TH54374A - ระบบทีใช้ในการกำจัดซิลิกอน ออกไซด์ที่มีความสะดวกเป็นพิเศษ - Google Patents
ระบบทีใช้ในการกำจัดซิลิกอน ออกไซด์ที่มีความสะดวกเป็นพิเศษInfo
- Publication number
- TH54374A TH54374A TH101001263A TH0101001263A TH54374A TH 54374 A TH54374 A TH 54374A TH 101001263 A TH101001263 A TH 101001263A TH 0101001263 A TH0101001263 A TH 0101001263A TH 54374 A TH54374 A TH 54374A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- weight
- abrasive
- approximately
- assembly
- substrate
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (25/06/44) ระบบ, สารผสม และวิธีการในการทำให้วัสดุฐานรองของชิ้นส่วนประกอบเรียบเสมอกัน และการ ขัดวัสดุฐานรองของชิ้นส่วนประกอบถูกแสดงนี้ ระบบการทำให้เรียบเสมอกัน หรือการขัดนี้ ประกอบรวมด้วย (i) สารผสมที่ใช้ขัดที่ประกอบ รวมด้วย (a) ฟลูออไรด์ ไอออนประมาณร้อยละ 0.5 โดยน้ำหนักหรือมากกว่า, (b) เอมีน ประมาณร้อย ละ 1 โดยน้ำหนักหรือมากกว่า, (c) เบส ประมาณ ร้อยละ 0.1 โดยน้ำหนักหรือมากกว่า, และ (d) น้ำ, และ (ii) วัสดุที่ใช้ขัดถู การประดิษฐ์นี้ยังแสดงถึง วิธีการทำให้เรียบเสมอกันหรือการขัดวัสดุฐาน รองของชิ้นส่วนประกอบที่ประกอบรวมด้วยการ สัมผัส วัสดุฐานรองด้วยระบบที่ประกอบรวมด้วย (i) สารผสมที่ใช้ขัดที่ประกอบรวมด้วย (a) ฟลูออ ไรด์ ไอออนประมาณร้อยละ 0.5 โดยน้ำหนักหรือ มากกว่า, (b) เอมีน ประมาณร้อยละ 1 โดยน้ำหนัก หรือ มากกว่า, (c) เบส ประมาณร้อยละ 0.1 โดยน้ำ หนักหรือมากกว่า, และ (d) น้ำ, และ (ii) วัสดุที่ใช้ขัดถู ระบบ, สารผสม และวิธีการในการทำให้วัสดุฐานรองของชิ้นส่วนประกอบเรียบเสมอกัน และการ ขัดวัสดุฐานรองของชิ้นส่วนประกอบถูกแสดงนี้ ระบบการทำให้เรียบเสมอกัน หรือการขัดนี้ ประกอบรวมด้วย (i) สารผสมที่ใช้ขัดที่ประกอบ รวมด้วย (a) ฟลูออไรด์ ไอออนประมาณร้อยละ 0.5 โดยน้ำหนักหรือมากกว่า, (b) เอมีน ประมาณร้อย ละ 1 โดยน้ำหนักหรือมากกว่า, (c) เบส ประมาณ ร้อยละ 0.1 โดยน้ำหนักหรือมากกว่า, และ (d) น้ำ, และ (ii) วัสดุที่ใช้ขัดถู การประดิษฐ์นี้ยังแสดงถึง วิธีการทำให้เรียบเสมอกันหรือการขัดวัสดุฐาน รองของชิ้นส่วนประกอบที่ประกอบรวมด้วยการ สัมผัส วัสดุฐานรองด้วยระบบที่ประกอบรวมด้วย (i) สารผสมที่ใช้ขัดที่ประกอบรวมด้วย (a) ฟลูออ ไรด์ ไอออนประมาณร้อยละ 0.5 โดยน้ำหนักหรือ มากกว่า, (b) เอมีน ประมาณร้อยละ 1 โดยน้ำหนัก หรือ มากกว่า, (c) เบส ประมาณร้อยละ 0.1 โดยน้ำ หนักหรือมากกว่า, และ (d) น้ำ, และ (ii) วัสดุที่ใช้ขัดถู
Claims (3)
1. ระบบการทำให้วัสดุฐานรองของชิ้นส่วนประกอบเรียบเสมอกัน หรือการขัดวัสดุฐานรอง ของชิ้นส่วนประกอบรวมด้วย (i) สารผสมที่ใช้ขัด ที่ประกอบรวมด้วย (a) ฟลูออไรด์ ไอออน ประมาณร้อยละ 0.5 โดยน้ำหนักหรือมากกว่า, (b) เอมีน ประมาณร้อยละ 1 โดยน้ำหนักหรือมากกว่า, (c) เบส ประมาณร้อยละ 0.1 โดยน้ำหนักหรือมาก กว่า, และ (d) น้ำ, และ (ii) วัสดุที่ใช้ขัดถู
2. ระบบตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 โดยวิธีนี้มีค่า pH ประมาณ 7-14
3. ระบบตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1, โดยที่วัสดุที่ใช้ขัดถูนี้เลือกจากกลุ่มที่ปแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH54374A true TH54374A (th) | 2002-12-12 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE60307111D1 (de) | Verfahren zum chemisch mechanisch polieren von materialien mit einer niedrigen dielektrizitätskonstanten | |
| EP0933166A4 (en) | ABRASIVE AND METHOD FOR POLISHING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES | |
| DE60225956D1 (de) | Schleifmittelzusammensetzung und Polierverfahren unter Verwendung derselben | |
| BR0308298A (pt) | Dispositivo em um elemento de limpeza com formato de disco circular, e, uso de um elemento | |
| JP2005529485A5 (th) | ||
| DE602004027901D1 (de) | Belegte metalloxidteilchen für cmp | |
| BR0211633A (pt) | Pluralidade de partìculas abrasivas, método para fabricar partìculas abrasivas, artigo abrasivo, e, método para abradar uma superfìcie | |
| ATE355933T1 (de) | Schleifartikel zur modifizierung einer halbleiterscheibe | |
| DK1961811T3 (da) | Cytokinligand til behandling af asthma og luftvejs-hyper-responsivitet | |
| PT1117749E (pt) | Processo de polimento com abrasivo | |
| DK2292379T3 (da) | Fremgangsmåde til rensning af en poleret hård gulvoverflade af sten eller stenlignende | |
| BR0206291A (pt) | Meio não abrasivo com quìmica acelerada | |
| DE69200501D1 (de) | Herstellungsverfahren von Diamantschleifkörnern. | |
| ATE214418T1 (de) | Pufferlösungen für suspensionen, verwendbar zum chemisch-mechanischen polieren | |
| ATE325427T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum reinigen und anschliessendem bonden von substraten | |
| EP1484792A4 (en) | METHOD FOR GRINDING THE BACK OF A SEMICONDUCTOR WAFER | |
| GB2349840A (en) | Abrasive article and method for making the same | |
| IT1319671B1 (it) | Processo per la preparazione di (s)-n,n'-bis(2-idrossi-1-(idrossimetil)etil)-5-((2-idrossi-1-ossopropil)ammino) | |
| DE69913317D1 (de) | Reinigungs-/schwabbeleinheit für halbleiterbearbeitungsvorrichtung | |
| DK1702714T3 (da) | Fremgangsmåde til vedligeholdelse af hårde overflader | |
| TH54374A (th) | ระบบทีใช้ในการกำจัดซิลิกอน ออกไซด์ที่มีความสะดวกเป็นพิเศษ | |
| DE60212992D1 (de) | Verbindungssystem zum befestigen von halbleiterplatten sowie verfahren zur herstellung von halbleiterplatten | |
| IT8719608A0 (it) | Mola abrasiva per la sagomatura e finitura superficiale di materiali lapidei del tipo marmo, granito esimili. | |
| TR200000112T2 (tr) | Aşındırıcı temizleme bileşimi. | |
| ITRM20010616A0 (it) | Processo di produzione di nastri semilavorati lucidi. |