TH6612A3 - ไมโครคานติลิเวอร์ที่มีโครงสร้างอิสระแบบปลายเปิดของแบเรียมเซอร์โคเนตไทเทเนต - Google Patents

ไมโครคานติลิเวอร์ที่มีโครงสร้างอิสระแบบปลายเปิดของแบเรียมเซอร์โคเนตไทเทเนต

Info

Publication number
TH6612A3
TH6612A3 TH1003001295U TH1003001295U TH6612A3 TH 6612 A3 TH6612 A3 TH 6612A3 TH 1003001295 U TH1003001295 U TH 1003001295U TH 1003001295 U TH1003001295 U TH 1003001295U TH 6612 A3 TH6612 A3 TH 6612A3
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
zirconate titanate
layer
substrate
microcantiliver
barium
Prior art date
Application number
TH1003001295U
Other languages
English (en)
Other versions
TH6612C3 (th
Inventor
มุรศิต นางนันทกาญจน์
บินหะยีนิยิ นางสาวนวัล
Original Assignee
นางสาวอรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล
นายชาญชัย นีรพัฒนกุล
นางสาวอรกนก พรรณรักษา
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวอรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล, นายชาญชัย นีรพัฒนกุล, นางสาวอรกนก พรรณรักษา filed Critical นางสาวอรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล
Publication of TH6612A3 publication Critical patent/TH6612A3/th
Publication of TH6612C3 publication Critical patent/TH6612C3/th

Links

Abstract

DC60 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับไมโครคานติลิเวอร์ทีทำจากวัสดุไพอิโซเซรามิกไร้สารตะกั่วชนิดแบเรียม เซอร์โคเนตไททาเนต ซึ่งเป็นมิตรกับสิ่งแวดล้อม และมีโครงสร้างแบบอิสระ(free-standing) ทำให้ชั้น แบเรียมเซอร์โคเนตไทเทเนตไม่ยึดติดกับชั้นอื่นๆ เมื่อป้อนสนามไฟฟ้าคานติลิเวอร์จะแสดงสมบัติไพอิโซอิ เล็กทริกได้ดี การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับไมโครคานติลิเวอร์ทีทำจากวัสดุไพอิโซเซรามิกไร้สารตะกั่วชนิดแบเรียม เซอร์โคเนตไททาเนต ซึ่งเป็นมิตรกับสิ่งแวดล้อม และมีโครงสร้างแบบอิสระ (free-standing) ทำให้ชั้น แบเรียมเซอร์โคเนตไทเทเนตไม่ยึดติดกับชั้นอื่นๆ เมื่อป้อนสนามไฟฟ้าคานติลิเวอร์จะแสดงสมบัติไพอิโซอิ เล็กทริกได้ดี

Claims (6)

1. ไมโครคานติลิเวอร์ แบบที่มีปลายยื่นในอากาศด้านเดียว ประกอบด้วย - ชั้นซับสเตรท (1) - ชั้นขั้วไฟฟ้าที่หนึ่ง (3) ที่มีปลายด้านหนึ่งเคลือบบนชั้นซับสเตรท (1) และปลายอีกด้านหนึ่งยื่นยาวออกมาขนานกับระนาบของซับสเตรท (1) โดยที่พื้นผิวด้านล่างไม่ สัมผัวกับชั้นซับสเตรท (1) ดังกล่าว ทำให้เกิดช่องว่าง (6) ระหว่างชั้นขั้วไฟฟ้าที่หนึ่ง (3) กับชั้น ซับสเตรท (1) - ชั้นวัสดุไพอิโซอิเล็กทริก (4) เคลือบทับชั้นขั้วไฟฟ้าที่หนึ่ง (3) ดังกล่าว - ชั้นขั้วไฟฟ้าที่สอง (5) เคลือบบนชั้นวัสดุไพโซอิเล็กทริก (4) ดังกล่าว โดยไม่มีส่วนใดสัมผัสกับ ปลายทั้งสองของขั้วไฟฟ้าที่หนึ่ง (1) ที่มีลักษณะเฉพาะคือ ชั้นวัสดุไพอิโซอิเล็กทริก (4) ดังกล่าว คือ แบเรียมเซอร์โคเนตไทเทเนต (Barium Zirconate Titanate, BZT)
2. ไมโครคานติลิเวอร์ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งแบเรียมเซอร์โคเนตไทเทเนตดังกล่าว มีอัตราส่วนโดยโมลของ เซอร์โคเนต ต่อ ไทเทเนต อยู่ในช่อง 0.05 ต่อ 0.95 ถึง 0.20 ต่อ 0.80
3. ไมโครคานติลิเวอร์ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งแบเรียมเซอร์โคเนตไทเทเนตดังกล่าว ที่พึงประสงค์ มีอัตรส่วน โดยโมลของ เซอร์โคเนต ต่อ ไทเทเนต อยู่ในช่วง 0.05 ต่อ 0.95
4. ไมโครคานติลิเวอร์ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งช่องว่าง (6) ดังกล่าว มีระยะห่างระหว่างชั้นขั้วไฟฟ้าที่หนึ่ง (3) กับชั้นซับสเตรต (1) อยู่ในช่วง 30-40 ไมครอน
5. ไมโครคานติลิเวอร์ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งซับสเตรท (1) ดังกล่าว เลือกได้จาก อะลูมินา ซิลิกอน คาร์บอน แก้ว หรือ โลหะ
6. ไมโครคานติลิเวอร์ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นขั้วไฟฟ้าดังกล่าว เลือกได้จาก โลหะทอง เงิน หรือ โลหะ ผสม(metalalloy)
TH1003001295U 2010-12-17 ไมโครคานติลิเวอร์ที่มีโครงสร้างอิสระแบบปลายเปิดของแบเรียมเซอร์โคเนตไทเทเนต TH6612C3 (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH6612A3 true TH6612A3 (th) 2011-09-22
TH6612C3 TH6612C3 (th) 2011-09-22

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011254569A5 (th)
EA201290854A1 (ru) Стеклянный лист с электрическим соединительным элементом
RU2016110829A (ru) Электроподогреваемый каталитический конвертер
JP2009076877A5 (th)
JP2015207754A5 (th)
RU2010141746A (ru) Элемент, покрытый твердым материалом
JP2013168419A5 (th)
EP2495778A3 (en) Terminal electrode forming method and manufacturing method of piezoelectric/electrostrictive element by use thereof
JP2009124791A5 (th)
ATE554486T1 (de) Keramik-chip-anordnung
US20160028348A1 (en) Crystal device
JP2015088521A5 (th)
JP2012238610A5 (th)
EP1835550A3 (en) Package structure for solid-state lighting devices and method of fabricating the same
MY164268A (en) Pane with an electrical connection element
JP2014078558A5 (th)
JP2010287592A5 (ja) 半導体装置
WO2012050876A3 (en) Nanowires for electrophysiological applications
JP2016076798A5 (th)
TW200707484A (en) Laminated ceramic capacitor and manufacturing method therefor
EP2533280A3 (en) Semiconductor device
EP2073284A3 (en) Piezoelectric/electrostrictive membrane element
CN101427393B (zh) 压电/电致伸缩膜型元件
EP2631959A3 (en) Piezoelectric element and method for manufacturing the same
BRPI0907493B8 (pt) Processo de fabricação de um elemento aquecedor por depósito de camadas finas sobre um substrato isolante e o elemento obtido