TH53611A - หน้าสัมผัสแบบไม่มีการเรกติฟายซึ่งปราศจากแฮโลบนชิปที่มีส่วนแพร่ซึมของซอร์ส/เดรนของแฮโล - Google Patents
หน้าสัมผัสแบบไม่มีการเรกติฟายซึ่งปราศจากแฮโลบนชิปที่มีส่วนแพร่ซึมของซอร์ส/เดรนของแฮโลInfo
- Publication number
- TH53611A TH53611A TH101002203A TH0101002203A TH53611A TH 53611 A TH53611 A TH 53611A TH 101002203 A TH101002203 A TH 101002203A TH 0101002203 A TH0101002203 A TH 0101002203A TH 53611 A TH53611 A TH 53611A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- diffusion
- contact
- rectification
- diode
- halo
- Prior art date
Links
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 title abstract 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 abstract 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (12/07/44) ชิปของสารกึ่งตัวนำจะรวมถึงซับสเตรทของสารกึ่งตัวนำซึ่งมีส่วนแพร่ซึมของหน้าสัมผัส แบบมีการเรกติฟายและส่วนแพร่ซึม ของหน้าสัมผัสแบบไม่มีการเรกติฟาย ส่วนแพร่ซึมของแฮโลจะ อยู่ชิดกับส่วนแพร่ซึมของหน้าสัมผัสแบบไม่มีการเรกติฟาย และส่วนแพร่ซึมแบบไม่มีแฮโลจะอยู่ชิด กับส่วนแพร่ซึมของหน้า สัมผัสแบบไม่มีการเรติฟาย ส่วนแพร่ซึมของหน้าสัมผัสแบบมี การเรกติฟาย อาจเป็นส่วนแพร่ซึมของซอร์ส/เดรน ของเฟตเพื่อ ปรับปรุงความต้านทานต่อการทะลุผ่านให้ดีขี้น ส่วนแพร่ซึมของ หน้าสัมผัสแบบไม่มีการเรกติฟายอาจเป็นหน้าสัมผัสตัวฐานรอง ของเฟต หน้าสัมผัส ของไดโอดด้านข้างหรือหน้าสัมผัสของตัว ต้านทานหรือตัวเก็บประจุการหลีกเลี่ยงไม่ให้มีแฮ โล สำหรับหน้าสัมผัสแบบไม่มีการเรกติฟายจะลดความต้านทานแบบ อนุกรมและปรับปรุงลักษณะ สมบัติของอุปกรณ์ให้ดีขึ้นในรูป ลักษณะอีกแบบหนึ่งบนชิปซึ่งมีอุปกรณ์ที่มีแฮโลอยู่ชิดกับ ส่วนแพร่ ซึม ส่วนแพร่ซึมแบบไม่มีแฮโลจะอยู่ชิดกับส่วนแพร่ ซึมของหน้าสัมผัสแบบมีการเรกติฟายของ ไดโอดด้านข้าง เป็นการ ปรับปรุงสภาพในอุดมคติของไดโอดและเป็นการเพิ่มแรงดันการ เสียสภาพ ฉับพลันให้ดีขึ้นอย่างเป็นนัยสำคัญ ชิปของสารกึ่งตัวนำจะรวมถึงซับสเตรทของสารกึ่งตัวนำซึ่งมีส่วนแพร่ซึมของหน้าสัมผัส แบบมีการเรกติฟายและส่วนแพร่ซึม ของหน้าสัมผัสแบบไม่มีการเรกติฟาย ส่วนแพร่ซึมของแฮโลจะ อยู่ชิดกับส่วนแพร่ซึมของหน้าสัมผัสแบบไม่มีการเรกติฟาย และส่วนแพร่ซึมแบบไม่มีแฮโลจะอยู่ชิด กับส่วนแพร่ซึมของหน้า สัมผัสแบบไม่มีการเรกติฟาย ส่วนแพร่ซึมของหน้าสัมผัสแบบมี การเรกติฟาย อาจเป็นส่วนแพร่ซึมของซอร์ส/เดรน ของเฟตเพื่อ ปรับปรุงความต้านทานต่อการทะลุผ่านให้ดีขี้น ส่วนแพร่ซึมของ หน้าสัมผัสแบบไม่มีการเรกติฟายอาจเป็นหน้าสัมผัสตัวฐานรอง ของเฟต หน้าสัมผัส ของไดโอดด้านข้างหรือหน้าสัมผัสของตัว ต้านทานหรือตัวเก็บประจุการหลีเลี่ยงไม่ให้มีแฮ โล สำหรับหน้าสัมผัสแบบไม่มีการเรกติฟายจะลดความต้านทานแบบ อนุกรมและปรับปรุงลักษณะ สมบัติของอุปกรณ์ให้ดีขึ้นในรูป ลักษณะอีกแบบหนึ่งบนชิปซึ่งมีอุปกรณ์ที่มีแฮโลอยู่ชิดกับ ส่วนแพร่ ซึม ส่วนแพร่ซึมแบบไม่มีแฮโลจะอยู่ชิดกับส่วนแพร่ ซึมของหน้าสัมผัสแบบมีการเรกติฟายของ ไดโอดด้านข้าง เป็นการ ปรับปรุงสภาพในอุดมคติของไดโอดและเป็นการเพิ่มแรงดันการ เสียสภาพ ฉับพลันให้ดีขึ้นอย่างเป็นนัยสำคัญ
Claims (2)
1.ซิปของสารกึ่งตัวนำ ซึ่งประกอบรวมด้วย ซับสเตรทของสารกึ่งตัวนำชิ้นหนึ่ง ส่วนแพร่ซึมของหน้าสัมผัสแบบมีการเรกติฟาย และส่วนแพร่ซึมของหน้าสัมผัสแบบไม่มี การเรกติฟายใน ซับสเตรทดังกล่าว และ ส่วนแพร่ซึมแฮโลซิดกับส่วนแพร่ซึมแบบ มีการเรกติฟาย ดังกล่าว และส่วนแพร่ซึมแบบไม่มี แฮโลชิดกับ ส่วนแพร่ซึมของหน้าสัมผัสแบบไม่มีการเรกติฟายดังกล่าว
2.ชิปของสารกึ่งตัวนำตามที่สาธยายไว้ในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 โดยที่หน้าสัมผัสแบบมีการ เรกติฟายดังกล่าวเป็นส่วนแพร่ซึม ของซอรแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH53611A true TH53611A (th) | 2002-10-29 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2001095369A3 (en) | Halo-free non-rectifying contact on chip with halo source/drain diffusion | |
| IL158845A0 (en) | Vertical metal oxide semiconductor field-effect diodes | |
| TW200516717A (en) | Structure and method of a strained channel transistor and a second semiconductor component in an integrated circuit | |
| JPS57141962A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| SE9704149D0 (sv) | A semiconductor device of SiC and a transistor of SiC having an insulated gate | |
| KR930005234A (ko) | 쇼트키 장벽 다이오드 및 쇼트키 장벽 다이오드 클램프형 트랜지스터와 이들을 제조하는 방법 | |
| EP2833411A3 (en) | Semiconductor device comprising a MIS transistor | |
| EP1244150A3 (en) | Vertical MOSFET having a trench gate electrode and method of making the same | |
| WO2003041185A3 (en) | Organic thin film transistor with polymeric interface | |
| EP1256985A3 (en) | Lateral power MISFET | |
| EP1708259A3 (en) | Semiconductor device having GaN-based semiconductor layer | |
| TW200520237A (en) | Semiconductor device with high-k gate dielectric | |
| KR100418738B1 (ko) | 집적회로 반도체 소자{IC semiconductor device} | |
| EP2259268A3 (en) | Semiconductor device | |
| EP1233453A3 (en) | Semiconductor integrated circuit having anti-fuse, method of fabricating, and method of writing data in the same | |
| EP1033756A3 (en) | Semiconductor device having a lightly doped layer and power converter comprising the same | |
| WO2007044843A3 (en) | Low capacitance scr with trigger element | |
| EP2387077A3 (en) | Semiconductor device with a peripheral base region | |
| CA2295248A1 (en) | Power devices in wide bandgap semiconductor | |
| TH53611A (th) | หน้าสัมผัสแบบไม่มีการเรกติฟายซึ่งปราศจากแฮโลบนชิปที่มีส่วนแพร่ซึมของซอร์ส/เดรนของแฮโล | |
| DE69013646D1 (de) | Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung mit Kontaktierungsflächen am Rande des Halbleiterchips. | |
| KR880006782A (ko) | 접합 파괴방지 반도체장치 | |
| KR930005353A (ko) | 전력스위칭용모스트랜지스터 | |
| WO2001075982A3 (en) | Monolithic temperature compensation scheme for field effect transistor integrated circuits | |
| WO2000045441A3 (de) | Halbleitervorrichtung mit mehrfachdielektrikum |