As a light measuring device, it was found that the optical response was in the Near IR range (1000-1150 nm).

Claims (1)

: ------15/11/2562------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ ฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์ ความหนา 500 นาโนเมตร ถูกปลูกขึ้นโดยใช้ระบบปลูกฟิล์มแบบอาร์เอฟแมกนีตรอนสปัตเตอริง ด้วยเทคนิคการควบคุมเวลาก๊าซไวปฏิกิริยาหรือก๊าซที่เข้าทำการสปัตเตอร์ โดยไม่ให้อุณหภูมิแก่ฐานรองรับ เมื่อนำสิ่งประดิษฐ์นี้ไปตรวจสอบสมบัติต่างๆ พบว่าฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์บนซิลิกอนซับสเตรตมีความเป็นผลึกในระนาบ (101) และ (002) ซึ่งแสดงถึงลักษณะโครงสร้างพหุผลึกแบบเฮกซะโกนอล และเมื่อนำฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์ระดับนาโนเมตรไปสร้างเป็นอุปกรณ์ตรวจวัดแสงพบว่าผลการตอบสนองทางแสงอยู่ในช่วง 1000 ถึง 1150 นาโนเมตร ------------ DC60 (22/03/48) ฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์ ความหนา 500 นาโนเมตร ถูกปลูกขึ้นโดยใช้ระบบปลูกฟิล์มแบบอาร์เอฟ แมกนีตรอนสปัตเตอริง ด้วยเทคนิคการควบคุมเวลากาซไวปฏิกิริยาหรือกาซที่เข้าทำการสปัตเตอร์ โดยไม่ให้ อุณหภูมิแก่ฐานรองรับ เมื่อนำสิ่งประดิษฐ์นี้ไปตรวจสอบสมบัติต่างๆ พบว่าฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์บนฐานรอง รับซิลิกอนมีความเป็นผลึกในระนาบ (101) และ (002) ซึ่งแสดงถึงลักษณะโครงสร้างพหุผลึกแบบเฮกซะโกนอ ล (Hexagonal polycrystalline Structure ) และเมื่อนำฟิล์มบางผลึกอินเดียมไนไตรด์ระดับนาโนเมตรไปสร้าง เป็นอุปกรณ์ตรวจวัดแสงพบว่าผลการตอบสนองทางแสงอยู่ในช่วง Near IR (1000-1150 นาโนเมตร) ฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์ ความหนา 500 นาโนเมตร ถูกปลุกขึ้นโดยใช้ระบบปลูกฟิล์มแบบอาร์เอฟ แมกนีตรอนสปัตเตอริง ด้วยเทคนิคการควบคุมเวลาก๊าซไวปฏิกิริยาหรือกาซที่เข้าทำการสปัตเตอร์โดยไม่ให้ อุณหภูมิแก่ฐานรองรับ เมื่อนำสิ่งประดิษฐ์นี้ไปตรวจสอบสมบัติต่างๆ พบว่าฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์บนฐานรอง รับซิลิกอนมีความเป็นผลึกในระนาบ(101)และ(002)ซึ่งแสดงถึงลักษณะโครงสร้างพหุผลึกแบบเฮกซะโกนอ ล(Hexagonal polycrystalline Structure )และเมื่อนำฟิล์มบางผลึกอินเดียมไนไตรด์ระดับนาโนเมตรไปสร้าง เป็นอุปกรณ์ตรวจวัดแสงพบว่าผลการตอบสนองทางแสงอยู่ในช่วง Near IR(1000-1150 นาโนเมตร)ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : ------15/11/2562------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า ข้อถือสิทธิ: ------ 15/11/2019 ------ (OCR) page 1 of number 1 page summary of invention Indium nitride thin film of 500 nm was grown using RF magnetron sputtering film growing system. With time control techniques, reactive gas or gases that enter the sputtering Without giving the temperature to the support base When using this artifact to examine various treasures Indium nitride thin films on silicon substrates were found to have crystallinity in the planes (101) and (002), indicating the hexagonally multicrystalline structure. And when indium nitride thin film was used to create a photometric device, it was found that the optical response was in the range of 1000 to 1150 nm ------------ DC60 ( 22/03/48) Indium nitride thin film, thickness 500 nm, was grown using RF film planting system. Magnetron sputtering With time control techniques, reaction gas or gas that enters the sputtering without temperature to the support base. When using this artifact to examine various treasures It was found that the thin film indium nitride on the secondary base. Silicon is crystalline in the planes (101) and (002), which characterizes the Hexagonal polycrystalline structure, and when the indium nitride nano-crystalline thin film is applied. M to build As a light measuring device, it was found that the optical response was in the Near IR range (1000-1150 nm). Thin indium nitride film, thickness 500 nm, was awakened using an RF film growing system. Magnetron sputtering With time control techniques, reactive gas or gas that goes into sputtering without giving Temperature to the support base When using this artifact to examine various treasures It was found that the thin film indium nitride on the secondary base. Silicon is crystalline in the planes (101) and (002), which characterizes the Hexagonal polycrystalline structure, and when the indium nitride nano-crystalline thin film is applied. M to build As a light measuring device, it was found that the optical response was in the range of Near IR (1000-1150 nm). (Section one) which will appear on the advertisement page: ------ 15/11/2019 ------ (OCR) Page 1 of the number 1 page. 1. วิธีการสร้างฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์บนซิลิกอนซับสเตรตในระบบอาร์เอฟแมกนีตรอนสปัตเตอริง ที่ซึ่งการ ปลูกฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์บนซิลิกอนซับสเตรตด้วยระบบอาร์เอฟแมกนีตรอนสปัตเตอริง ประกอบด้วย เป้าเป็นโลหะอินเดียม และการปล่อยก๊าซไวปฏิกิริยาไหลผ่านห้องสุญญากาศของระบบ และทำการ สปัตเตอริงเพื่อปลูกฟิล์มบางอินเดียมไนไตรด์บนแท็ก :1. Method for producing indium nitride thin film on silicon substrate in RF magnetron sputtering system, where indium nitride thin film is grown on the silicon substrate. A silicon substrate with RF magnetron sputtering system consists of an indium metal target. And reactive gas emissions flow through the system vacuum chamber and sputtering to grow the indium nitride thin film on the tags:
TH501001242A 2005-03-22 Method for producing indium nitride thin films on silicon substrates in RF magnetron sputtering and photoresist devices containing loud indium nitride thin films. say TH75713A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH75713A true TH75713A (en) 2006-02-16

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Villanueva et al. Pulsed laser deposition of zinc oxide
Ohkubo et al. In-plane and polar orientations of ZnO thin films grown on atomically flat sapphire
Bailey et al. Nucleation effects on the habit of vapour grown ice crystals from− 18 to− 42 C
CN101719483B (en) Substrate for growing wurtzite type crystal and method for manufacturing the same and semiconductor device
KR101352246B1 (en) Method for fabricating ZnO thin films
Phan et al. Comparison of ZnO thin films grown on a polycrystalline 3C–SiC buffer layer by RF magnetron sputtering and a sol–gel method
KR950009904A (en) Method for producing polycrystalline silicon thin film with large particle size
CN111115590B (en) Two-dimensional indium telluride nanosheet and polarized light detector prepared from same
TH75713A (en) Method for producing indium nitride thin films on silicon substrates in RF magnetron sputtering and photoresist devices containing loud indium nitride thin films. say
Fortin et al. Ice condensation on sulfuric acid tetrahydrate: Implications for polar stratospheric ice clouds
CN201060051Y (en) Ultraviolet light conductance seeker of ZnO MSM structure
Packard et al. Dissolved organic carbon in the Gulf of St. Lawrence
CN106526716B (en) A kind of production method and display device of micro-nano structure antireflective film
Rosli et al. Growth of ZnO microstructure on porous silicon
ATE394521T1 (en) METHOD FOR PRODUCING THIN POLYCRYSTALLINE MGO FILMS
EP2130941A3 (en) An apparatus for evaporation comprising an effusion cell and a method of growing a film on a substrate
Sha et al. Initial study on the structure and optical properties of ZnO film on Si (1 1 1) substrate with a SiC buffer layer
Xiao et al. Effect of post-deposition annealing on ZrW2O8 thin films prepared by radio frequency magnetron sputtering
Appani et al. The microstructural evolution of sputtered ZnO epitaxial films to stress-relaxed nanorods
CN115616041B (en) Gas sensor based on GaN-based QDs film and preparation method thereof
Yoon Enhanced formation of Si nanocrystals in silicon-rich oxide implanted with Ni
CN105734674A (en) Epitaxy generation structure and generation method thereof
CN106653573B (en) A kind of preparation method of polycrystal silicon film
CN103147061A (en) Method for preparing amorphous transparent zinc oxide film
Liu et al. Microstructure-and composition-related characteristics of La F 3 thin films at 193 nm