TH63288A - วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซึ่งบันทึกสารสนเทศ ตัวกลางซึ่งบันทึกสารสนเทศ และกระบวนการสำหรับการผลิตตัวกลาง - Google Patents

Abstract

DC60 (25/06/46) วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซึ่งบันทึกสารสนเทศ ซี่งวัสดุฐานรองถูกสร้างด้วยแก้วที่มี ความต้านทานความร้อนสูงและปริมาณ สำหรับการชะอัลคาไลต่ำและเหมาะสมในฐานะเป็นวัสดุ- ฐานรอง สำหรับการสร้างชั้นที่มีแบบวิธีสำหรับการบันทึกแม่เหล็กแบบ ตั้งฉากบนนั้นที่อุณหภูมิสูง ด้วยเครื่องจักรสำหรับการฉาบ ด้วยโลหะ วัสดุฐานรองซึ่งถูกสร้างด้วยแก้วซึ่งประกอบด้วย ออกไซด์ของโลหะอัลคาไลซึ่งมีอุณหภูมิเปลี่ยนสภาพแล้ว (Tg) เป็น 620 องศาเซลเซียส หรือสูงกว่าและ การทำให้พอ ใจความต้องการว่าปริมาณสำหรับการชะอัลคาไลต่อพื้นที่หนึ่ง หน่วยเมื่อแก้วถูกจุ่มใน น้ำซึ่งมีอุณหภูมิเป็น 80 องศาเซลเซียส เป็น เวลา 24 ชั่วโมง เป็น 0.2 (มิว)mol/cm2 หรือน้อยกว่า และตัว กลางซึ่ง บันทึกสารสนเทศซึ่งมีชั้นซึ่งบันทึกสารสนเทศที่ถูก สร้างบนวัสดุฐานรอง และกระบวนการสำหรับ การผลิตตัวกลางซึ่ง บันทึกสารสนเทศ วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซี่งบันทึกสารสนเทศ ซี่งวัสดุฐานรองถูกสร้างด้วยแก้วที่มี ความต้านทานความร้อนสูงและปริมาณ สำหรับการชะอัลคาไลต่ำและเหมาะสมในฐานะเป็นวัสดุ- ฐานรอง สำหรับการสร้างชั้นที่มีแบบวิธีสำหรับการบันทึกแม่เหล็กแบบ ตั้งฉากบนนั้นที่อุณหภูมิสูง ด้วยเครื่องจักรสำหรับการฉาบ ด้วยโลหะ วัสดุฐานรองซี่งถูกสร้างด้วยแก้วซี่งประกอบด้วย ออกไซด์ของโลหะอัลคาไลซี่งมีอุณหภูมิเปลี่ยนสภาพแล้ว (Tg) เป็น 620 ํC หรือสูงกว่าและ การทำให้พอ ใจความต้องการว่าปริมาณสำหรับการชะอัลคาไลต่อพื้นที่หนี่ง หน่วยเมื่อแก้วถูกจุ่มใน น้ำซี่งมีอุณหภูมิเป็น 80 ํC เป็น เวลา 24 ชั่วโมง เป็น 0.2 มิวmol/cm2 หรือน้อยกว่า และตัว กลางซี่ง บันทึกสารสนเทศซี่งมีชั้นซี่งบันทึกสารสนเทศที่ถูก สร้างบนวัสดุฐานรอง และกระบวนการสำหรับ การผลิตตัวกลางซี่ง บันทึกสารสนเทศ

Claims (2)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :แก้ไข 21/12/2559 1. วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซึ่งบันทึกสารสนเทศ ซึ่งวัสดุฐานรองถูกสร้างด้วยแก้วซึ่ง ประกอบด้วยออกไซด์ของโลหะอัลคาไลที่ถูกก่อรูปจาก Si02, A12O3, CaO, BaO, K2O, MgO, SrO, TiO2, ZrO2, Li2O, Na2O และ ZnO ซึ่งไม่มีชั้นที่ได้รับการทำให้แข็งแรงทางเคมี และที่ซึ่งแก้วซึ่ง ประกอบด้วยออกไซด์ของโลหะอัลคาไลโดยส่วนใหญ่ประกอบด้วย SiO2 มากกว่า 50 โมลเปอร์เซ็นต์ แต่ไม่มากกว่า 70 โมลเปอร์เซ็นต์, A12O3 1 ถึง 12 โมลเปอร์เซ็นต์, CaO 2 ถึง 25 โมลเปอร์เซ็นต์, BaO มากกว่า 0 โมลเปอร์เซ็นต์แต่ไม่มากกว่า 15 โมลเปอร์เซ็นต์, K2O 3 ถึง 15 โมลเปอร์เซ็นต์, MgO 0 ถึง 10 โมลเปอร์เซ็นต์, SrO 0 ถึง 15 โมลเปอร์เซ็นต์, TiO2 0 ถึง 10 โมลเปอร์เซ็นต์, ZnO2 0 ถึง 12 โมล เปอร์เซ็นต์, Li2O 0 ถึงน้อยกว่า 1 โมลเปอร์เซ็นต์, Na2O 0 ถึง 8 โมลเปอร์เซ็นต์ และ ZnO 0 ถึง 1 โมล เปอร์เซ็นต์ ด้วยเงื่อนไขที่ว่า BaO มีอยู่ในปริมาณมากกว่า 5 เปอร์เซ็นต์โดยนํ้าหนัก แก้วซึ่งมีอุณหภูมิ เปลี่ยนสภาพแก้ว (Tg) เป็น 620 ํc หรือสูงกว่าและซึ่งเป็นไปตามความต้องการว่าปริมาณสำหรับการ ชะไอออนของโลหะอัลคาไลต่อพื้นที่หนึ่งหน่วยเมื่อแก้วถูกจุ่มในนํ้าซํ่งมีอุณหภูมิเป็น 80 ํc เป็นเวลา 24 ชั่วโมง เป็น 0.2 (สูตร)mo1/cm2 หรือน้อยกว่า 2. วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซึ่งบันทึกสารสนเทศ ซึ่งวัสดุฐานรองถูกสร้างด้วยแก้วซึ่ง ประกอบด้วยออกไซด์ของโลหะอัลคาไลที่ถูกก่อรูปจาก SiO2, A12O3, CaO, BaO, K2O, MgO, SrO, TiO2, ZrOj, Li2O, Na2O และ ZnO ชั่งมีชั้นที่ได้รับการทำให้แข็งแรงทางเคมีในผิวหน้าของมัน และที่ ซึ่งแก้วซึ่งประกอบด้วยออกไซด์ของโลหะอัลคาไลโดยส่วนใหญ่ประกอบด้วย SiO2 มากกว่า 50 โมล เปอร์เซ็นต์ แต่ไม่มากกว่า 70 โมลเปอร์เซ็นต์, A12O3 1 ถึง 10 โมลเปอร์เซ็นต์, CaO 2 ถึง 25 โมล เปอร์เซ็นต์, BaO 1 ถึง 15 โมลเปอร์เซ็นต์, K2O 3 ถึง 15 โมลเปอร์เซ็นต์, MgO 0 ถึง 3 โมลเปอร์เซ็นต์, SrO 0 ถึง 15 โมลเปอร์เซ็นต์, TiO2 0 ถึง 10 โมลเปอร์เซ็นต์, ZrO2 มากกว่า 0 โมลเปอร์เซ็นต์ แต่ไม่ มากกว่า 12 โมลเปอร์เซ็นต์, Li2O 0 ถึงน้อยกว่า 1 โมลเปอร์เซ็นต์, Na2O 1 ถึง 8 โมลเปอร์เซ็นต์ และ ZnO 0 ถึง 1 โมลเปอร์เซ็นต์ ปริมาณทั้งหมดของ SiO2, A12O3 และ ZrO2 มากกว่า 70 เปอร์เซ็นต์โดย นํ้าหนัก ด้วยเงื่อนไขที่ว่า BaO มีอยู่ในปริมาณมากกว่า 5 เปอร์เซ็นต์โดยนำหนัก แก้วซึ่งมีอุณหภูมิ เปลี่ยนสภาพแก้ว (Tg) เป็น 620 ํc หรือสูงกว่าและซึ่งเป็นไปตามความต้องการว่าปริมาณสำหรับการ ชะไอออนของโลหะอัลคาไลต่อพื้นที่หนึ่งหน่วยเมื่อแก้วถูกจุ่มในนํ้าซึ่งมีอุณหภูมิเป็น 80 ํc เป็นเวลา 24 ชั่วโมง เป็น 0.2 (สูตร)mo1/cm2 หรือน้อยกว่า 3. วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซึ่งบันทึกสารสนเทศดังที่ระบุไว่ไนข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 ซึ่ง มีสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนเชิงเส้นเฉลี่ย (สูตร) ที่ถูกวัดที่อุณหภูมิ 100 ถึง 300 ํc เป็น 70x10-7/ ํC หรือมากกว่า 4. วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซึ่งบันทึกสารสนเทศดังที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 ที่ ซึ่งแก้วซึ่งประกอบด้วยออกไซด์ของโลหะอัลคาไลมีความถ่วงจำเพาะ 3.5 หรือน้อยกว่า ------ 1. วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซี่งบันทึกสารสนเทศ ซี่งวัสดุฐานรองถูกสร้างด้วย แก้วซี่งประกอบด้วยออกไซด์ของโลหะอัล คาไล แก้วซี่งมีอุณหภูมิเปลี่ยนสภาพแก้ว (Tg) เป็น 620 ํC หรือสูงกว่าและซี่งความพอใจความต้องการว่าปริมาณสำหรับการ ชะอัลคาไลต่อพื้นที่หนี่งหน่วย เมื่อแก้วถูกจุ่มในน้ำซี่งมี อุณหภูมิเป็น 80 ํC เป็นเวลา 24 ชั่วโมง เป็น 0.2 มิวmol/cm2 หรือน้อยกว่า 2. วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซี่งบันทึกสารสนเทศ ดังที่ถูก ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซี่งแก้วซี่งประกอบด้วย ออกไซด์ของโลหะอัลคาไลประกอบด้วย SiO2, Al2O3, CaO, BaO และ K2O ในฐานะเป็นส่วนประกอบที่สำคัญ 3. วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซี่งบันทึกสารสนเทศ ดังที่ถูก ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซี่งแก้วซี่งประกอบด้วย ออกไซด์ของโลหะอัลคาไลประกอบด้วย SiO2, Al2O3, CaO, BaO, K2O, MgO, SrO, TiO2, ZrO2, Li2O, Na2O และ ZnO 4. วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซี่งบันทึกสารสนเทศ ดังที่ถูก ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 3 ซี่งไม่มีชั้นที่ได้รับการทำให้ แข็งแรงทางเคมี และในที่ซีงแก้วซี่งประกอบด้วยออกไซด์ของโ ละ อัลคาไลโดยส่วนใหญ่ประกอบด้วย SiO2 มากกว่า 50 โมล เปอร์เซ็นต์ แต่ไม่มากกว่า 70 โมล เปอร์เซ็นต์, Al2O3 1 ถึง 12 โมลเปอร์เซ็นต์, CaO 2 ถึง 25 โมลเปอร์เซ็นต์, BaO มาก กว่า 0 แต่ไม่ มากกว่า 15 โมลเปอร์เซ็นต์, K2O3 ถึง 15 โมล เปอร์เซ็นต์, MgO 0 ถึง 10 โมลเปอร์เซ็นต์, SrO 0 ถึง 15 เปอร์เซ็นต์, TiO2 0 ถึง 10 โมลเปอร์เซ็นต์, ZrO2 มากกว่า 0 ถึง 12 โมล เปอร์เซ็นต์, Li2O 0 ถึงน้อยกว่า 1 โมลเปอร์เซ็นต์, Na2O 1 ถึง 8 โมลเปอร์เซ็นต์ และ ZnO 0 ถึง 1 โมลเปอร์เซ็นต์ 5. วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซี่งบันทึกสารสนเทศ ดังที่ถูก ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 3 ซี่งมีชั้นที่ได้รับการทำให้แข็ง แรงทางเคมีในพื้นผิวของสิ่งเหล่านี้และในที่ซี่งแก้วซี่ง ประกอบด้วย ออกไซด์ของโลหะอัลคาไลโดยส่วนใหญ่ประกอบด้วย SiO2 มากกว่า 50 โมลเปอร์เซ็นต์ แต่ไม่ มากกว่า 70 โมล เปอร์เซ็นต์, Al2O3 2 ถึง 12 โมลเปอร์เซ็นต์, CaO 2 ถึง 25 โมลเปอร์เซ็นต์, BaO 1 ถึง 15 โมลเปอร์เซ็นต์, K2O 3 ถึง 15 โมลเปอร์เซ็นต์, MgO 0 ถึง 3 โมลเปอร์เซ็นต์, SrO 0 ถึง 15 โมลเปอร์ เซ็นต์, TiO2 0 ถึง 10 โมลเปอร์เซ็นต์, ZrO2 มากกว่า 0 แต่ ไม่มากกว่า 12 โมลเปอร์เซ็นต์, Li2O 0 ถึงน้อยกว่า 1 โมล เปอร์เซ็นต์, Na2O 1 ถึง 8 โมลเปอร์เซ็นต์ และ ZnO 0 ถึง 1 โมล เปอร์เซ็นต์ปริมาณทั้งหมดของ SiO2, Al2O3 และ ZrO2 มาก กว่า 70 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก 6. วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซี่งบันทึกสารสนเทศ ดังที่ถูก ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 3 ซี่งมีชั้นที่ได้รัการทำให้แข็บแรง ทางเคมีในพื้นผิวของสิ่งเหล่านี้และในที่ซี่งแก้วซีงประกอบ ด้วย ออกไซด์ของโลหะอัลคาไลโดยส่วนใหญ่ประกอบด้วย SiO2 มาก กว่า 50 โมลเปอร์เซ็นต์ แต่ไม่ มากกว่า 70 โมลเปอร์เซ็นต์, Al2O3 1 ถึง 10 โมลเปอร์เซ็นต์, CaO 15 ถึง 25 โมล เปอร์เซ็นต์, BaO 1 ถึง 15 โมลเปอร์เซ็นต์, K2O 0 ถึง 15 โ มลเปอร์เซ็นต์, MgO 0 ถึง 3 โมลเปอร์เซ็นต์, SrO 0 ถึง 15 โมลเปอร์ เซ็นต์, TiO2 0 ถึง 10 โมลเปอร์เซ็นต์, ZrO2 มากกว่า 0 แต่ ไม่มากกว่า 12 โมลเปอร์เซ็นต์, Li2O 0 ถึงน้อยกว่า 1 โมล เปอร์เซ็นต์, Na2O 1 ถึง 8 โมลเปอร์เซ็นต์ และ ZnO 0 ถึง 1 โมล เปอร์เซ็นต์ 7. วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซี่งบันทึกสารสนเทศดังที่ถูก ระบุในข้อใดข้อหนี่ง ของข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 6 ซี่งมีสัม ประสิทธิการขยายตัวทางความร้อนเชิงเส้นเฉลี่ย (อัลฟา) ที่ ถูกวัดที่ อุณหภูมิเป็น 100 ถึง 300 ํC เป็น 70 x 10-7 / ํC หรือ มากกว่า 8. วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซี่งบันทึกสารสนเทศดังที่ถูก ระบุในข้อใดข้อหนี่ง ของข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 7 ในที่ซีงแว ซี่งประกอบด้วยออกไซด์ของโลหะอัลคาไลมีความถ่วง จำเพาะเป็น 3.5 หรือน้อยกว่า 9. วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซี่งบันทึกสารสนเทศดังที่ถูก ระบุในข้อใดข้อหนี่ง ของข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 8 ซี่งเป็น วัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซีงบันทึกสารสนเทศที่มีแบบวิธี สำหรับการบัทึกแม่เหล็กแบบตั้งฉาก 1 0. ตัวกลางซี่งบันทึกสารสนเทศซี่งประกอบด้วยชั้นซี่งบัน ทึกสารสนเทศที่ถูกสร้าง บนวัสดุฐานรองสำหรับตัวกลางซี่งบัน ทึกสารสนเทศดังที่ถูกระบุในข้อใดข้อหนี่งของข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 9 1

1. ตัวกลางซี่งบันทึกสารสนเทศดังที่ถูกระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 10 ซี่งเป็นตัวกลางซี่ง บันทึกที่เป็นแม่เหล็กแบบตั้ง ฉาก 1

2. กระบวนการสำหรับการผลิตตัวกลางซี่งบันทึกสารสนเทศ ซี่ง ประกอบด้วย ขั้นตอนของการสร้างชั้นซี่งบันทึกสารสนเทศ กระบวนการสำหรับการใช้วัสดุฐานรองสำหรับ ตัวกลางซี่งบันทึก สารสนเทศดังที่ถูกระบุในข้อใดข้อหนี่งของข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 9 และซี่ง ประกอบด้วยการทำให้ร้อนวัสดุฐานรองดังกล่าวไป ยัง 400 ถึง 600 ํC ในขั้นตอนดังกล่าว