TH70157A - กรรมวิธีสำหรับการเตรียมวัสดุคอมโพสิท - Google Patents

กรรมวิธีสำหรับการเตรียมวัสดุคอมโพสิท

Info

Publication number
TH70157A
TH70157A TH401001689A TH0401001689A TH70157A TH 70157 A TH70157 A TH 70157A TH 401001689 A TH401001689 A TH 401001689A TH 0401001689 A TH0401001689 A TH 0401001689A TH 70157 A TH70157 A TH 70157A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
substrate
under
composite materials
vapor deposition
layer
Prior art date
Application number
TH401001689A
Other languages
English (en)
Inventor
จาห์โรมี นายชาฮับ
Original Assignee
ดีเอสเอ็ม ไอพี แอสเซ็ทส์ บีวี
นางสาวชลิตา ชมะโชติ
นายสมพร เหลี่ยมป้อ
Filing date
Publication date
Application filed by ดีเอสเอ็ม ไอพี แอสเซ็ทส์ บีวี, นางสาวชลิตา ชมะโชติ, นายสมพร เหลี่ยมป้อ filed Critical ดีเอสเอ็ม ไอพี แอสเซ็ทส์ บีวี
Publication of TH70157A publication Critical patent/TH70157A/th

Links

Abstract

DC60 (29/07/47) การประดิษฐ์เกี่ยวข้องต่อกรรมวิธีสำหรับการเตรียมวัสดุคอมโพสิท, วัสดุคอมโพสิทดังกล่าว ประกอบด้วยซับสเตรท และแผ่น ชั้นบนซับสเตรท, ประกอบด้วยขั้นตอนสะสมตัวด้วยไอระเหยที่ ซึ่ง สารประกอบที่ประกอบด้วยสารประกอบไตรอาซีนถูกทำให้สะสม ตัวบนซับสเตรทที่ความดันต่ำกว่า 1000 Pa, ที่ซึ่งเกิดแผ่น ชั้น, โดยที่ระหว่างขั้นตอนการสะสมตัวด้วยไอระเหยอุณหภูมิ ของซับสเตรทอยู่ ระหว่าง -15 องศาเซลเซียส และ +125 องศา เซลเซียส การประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องต่อวัสดุคอมโพสิท, อันสามารถได้ มาโดยกรรมวิธีดังที่เปิดเผย การประดิษฐ์เกี่ยวข้องต่อกรรมวิธีสำหรับการเตรียมวัสดุคอมโพสิท, วัสดุคอมโพสิทดังกล่าว ประกอบด้วยซับสเตรท และแผ่น ชั้นบนซับสเตรท, ประกอบด้วยขั้นตอนสะสมตัวด้วยไอระเหยที่ ซึ่ง สารประกอบที่ประกอบด้วยสารประกอบไตรอาซีนถูกทำให้สะสม ตัวบนซับสเตรทที่ความดันต่ำกว่า 1000 Pa, ที่ซึ่งเกิดแผ่น ชั้น, โดยที่ระหว่างขั้นตอนการสะสมตัวด้วยไอระเหยอุณหภูมิ ของซับสเตรทอยู่ ระหว่าง -15 องศาเซลเซียส และ +125 องศา เซลเซียส การประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องต่อวัสดุคอมโพสิท, อันสามารถได้ มาโดยกรรมวิธีดังที่เปิดเผย

Claims (18)

1. กรรมวิธีสำหรับการเตรียมวัสดุคอมโพสิท, วัสดุคอมโพสิทดังกล่าวประกอบด้วย ซับสเตรท และแผ่นชั้นบนซับสเตรท, ประกอบ ด้วยขั้นตอนสะสมตัวด้วยไอระเหยที่ซึ่งสารประกอบ ที่ประกอบ ด้วยสารประกอบไตรอาซีนถูกทำให้สะสมตัวบนซับสเตรทที่ความดัน ต่ำกว่า 1000 Pa, ที่ ซึ่งเกิดแผ่นชั้น, มีลักษณะที่ระหว่างขั้น ตอนการสะสมตัวด้วยไอระเหยอุณหภูมิของซับสเตรทอยู่ ระหว่าง -15 องศาเซลเซียส และ +125 องศาเซลเซียส
2. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิ 1, ที่ซึ่งระหว่างขั้นตอนการสะ สมตัวด้วยไอระเหยอุณหภูมิของ ซับสเตรทอยู่ระหว่าง 0 องศา เซลเซียส และ +50 องศาเซลเซียส
3. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2, ที่ซึ่งขั้นตอนการสะ สมตัวด้วยไอระเหยถูกกระทำที่ ความดันต่ำกว่า 5x10-3 Pa
4. กรรมวิธีตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ1-3, ที่ซึ่ง สารประกอบไตรอาซีนประกอบด้วย เมลามีน, เมแลม, เมเลม, เ มลอน, เมลามีนที่ถูกฟังก์ชั่นแนลไลซ์ ด้วยหมู่ที่สามารถ เป็นโพลีเมอร์ได้, เกลือเมลามีน , หรือของผสมของมัน
5. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิ 4, ที่ซึ่งสารประกอบไตรอาซีน ประกอบด้วยเมลามีน
6. กรรมวิธีตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1-5, ที่ซึ่ง ก่อนขั้นตอนสะสมตัวด้วยไอระเหย, ซับสเตรทถูกกระทำด้วย พลาสมา,โคดรนา, รังสี UV, ลำอิเลกตรอน
7. กรรมวิธีตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1-6, ที่ซึ่ง ก่อนขั้นตอนสะสมด้วยไอระเหย, ซับสเตรทถูกระทำด้วยรีแอคทีพ แก๊ส
8. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิ 7, ที่ซึ่งรีแอคทีพ แก๊สประกอบ ด้วยน้ำ และ/ หรือ ฟอร์มมาลดีไฮด์
9. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิ 8, ที่ซึ่งซับสเตรทคือ วัสดุ คอมโพสิทที่ประกอบด้วยแผ่นชั้น อะลูมิเนียม-โดยสารประกอบที่ ประกอบด้วยไตรอาซีนจะถูกทำให้สะสมตัวด้วยไอระเหยบนแผ่นชั้น ที่ประกอบด้วยอะลูมิเนียม-และรีแอคทีพ แก๊สประกอบด้วยน้ำ
10. กรรมวิธีตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1-9, ที่ซึ่ง แผ่นชั้นถูกกระทำด้วยพลาสมา, โคโรนา, รังสี UV, ลำอิเลคตรอน
11. กรรมวิธีตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ1-10, ที่ซึ่ง แผ่นชั้นถูกกระทำด้วยรีแอคทีพ แก๊ส
12. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิ11, ที่ซึ่งรีแอคทีพ แก๊ส ประกอบด้วยน้ำ และ/หรือ ฟอร์มาลดีไฮด์
13. กรรมวิธีตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ1-12, ที่ซึ่ง หลังขั้นตอนสะสมตัวด้วยไอระเหย, แผ่นชั้นที่สองถูกเพิ่มเข้า ลงยังส่วนบนของแผ่นชั้นที่มีอยู่
14. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิ 13, ที่ซึ่งแผ่นชั้นที่สะสม ด้วยไอระเหยตามข้อใดข้อหนึ่งของ ข้อถือสิทธิ 1-11 ถูกใช้ เป็นเสมือนแผ่นชั้นระหว่างกลาง
15. วัสดุคอมโพสิท, ที่ได้มาโดยกรรมวิธีตามข้อใดข้อหนึ่ง ของข้อถือสิทธิ 1-14
16. วัสดุคอมโพสิทตามข้อถือสิทธิ 15, ที่ซึ่งซับสเตรท ประกอบด้วยโพลีเมอริก ฟิล์ม, โดย เฉพาะอย่างยิ่ง โพลีโพรพิ ลีน ฟิล์มที่ถูกจับตัวแบบแกนคู่
17. วัสดุคอมโพสิทตามข้อถือสิทธิ 16, ที่ซึ่งซับสเตรท ประกอบด้วยแผ่นชั้นที่สะสมตัวด้วย ไอระเหยที่ประกอบด้วยอะลูมิเนียม หรือ อะลูมิเนียม ออกไซด์ หรือซิลิคอน ออกไซด์, ที่ซึ่งสาร ประกอบอันประกอบด้วยสารประกอบไตรอาซีน ถูกทำให้สะสมตัวด้วย ไอระเหยลงบนแผ่นชั้นที่ ประกอบด้วยอะลูมิเนียม หรือ อะลูมิเนียม ออกไซด์ หรือซิลิคอน ออกไซด์
18. การใช้วัสดุคอมโพสิทตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ 15-17 ในการบรรจุหีบห่อ, โดย เฉพาะอย่างยิ่งในการบรรจุหีบ ห่ออาหาร
TH401001689A 2004-05-13 กรรมวิธีสำหรับการเตรียมวัสดุคอมโพสิท TH70157A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH70157A true TH70157A (th) 2005-08-17

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4987717B2 (ja) コーティングを有する基板及びその調製方法
KR101179167B1 (ko) 다공성 유기실리케이트 막을 형성시키는 방법
CA2525875A1 (en) Process for preparing a composite material
TWI514641B (zh) 用於電子裝置或其他物件上之塗層中之混合層
TWI710659B (zh) 矽氧烷組合物及使用該組合物沉積含矽膜的方法
KR100602337B1 (ko) 장벽층과 기재를 포함하는 복합 재료
JP2020205293A (ja) 太陽電池モジュール
CN100545298C (zh) 复合材料的制备方法
JP2017024369A (ja) ガスバリア性フィルム
Kwon et al. Al2O3/TiO2 multilayer passivation layers grown at low temperature for flexible organic devices
Körner et al. Oxygen permeation, mechanical and structural properties of multilayer diffusion barrier coatings on polypropylene
US20220204711A1 (en) Process for preparation of oxygen barrier film
Ngamou et al. On the enhancement of pervaporation properties of plasma-deposited hybrid silica membranes
Soto et al. Carbon nitride films prepared by guanazole laser ablation in ammonia atmosphere
Demin et al. New laser plasma process to obtain solid coatings and their structural characteristics
JP2002046209A (ja) バリア性積層フィルム
Kim et al. Effects of Plasma Polymer Films and Their Deposition Powers on the Barrier Characteristics of the Multilayer Encapsulation for Organic Devices
Kim et al. Fabrication and characterization of the barrier film having excellent moisture barrier characteristics using polysilazane
US8053375B1 (en) Super-dry reagent compositions for formation of ultra low k films
Yokoyama et al. A new ceramic-coated barrier film by dual element electron beam evaporation
KR101474601B1 (ko) 고분자막 및 이의 제조방법
Checchetto et al. Deuterium effusion from nanocrystalline boron nitride thin films
Bieder PECVD of SıOx films from oxygen and hexamethyldisiloxane in a double source reactor
Neubert et al. Organic materials for the use in optical layer systems
CN114318292A (zh) 一种利用化学气相沉积法包覆阻燃性膜层的方法