Claims (2)
ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงซึ่งชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม ได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนซับสเตรตนำไฟฟ้า ที่ประกอบรวมด้วย ชั้นพื้นผิวที่ประกอบขึ้นมาด้วยโลหะ หรือโลหะผสมของโลหะนั้นที่มีความต้านทานการกัดกร่อนที่ดีเลิศเป็นชั้นด้านนอกสุด ที่ซึ่งความ เข้มข้นของส่วนประกอบโลหะที่มีความต้านทานการกัดกร่อนที่ดีเลิศของชั้นพื้นผิวคือ 50%โดยมวล หรือมากกว่า ที่ส่วนด้านนอกสุดของชั้นพื้นผิว และความหนาชั้นของชั้นพื้นผิวนั้นคือจาก 0.001 ถึง 0.25 ไมโครเมตร และที่ซึ่งชั้นสารละลายของแข็งของเงินและวัสดุโลหะซึ่งเป็นส่วนประกอบหลัก ของชั้นพื้นผิวได้รับการก่อรูปขึ้นมาระหว่างชั้นพื้นผิวและชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม 2. ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งชั้นสารละลายของแข็ง มีส่วนประกอบโลหะซึ่งก่อรูปเป็นชั้นพื้นผิวอย่างเป็นหลัก และส่วนประกอบโลหะมีการกระจาย ความเข้มข้นจากด้านของชั้นพื้นผิวถึงด้านของชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม 3. ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ที่ซึ่งการกระจายความ เข้มข้นของส่วนประกอบโลหะในชั้นสารละลายของแข็งนั้นสูงที่ด้านของชั้นพื้นผิวและต่ำที่ด้านของ ชั้นพื้นผิวและชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม 4. ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง ซับสเตรตนำไฟฟ้านั้นประกอบขึ้นมาด้วยทองแดง ทองแดงผสม อะลูมินัม หรืออะลูมินัมผสม 5. ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยชั้นกลางอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยโลหะหรือโลหะผสม ที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย นิกเกิล นิกเกิลผสม โคบอลต์ โคบอลต์ผสม ทองแดง และ ทองแดงผสม ระหว่างซับสเตรตนำไฟฟ้าและชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม 6. ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 5 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งชั้น ที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสมมีความหนา 0.2 ถึง 5.0 ไมโครเมตร 7. ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งชั้น พื้นผิวได้รับการก่อรูปขึ้นมาจากวัสดุที่สามารถก่อรูปสารละลายของแข็งได้กับเงินหรือเงินผสม ณ อุณหภูมิปกติ 8. ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งได้ เลือกโลหะหรือโลหะผสมของโลหะนั้นที่มีความต้านทานการกัดกร่อนของชั้นพื้นผิวที่ดีเลิศมาก กลุ่มที่ประกอบด้วยทองคำ ทองคำผสม อินเดียม อินเดียมผสม แพลเลเดียม แพลเดียมผสม ดีบุก และดีบุกผสม 9. วิธีการของการผลิดลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 8 ข้อ ใดข้อหนึ่ง ที่ประกอบรวมด้วย การก่อรูปชั้นพื้นผิวขึ้นมาบนพื้นผิวของชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงิน หรือเงินผสม และการกระทำการปฏิบัติด้วยความร้อนที่อุณหภูมิ 100 องศาเซลเซียสหรือมากกว่า และ ภายในช่วงอุณหภูมิที่ไม่มากกว่าอุณหภูมิที่สามารถก่อรูปสารละลายของแข็งของวัสดุเพื่อการก่อรูป ชั้นพื้นผิวกับเงินหรือเงินผสมได้ เพื่อการทำให้วัสดุเพื่อการก่อรูปชั้นนพื้นผิวแผ่กระจายไปสู่ภายในของ ชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม 1 0. วิธีการของการผลิดลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 8 ข้อ ใดข้อหนึ่ง ที่ประกอบรวมด้วยการก่อรูปชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสมขึ้นมาโดยอาศัยการ ชุบผิวใช้ไฟฟ้า 1A lead frame for an optical semiconductor device in which a layer composed of silver or silver alloy is formed on a conductive substrate comprising a surface layer composed of a metal or metal alloy having excellent corrosion resistance as the outermost layer, wherein the concentration of the metal component having excellent corrosion resistance in the surface layer is 50% by mass or more at the outermost portion of the surface layer, and the thickness of the surface layer is from 0.001 to 0.25 μm, and wherein a solid solution layer of silver and a metallic material that is the principal component of the surface layer is formed between the surface layer and the silver or silver alloy layer. 2. A lead frame for an optical semiconductor device according to claim 1, wherein the solid solution layer has a metal component forming primarily the surface layer, and the metal component is distributed in concentration from the surface layer side to the silver or silver alloy layer side. 3. A lead frame for an optical semiconductor device according to claim 2, wherein the distribution of the The concentration of the metal component in the solid solution layer is high on the surface of the substrate layer and low on the surface of the substrate layer and the silver or silver alloy layer. 4. A lead frame for an optical semiconductor device according to any one of claims 1 to 3, wherein the conductive substrate is composed of copper, copper alloy, aluminum, or aluminum alloy. 5. A lead frame for an optical semiconductor device according to any one of claims 1 to 4, further comprising at least one intermediate layer composed of metal or silver alloy. Selected from a group consisting of nickel, nickel alloy, cobalt, cobalt alloy, copper, and copper alloy between the conductive substrate and the silver or silver alloy layer. 6. Lead frame for an optical semiconductor device of any one of claims 1 to 5, wherein the silver or silver alloy layer has a thickness of 0.2 to 5.0 micrometers. 7. Lead frame for an optical semiconductor device of any one of claims 1 to 6, wherein the surface layer is formed from a material capable of forming a solid solution with silver or silver alloy at room temperature. 8. Lead frame for an optical semiconductor device of any one of claims 1 to 7, wherein a metal or metal alloy has been selected having excellent surface layer corrosion resistance. Group consisting of gold, gold alloys, indium, indium alloys, palladium, palladium alloys, tin, and tin alloys. 9. A method for producing lead frames for optical semiconductor devices according to any one of claims 1 to 8, comprising forming a surface layer on the surface of the layer composed of silver or silver alloy, and applying heat to a temperature of 100°C or more, and within a temperature range not greater than the temperature at which a solid solution of the surface layer and the silver or silver alloy can be formed, so as to cause the surface layer material to diffuse into the interior of the silver or silver alloy layer. 10. A method for producing lead frames for optical semiconductor devices according to any one of claims 1 to 8, comprising forming the silver or silver alloy layer by means of electroplating. 1
1. วิธีการของการผลิดลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่ ประกอบรวมด้วยการก่อรูปชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสมและชั้นกลางขึ้นมาโดย อาศัยการชุบผิวใช้ไฟฟ้า 11. A method of producing a lead frame for an optical semiconductor device according to claim 5, comprising forming a silver or silver alloy layer and an intermediate layer by means of electroplating. 1.
2. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสง ที่ซึ่งลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่ง ได้รับการจัดให้มีไว้ที่อย่างน้อยที่สุดหนึ่งที่ได้ติดตั้งชิ้นส่วนสารกึ่ง ตัวนำเชิงแสงลงบนนั้น2. An optical semiconductor device, wherein the lead frame for the optical semiconductor device according to any one of claims 1 to 8 is provided on which at least one optical semiconductor part is mounted.