Claims (9)
1.สารผสมสารขัดเงาซึ่งประกอบรวมด้วยสื่อชนิดแอคเควียสและอนุภาคซิลิกา, ซึ่งอนุภาค ซิลิกาในสารผสมขัดเงานี้มีศักย์ไฟฟ้าชีตาจาก -15 ถึง 40 มิลลิโวลต์ 2.สารผสมสารขัดเงาตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งอนุภาคซิลิกานี้มีข นาดอนุภาคแบบปฐมภูมิ โดยเฉลี่ยเท่ากับ 1 นาโมเมตรหรือมากกว่าและ ต่ำกว่า 40 นาโนเมตร 3.สารผสมสารขัดเงาตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งซิลิกานี้คือซิลิกา ชนิดคอลลอยด์ 4.สารผสมสารขัดเงาตามข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งสารผสมสารขัดเงานี้ ประกอบรวมด้วยสาร ปรับศักย์ไฟฟ้าซีตาหนึ่งชนิดหรือมากกว่าที่เลื อกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยกรด, เบส, เกลือ และ สารลดแรงตึงผิว 5.วิธีการขัดเงาซับสเตรตแก้วด้วยสารผสมสารขัดเงาตามที่กำหนดไว้ ในข้อถือสิทธิข้อ 1 6.วิธีการขัดเงาเมโมรี่ฮาร์ดดิสก์ซับสเตรตด้วยสารผสมสารขัดเงาต ามที่กำหนดไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 7.วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 6, ซึ่งเมโมรี่ฮาร์ดดิสก์ซับสเตรตน ี้คือซับสเตรตชุบ Ni-P 8.วิธีการสำหรับผลิตซับสเตรตซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนการขัดเงา ซับสเตรตที่ทำการ ขัดเงาด้วยสารผสมสารขัดเงาซึ่งประกอบรวมด้วยสื่อชนิดแอคเควียสและอนุภาคซิลิกา, โดยที่อนุภาค ซิลิกาในสารผสมส ารขัดเงานี้มีศักย์ไฟฟ้าซีตาจาก -15 ถึง 40 มิลลิโวลต์ 9.วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 8, ซึ่งอนุภาคซิลิกานี้มีขนาดอนุภา คแบบปฐมภูมิโดยเฉลี่ยเท่ากับ 1 นาโนเมตร หรือมากกว่าและต่ำกว่า 40 นาโนเมตร 1 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 8, ซึ่งซับสเตรตนี้คือเมโมรี่ฮาร ์ดดิสก์ซับสเตรต 11. A polishing compound consisting of an acoustical media and silica particles, the silica particles in this polishing compound have a cheetah potential from -15 to 40 mV. Polishing agent according to claim 1, in which this silica particle has Primary particles Average of 1 nm or more and less than 40 nm 3. Polishing compound according to claim 1, which this silica is colloidal silica 4. Polishing compound according to claim 1, Which this polishing compound Compound Adjust one or more zeta potentials that are selected. Comes from a group consisting of acids, bases, salts and surfactants 5. Method for polishing the glass substrate with a designated polishing compound. Clause 1 6. Method of polishing the memory hard disk substrate with a polishing compound. As defined in Claim No. 1 7. Method according to Clause 6, which memory hard disk substrate This is a Ni-P plated substrate. 8. A method for the manufacture of a substrate incorporates a polishing process. Substrate It is polished with a polishing compound consisting of acacia media and silica particles, where the silica particles in the mixture This polishing has a zeta potential from -15 to 40 millivolts 9. Method according to claim 8, where this silica particle has a microscopic size. The average primary type is 1 nm or more and less than 40 nm 1 0. Method according to claim 8, in which this substrate is hard memory. Substrate 1 disc card
1. วิธีการสำหรับเพิ่มอัตราการขัดเงาของซับสเตรตที่จะทำการขัด เงาด้วยสารผสมสารขัดเงา ซึ่งประกอบรวมด้วยสื่อชนิดแอคเควีส และอ นุภาคซิลิกา, ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของการ ปรับศักย์ไฟฟ้าซีตา ของอนุภาคซิลิกาในสารผสมสารขัดเงานี้ให้เป็น -15 ถึง 40 มิลลิโ วลต์ 11. A method for increasing the rate of polish of the substrate to be polished. Polish with a polishing compound This includes the active and silica media, which is composed of a process of Adjust the zeta potential Of silica particles in this polishing compound to -15 to 40 millivolt 1.
2. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 11, ซึ่งอนุภาคซิลิกานี้มีขนาดอน ุภาคแบบปฐมภูมิโดยเฉลี่ย เท่ากับ 1 นาโนเมตร หรือมากกว่าและต่ำกว ่า 40 นาโนเมตร 12. Method according to claim 11, in which silica particles are The average primary region is 1 nm or more and less than 40 nm 1.
3. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 11, ซึ่งซับสเตรตที่จะทำากรขัดเง านี้อย่างน้อยจะทำด้วยซิลิคอน บนพื้นผิวของมัน 13. Method according to claim 11, in which the substrate to conflict This is at least made with silicon. On its surface 1
4. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 11, ซึ่งซับเสตรตที่จะทำการขัดเง านี้ คือเมโมรี่อาร์ดดิสก์ ซับสเตรต 14. The method according to claim 11, the substrate to be executed is the memory arcade disk substrate 1.
5. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 11, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วย ขั้นตอนของการบีบอัดแผ่น นวมขัดเงาเข้ากับซับสเตรตที่จะทำการขัด เงาที่โหลดของการขัดเงา 0.5 ถึง 20 kPa 15. Procedures in Clause 11, which includes additional Stages of sheet compression The mitt is polished to the substrate to be polished. Gloss at a load of polish 0.5 to 20 kPa 1
6.วิธีการสำรหับผลิตซับสเตรตซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของการใช ้วิธีตามที่กำหนดไว้ ในข้อถือสิทธิข้อ 11 กับซับสเตรตที่จะทำกา รขัดเงา 16. Methods for producing substrates that include steps of application Using the specified method In claim 11 with the substrate to be polished 1
7.วิธีการสำหรับลดรอยขีดข่วนซับสเตรตที่จะทำการขัดเงาด้วยสารผ สมสารขัดเงาซึ่ง ประกอบรวมด้วยสือชนิดแอคเควียส และอนุภาคซิลิกา , ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของการปรับ ศักย์ไฟฟ้าซีตาของอนุภาค ซิลิกาในสารผสมสารขัดเงานี้ให้เป็น -15 ถึง 40 มิลลิโวลต์ 17. Method for reducing scratches of the substrate to be polished with a compound Equation polishing agent, which Including the media type accesories. And silica particles, which consist of a process of modulation Zeta electric potential of particles Silica in this polishing compound is to be -15 to 40 mV 1.
8. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 17, ซึ่งอนุภาคซิลิกานี้มีขนาดอนุ ภาคแบบปฐมภูมิโดยเฉลี่ย กับเนา 1 นา โมเมตรหรือมากกว่าและต่ำกว่ า 40 นาโนเมตร 18. Method according to claim 17, in which silica particles are Primary sectors were average with copies of 1 nm or more and less than 40 nm.
9.วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 17, ซึ่งซับสเตรตที่จะทำการขัดเงา นี้ คือเมโมรี่ฮาร์ดดิสก์ ซับสเตรต 2 0.วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 17, ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยขั ้นตอนของการบีบอัดแผ่น นวมขัดเงาเข้ากับซับสเตรตที่จะทำการขัดเง าในขณะที่ป้อนสารผสมสารขัดเงาเ ข้าไปด้วยอัตราจาก 0.01 ถึง 3 มิลลิลิตร /นาที ต่อ 1 ซม.2 ของซ ซับสเตรตที่จะทำการขัดเงา9. Method according to Clause 17, which the substrate to be polished is the hard disk drive substrate 2. 0. Method under claim 17, which includes additions. I The process of disc compression The mitt is polished to the substrate to be polished. When feeding the polishing compound I go at a rate of 0.01 to 3 ml / min per 1 cm 2 of the substrate to be polished.