Claims (53)
1. เครื่องสำหรับการปฏิบัติต่อซับสเทรทประกอบรวมด้วย ห้อง และวิถีทางจัดส่งสำหรับการให้ความร้อนและสารอย่างน้อยที่สุ ดหนึ่งชนิดที่เลือกมาจาก กลุ่มที่ประกอบด้วยสารโครโอเจน ตัวทำปฏ ิกิริยาที่เป็นของเหลวและสารเหลานี้ผสมรวมกัน โดยจัด วางอยู่ในห ้องเพื่อดำเนินการปฏิบัติต่อพื้นผิวอย่างน้อยที่สุดหนึ่งด้านขอ งซับสเทรท1. The substrate treatment equipment consists of a chamber and delivery pathways for heating and at least one substance selected from a group containing chromogens. This liquid reactant and these substances are mixed together and placed in the chamber to perform treatment on at least one surface of the substrate.
2. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 1 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยกระแสอากาศ ให้ห้องที่ขนานอย่าง แท้จริงกับพื้นผิวอย่างน้อยที่สุดหนึ่งด้าน ของซับสเทรทที่จะได้รับการปฏิบัติ2. The instrument under claim 1 is further assembled with an airflow to create a chamber that is truly parallel to at least one side of the substrate to be treated.
3. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 1 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยวิถีทางหน่ วงความดันที่ติดต่อกับห้อง เพื่อจัดเตรียมให้เกิดสุญญากาศในห้อง3. The instrument under claim 1 is further incorporated by a pressure damping mechanism in contact with the chamber to create a vacuum within the chamber.
4. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 1 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยวิถีทางรอบ รับเพื่อการรองรับ ซับสเทรทในห้อง4. The device under claim 1 is further incorporated through a surrounding mechanism to accommodate the substrate in the chamber.
5. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 4 ที่ซึ่งวิถีทางรองรับประกอบรวมด้ วยแท่น5. The instrument under claim 4, in which the support mechanism includes a platform.
6. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 4 ที่ซึ่งวิถีทางรองรับสามารถหมุนไ ด้6. A device under claim 4 in which the support path is rotatable.
7. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 4 ที่ซึ่งวิถีทางรองรับและวิถีทางจ ัดส่งอย่างน้อยที่สุดหนึ่งวิถีทาง ได้รับการทำให้มีโครงสร้างและ ได้รับการจัดการไว้ในห้องเพื่อการเคลื่อนที่โดยสัมพัทธ์กัน7. The instrument under claim 4 where at least one supporting pathway and one delivering pathway are structured and arranged in a chamber for relative movement.
8. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 4 ที่ซึ่งวิถีทางรองรับสามารถเคลื่ อนที่ได้ในห้องเพื่อการเผยออกสู่ พื้นผิวอย่างน้อยที่สุดหนึ่งด้ านเพื่อการปฏิบัติ8. A device under claim 4 in which the support pathway is movable within the chamber to expose at least one surface for operation.
9. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งวิถีทางจัดส่งประกอบรวมด ้วยหัวฉีดจำนวนหนึ่งเพื่อจัดส่ง ความร้อน สารไครโอเจนและตัวทำปฏ ิกิริยาที่เป็นของไหล9. An apparatus under claim 1 in which the delivery pathway consists of a number of nozzles to deliver heat, cryogen, and fluid reactants.
10. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งวิถีทางจัดส่งประกอบรวมด ้วยหัวฉีดจำนวนหนึ่งที่มี โครงสร้างและได้รับการจัดการไว้ในห้อง เพื่อการเคลื่อนที่โดยสัมพัทธ์กับซับสเทรท10. The device under claim 1, in which the delivery path consists of a number of nozzles that are structured and arranged in a chamber for relative movement to the substrate.
11. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 1 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยวิถีทางสำ หรับการล้างเพื่อการล้าง พื้นผิวอย่างน้อยที่สุดหนึ่งด้านของซับ สเทรท11. The instrument under claim 1 is further included with a method for cleaning to wash at least one surface of the substrate.
12. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 11 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยวิถีทางส ำหรับการล้างเพื่อการทำ ให้แห้งบนพื้นผิวอย่างน้อยที่สุดหนึ่งด้ านของซับสเทรท12. The instrument under claim 11 shall also include a means for washing to dry on at least one surface of the substrate.
13. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 1 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยวิถีทางตั วกรองที่ติดต่ออยู่กับห้อง เพื่อการกรองบรรยากาศของห้อง13. The device under claim 1 is further incorporated with a filter mechanism in contact with the room for the filtration of the room's atmosphere.
14. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งความร้อนที่จัดเตรียมขึ้ นมาโดยวิถีทางจัดส่งจะได้รับการ เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยไน โตรเจน อากาศแห้งที่สะอาด CO2 อาร์กอน ฮีเลียม ออกซิเจน และ แก ๊สเหล่านี้ผสมรวมกัน14. The equipment under Claim 1, where the heat supplied by delivery method shall be selected from a pool of nitrogen, clean dry air, CO2, argon, helium, oxygen, and a mixture of these gases.
15. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งสารโครโอเจนได้รับการเลื อกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ตัวกระทำชนิดสารไครโอเจน ของไหลชนิดสาร ไครโอเจน คาร์บอนไดออกไซด์ อาร์กอน ไนโตรเจนและสารเหล่านี้ผสมร่วมกัน15. An instrument pursuant to claim 1 in which the cryogen is selected from a group consisting of a cryogenous agent, a cryogenous fluid, carbon dioxide, argon, nitrogen and these substances mixed together.
16. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งตัวทำปฏิกิริยาที่เป็นขอ งไหลได้รับการเลือกมาจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยตัวทำละลายมีขั้ว ตั วทำละลายไม่มีขั้วและตัวทำละลายเหล่านี้ประกอบรวมกัน16. An instrument under Claim 1 in which the fluid reactant is selected from a group consisting of polar solvents, nonpolar solvents, and these solvents are combined.
17. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งตัวทำปฏิกิริยาที่เป็นขอ งไหลได้รับการเลือกมาจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยแก๊สไวปฏิกิริยา ไอไ วปฏิกิริยา ไอไวปฏิกิริยาของของเหลวไวปฏิกิริยาและสารเหล่านี้ ผสมรวมกัน17. An instrument under claim 1 in which a fluid reactant is selected from a group consisting of reactive gases, reactive vapors, reactive liquids, and these substances mixed together.
18. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งตัวทำปฏิกิริยาที่เป็นขอ งไหลได้รับการเลือกมาจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยไอ ดังเช่น ไอน้ำ ไอ ของเหลวที่มีความดันไอสูง และสารเหล่านี้ผสมรวมกัน ของเหลว ดัง เช่น อะซิโทน เอธานอล ของผสมของเอธานอลและอะซิโทน ไอโซโพรพิลแอ ลกอฮอล์ เมธานอล เมธิลฟอร์เมท เมธิลไอโอไดด์ เอธิลโบรไมด์ อะซิโ ทไนไทรล์ เอธิลคลอไรด์ ไพร์โรริดีน ไดเมธิลซัลฟ์ออกไซด์ และสาร เหล่านี้ผสมรวมกัน แก๊ส ดังเช่น โอโซน ไฮโดรเจน ไนโตรเจน ไนโต รเจนออกไซด์ ไนโตรเจนโทรฟลูออไรด์ ฮีเลียม อาร์กอน นีออน ซัลเฟ อร์ไทรออกไซด์ ออกซิเจน ฟลูออรีน แก๊สฟลูออโรคาร์บอน และแก๊สเห ล่านี้ผสมรวมกัน และของผสมของไอดังกล่าว ไอของเหลวความดันไอสูง ดังกล่าว และแก๊สชนิดใดๆ ดังกล่าว ไอน้ำ ไอของไอโซโพรพิลแอลกอฮอ ล์ ไอของของผสมเอธานอลและอะซิโทน ไอของเมธานอล โอโซน ไนโตรเจนไท รฟลูออโรด์ ซัลเฟอร์โทรออกไซด์ ออกซิเจน ฟลูออรีน โอโซน แก๊สฟ ลูออโรคาร์บอน และสารเหล่านี้ผสมรวมกัน18. An instrument under Recourse I in which a fluid reactant is chosen from a group of vapors such as water vapor, vapors, liquids with high vapor pressures and these substances are mixed together; liquids such as acetone, ethanol, a mixture of ethanol and acetone, isopropyl alcohol, methanol, methylformate, methyl iodide, ethyl bromide, acetonitrile, ethyl chloride, pyroridine, dimethyl sulfoxide and these substances are mixed together; gases such as ozone, hydrogen, nitrogen, nitrogen oxide, nitrogen trifluoride, helium, argon, neon, sulfur trioxide, oxygen, fluorine, fluorocarbon gases and these gases are mixed together; and mixtures of such vapors. The aforementioned high-pressure liquid vapors and any of the aforementioned gases: water vapor, isopropyl alcohol vapor, vapor of a mixture of ethanol and acetone, methanol vapor, ozone, nitrogen trifluoride, sulfur dioxide, oxygen, fluorine, ozone, fluorocarbon gases, and mixtures of these substances.
19.เครื่องตามข้อถือสิทธ ิที่ 1 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยวิถีทางสำหรับการขจัดซึ่งจัดวางอยู่ ในห้องเพื่อการขจัดประจุไฟฟ้าสถิตในห้องอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ห้อง วิถีทางจัดส่งและซับสเทรท19. The device under Claim 1 shall be further included with a means of elimination provided in a chamber for the elimination of static electricity in the room, at least one chamber, a delivery method and substrate.
20. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 19 ที่ซึ่งวิถีทางสำรหับการขจัดปร ะกอบรวมด้วยวิถีทางสำหรับ การทำให้ตกเป็นไอออน20. The device under claim 19, where the elimination method includes the ionization method.
21. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 1 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยวิถีทางสำ หรับการก่อเกิดเพื่อการก่อ เกิดรังสีแม่เหล็กไฟฟ้าสำหรับเกิดกิร ิยาร่วมกับตัวทำปฏิกิริยาที่เป็นของไหลในห้อง21. The instrument under claim 1 is further incorporated with a mechanism for the generation of electromagnetic radiation for interaction with a fluid reactor in the chamber.
22. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 9 ที่ซึ่งหัวฉีดจำนวนหนึ่งได้รับก ารจัดวางเป็นกลุ่มที่อยู่ใกล้เคียง กับเพื่อการเคลื่อนที่ไปด้วย กัน22. A device under claim 9 in which a number of nozzles are arranged in a group close together for movement together.
23. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 9 ที่ซึ่งหัวฉีดได้รับการทำให้มีโ ครงสร้างและได้รับการจัดการเพื่อ การเคลื่อนที่แบบแยกต่างหากจากก ัน23. The device under claim 9 where the nozzles are structured and arranged for independent movement.
24. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 4 ที่ซึ่งวิถีทางรองรับได้รับการท ำให้มีโครงสร้างและได้รับการ จัดการเพื่อจัดวางตัวซับสเทรทในต่ำแ หน่งที่เลือกโดยสัมพัทธ์กับวิถีทางจัดส่ง24. A device under claim 4 where the support pathway is structured and manipulated to position the substrate in a position chosen relative to the delivery pathway.
25. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 4 ที่ซึ่งวิถีทางรองรับประกอบรวมด ้วยชิ้นส่วนสำหรับการให้ ความร้อนกับซับสเทรท25. The device under claim 4, in which the support pathway includes components for heating the substrate.
26. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 25 ที่ซึ่งชิ้นส่วนสำหรับการให้ควา มร้อนประกอบรวมเป็นชิ้น เดียวกับซับสเทรท26. A device under claim 25 in which the heating element is integrated as a single unit with the substrate.
27. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งห้องประกอบรวมด้วยสถานีจ ำนวนหนึ่งที่ติดต่อกันเพื่อ จัดเตรียมเป็นห้องดังกล่าว27. The equipment under Claim 1, where the room consists of a number of interconnected stations to be arranged as such room.
28. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 27 ที่ซึ่งแต่ละสถานีของสถานีจำนว นหนึ่งเป็นชุดที่แยกต่างหากที่ นำมาใช้เพื่อทำให้เกิดกิริยาร่วม กับสถานีจำนวนหนึ่งอย่างน้อยที่สุดหนึ่งสถานี28. The device under claim 27 where each of the number of stations is a separate set used to cause interaction with at least one of the number of stations.
29. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 27 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยชุดประกอ บสำหรับการขนส่งเพื่อ การขนส่งซับสเทรทไประหว่างหรือไปท่ามกลางส ถานีจำนวนหนึ่ง29. The instrument under claim 27 is further assembled with components for transporting the substrate between or among a number of stations.
30. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 27 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยวิถีทางร องรับที่นำมาใช้เพื่อรองรับ และทำให้ซับสเทรทเคลื่อนที่ไประหว่า งและไปท่ามกลางสถานีจำนวนหนึ่งในห้อง30. The device under claim 27 is further incorporated with a support mechanism that is used to support and enable the substrate to move between and among a number of stations in the room.
31. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 29 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยชุดประกอ บควบคุมที่จัดวางไว้เพื่อ ทำให้เกิดกิริยาร่วมกับชุดประกอบสำหรั บการขนส่งเพื่อควบคุมการขนส่งของซับสเทรทไปสู่และ ออกจากชุดประก อบสำหรับการขนส่ง31. The instrument under claim 29 is further incorporated with a control assembly arranged to interact with the transport assembly to control the transport of the substrate to and from the transport assembly.
32. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 31 ที่ซึ่งชุดประกอบสำหรับการขนส่ งประกอบรวมด้วยช่อง ทางเข้าสำหรับเวเฟอร์ที่จะได้รับการนำเข้าสู ่ชุดประกอบสำหรับการขนส่ง และช่องทางออกสำหรับ เวเฟอร์ผ่านการปฏ ิบัติเพื่อให้ได้รับการนำออกจากชุดประกอบสำหรับการขนส่ง32. The device under claim 31, in which the transport assembly is included, has an inlet channel for wafers to be brought into the transport assembly and an outlet channel for wafers to be removed from the transport assembly.
33. เครื่องตามข้อถือสิทธิที่ 1 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยวิถีทางรอ งรับที่จัดวางอยู่ในห้องเพื่อ รองรับและจัดวางตำแหน่งของซับสเทร ทโดยสัมพัทธ์กับวิถีทางจัดส่ง33. The instrument under claim 1 is further incorporated with supporting pathways arranged in the chamber to support and position the substrate relative to the delivery pathways.
34. เครื่องสำหรับการปฏิบัติต่อซับสเทรทประกอบรวมด้วยวิถีทางจัดส ่งสำหรับการให้ความ ร้อน สารไครโอเจนและตัวทำปฏิกิริยาที่เป็นขอ งไหล วิถีทางจัดส่งที่จัดวางอยู่ในห้องที่ซึ่งซับสเทรท ได้รับกา รจัดวางไว้เพื่อการปฏิบัติต่อพื้นผิวอย่างน้อยที่สุดหนึ่งด้านข องซับสเทรท34. The substrate treatment equipment includes delivery routes for heating, cryogen, and fluid reagents. These delivery routes are housed in a chamber where the substrate is arranged for treatment of at least one surface.
35. เครื่องสำหรับการปฏิบัติต่อซับสเทรทประกอบรวมด้วยวิถีทางจัด ส่งสำหรับการให้ความ ร้อนและสารไครโอเจน วิถีทางจัดส่งที่จัดวา งอยู่ในห้องที่ซึ่งซับสเทรทได้รับการจัดวางไว้เพื่อการ ปฏิบัติต ่อพื้นผิวอย่างน้อยที่สุดหนึ่งด้านของซับสเทรท35. The substrate treatment equipment includes delivery pathways for heating and cryogenation. These delivery pathways are housed in a chamber where the substrate is placed for treatment of at least one surface of the substrate.
36. เครื่องสำหรับการปฏิบัติต่อซับสเทรทประกอบรวมด้วยวิถีทางจัด ส่งสำหรับการให้ความ ร้อนและตัวทำปฏิกิริยาที่เป็นของไหล วิถีท างจัดส่งที่จัดวางอยู่ในห้องที่ซึ่งซับสเทรทได้รับการจัด วางไว้ เพื่อการปฏิบัติต่อพื้นผิวอย่างน้อยที่สุดหนึ่งด้านของซับสเทรท36. The substrate treatment equipment includes delivery pathways for heating and the fluid reactant. The delivery pathways are arranged in a chamber where the substrate is positioned for treatment of at least one surface of the substrate.
37. วิธีการสำหรับการปฏิบัติต่อซับสเทรทประกอบรวมด้วยการจัดวางซ ับสเทรทในห้อง และการจัดเตรียมให้มีความร้อนและสารอย่างน้อยที่ส ุดหนึ่งชนิดที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย สารไครโอเจน ตัวทำป ฏิกิริยาที่เป็นของไหลและสารเหล่านี้ผสมรวมกันในห้องดังกล่าวสำ หรับ ปฏิบัติต่อพื้นผิวอย่างน้อยที่สุดหนึ่งด้านของซับสเทรท37. The procedure for treating the substrate involves placing the substrate in a chamber and providing heat and at least one substance selected from a group consisting of cryogens, fluid reactants, and these substances, mixed together in the chamber, for the treatment of at least one surface of the substrate.
38. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 37 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยการควบคุ มการไหลของอากาศให้ ขนานอย่างแท้จริงกับพื้นผิวอย่างน้อยที่สุดห นึ่งด้านของซับสเทรท38. The method under claim 37 is further comprising the control of the airflow to be truly parallel to at least one side of the substrate surface.
39. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 37 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยการลดควา มดันในห้องจนถึงความ ดันที่ต่ำกว่าความดันภายนอกห้อง39. The procedure under claim 37 is further comprising the reduction of the pressure in the room to a pressure lower than the external pressure.
40. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 37 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยการรองรั บซับสเทรทไว้ในห้อง เพื่อให้มีการจัดวางตัวเบบเลือกได้สำหรับการ ปฏิบัติในห้อง40. The method under claim 37 is further incorporated with the support of a substrate within the room to allow for the placement of selectable components for room operation.
41. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 37 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยการขจัดป ระจุไฟฟ้าสถิตในห้อง และซับสเทรทอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วน41. The method under claim 37 is further comprising the elimination of static electricity in the room and at least one portion of the substrate.
42. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 37 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยการจัดให ้มีการแผ่รังสีแม่เหล็ก ไฟฟ้ากับตัวทำปฏิกิริยาที่เป็นของไหลเพ ื่อเพิ่มพูนสภาพไวปฏิกิริยาของตัวทำปฏิกิริยาที่เป็นของไหล ดังก ล่าวกับซับสเทรท42. The method under claim 37 is further comprising the application of electromagnetic radiation to the fluid reactant to enhance the reactivity of the fluid reactant with the substrate.
43. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 37 ที่ซึ่งพื้นผิวอย่างน้อยที่สุด หนึ่งด้านที่ได้รับการปฏิบัติจะได้รับ การทำความสะอาด43. The method pursuant to claim 37 in which at least one surface treated shall be cleaned.
44. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 37 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยการล้างพ ื้นผิวอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ด้านที่ได้รับการปฏิบัติ44. The procedure under Claim 37 is further comprising the cleaning of at least one treated surface.
45. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 44 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยการทำให้แห้ งบนพื้นผิวที่ได้รับ การล้าง45. The method under claim 44 is further comprising drying on the washed surface.
46. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 44 ที่ซึ่งการล้างจะกระทำด้วยสาร อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดที่เลือก มาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยน้ำที ่ขจัดไอออนแล้ว ตัวทำละลายอินทรีย์และสารเหล่านี้ผสมรวมกัน46. The method according to claim 44 in which the washing is performed with at least one substance selected from the group consisting of deionized water, an organic solvent and these substances are mixed together.
47. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 37 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยการกรองบ รรยากาศของห้อง47. The method under claim 37 is further combined with the filtering of the room's atmosphere.
48. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 37 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยการก่อเก ิดการแผ่รังสีแม่เหล็ก ไฟฟ้าเพื่อการเกิดกิริยาร่วมกับตัวทำปฏิก ิริยาที่เป็นของไหล48. The method under claim 37 is further combined with the generation of electromagnetic radiation for interaction with a fluid reactor.
49. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 37 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยการทำให้ ซับสเทรทเคลื่อนที่ไปใน ห้องเพื่อการปฏิบัติต่อซับสเทรท49. The procedure under claim 37 is further comprising the movement of the substrate into a chamber for the treatment of the substrate.
50. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 37 ที่ซึ่งห้องประกอบรวมด้วยสถานี ที่แยกต่างหากจำนวนหนึ่งซึ่ง ติดต่อกันเพื่อการจัดเตรียมเป็นห้อ ง50. The method under claim 37 where the room is composed of a number of separate stations which are connected for the purpose of arranging the room.
51. วิธีการสำหรับการปฏิบัติต่อซับสเทรทประกอบรวมด้วยการจัดวางซ ับสเทรทลงในห้อง และการให้ความร้อน สารไครโอเจนและตัวทำปฏิกิริย าที่เป็นของไหลในห้องดังกล่าวเพื่อการปฏิบัติ ต่อพื้นผิวอย่างน้ อยที่สุดหนึ่งด้านของซับสเทรทที่จะได้รับการปฏิบัติ51. The procedure for treating the substrate involves placing the substrate in a chamber and heating the cryogen and fluid reactants in the chamber to treat at least one surface of the substrate to be treated.
52. วิธีการสำหรับการปฏิบัติต่อซับสเทรทประกอบรวมด้วยการจัดวางซ ับสเทรทลงในห้อง และการให้ความร้อนและสารไครโอเจนในห้องที่ซึ่ง ซับสเทรทจะได้รับการจัดวางเพื่อการปฏิบัติต่อ พื้นผิวอย่างน้อยท ี่สุดหนึ่งด้านของซับสเทรท52. The procedure for treating the substrate involves placing the substrate in a chamber and heating and cryogenically applying the solution to the chamber where the substrate is positioned for treatment. At least one side of the substrate surface must be treated.
53. วิธีการสำหรับการปฏิบัติต่อซับสเทรทประกอบรวมด้วยการจัดวางซ ับสเทรทลงในห้อง และการให้ความร้อนและตัวทำปฏิกิริยาที่เป็นของ ไหลในห้องที่ซึ่งซับสเทรทจะได้รับการจัดวางเพื่อ การปฏิบัติต่อพ ื้นผิวอย่างน้อยที่สุดหนึ่งด้านของซับเสทรท53. The procedure for treating the substrate involves placing the substrate in a chamber and heating it with a fluid reactant in the chamber where the substrate is positioned for treatment of at least one surface.