TH52479A - สเลอรีขัดเงาสำหรับการขัดเงาแบบเคมี-เชิงกลของซิลิกาฟิล์ม - Google Patents
สเลอรีขัดเงาสำหรับการขัดเงาแบบเคมี-เชิงกลของซิลิกาฟิล์มInfo
- Publication number
- TH52479A TH52479A TH101004693A TH0101004693A TH52479A TH 52479 A TH52479 A TH 52479A TH 101004693 A TH101004693 A TH 101004693A TH 0101004693 A TH0101004693 A TH 0101004693A TH 52479 A TH52479 A TH 52479A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- alkyls
- chemical
- weight
- mechanical polishing
- silica film
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title abstract 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title abstract 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 12
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract 3
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims 2
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 abstract 2
- 229910052736 halogen Chemical group 0.000 abstract 2
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (14/01/45) สเลอรีขัดเงาสำหรับการขัดเงาแบบเคมี-เชิงกล ซึ่งมี 5 ถึง 50% โดยน้ำหนักของสารขัดสี ชนิดคอลอยคอลซิลิกา, และ 0.1 ถึง 10% โดยน้ำหนักของเกลือควาเทอร์นารีแอมโมเนียมซึ่งแทนได้ ด้วยสูตร R4N+X- โดยที่ R แต่ละตัวอาจเหมือนกันหรือต่างกัน และถูกเลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย แอลคิล, แอลคีนิล, แอลคิลแอริล, แอริลแอลคิล และหมู่เอสเทอร์, และ X คือ ไฮโดรเจนหรือฮาโลเจน ซึ่งมีความแตกต่างคือมีอัตราการขัดเงา ที่สูง สเลอรีขัดเงาสำหรับการขัดเงาแบบเคมี-เชิงกล ซึ่งมี 5 ถึง 50% โดยน้ำหนักของสารขัดสี ชนิดคอลอยคอลซิลิกา, และ 0.1 ถึง 10% โดยน้ำหนักของเกลือควาเทอร์นารีแอมโมเนียมซึ่งแทนได้ ด้วยสูตร R4N+ X- โดยที่ R แต่ละตัวอาจเหมือนกันหรือต่างกัน และถูกเลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย แอลคิล, แอลคีนิล, แอลคิลแอริล, แอริลแอลคิล และหมู่เอสเทอร์, และ X คือ ไฮโดรเจนหรือฮาโลเจน ซึ่งมีความแตกต่างคือมีอัตราการขัดเงา ที่สูง
Claims (2)
1.1.ถึง 50% โดยน้ำหนักของสารขัดสีชนิดคอลอยคอลซิลิกา, และ 0.1 ถึง 10% โดยน้ำหนักของเกลือควาเทอร์นารีแอมโมเนียมซึ่ง แทนได้ด้วยสูตร R4N+X- โดย ที่ R แต่ละตัวอาจเหมือนหรือต่าง กันและถูกเลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย แอลคิล, แอลคีนิล, แอลคิล แอริล, แอริลแอลคิล และหมู่เอสเทอร์ และ X คือ ไฮดดร เจนหรือฮาโลเจน
2. สเลอรีขัดเงาตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยมีลักษณะเฉพาะคือ คอลอยดอลซิลิกาจะมีอยูใน ปริมาณตั้งแต่ 10 ถึง 30% โดยน้แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH52479A true TH52479A (th) | 2002-08-06 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6138954B2 (th) | ||
| JP6530401B2 (ja) | 窒化ケイ素の選択的な除去のためのｃｍｐ組成物及び方法 | |
| EP2665792B1 (en) | Silicon polishing compositions with improved psd performance | |
| US10066126B2 (en) | Tungsten processing slurry with catalyst | |
| JP2004502823A5 (th) | ||
| DE60232356D1 (th) | ||
| US6524168B2 (en) | Composition and method for polishing semiconductors | |
| TW200811276A (en) | Polishing composition containing polyether amine | |
| IL113901A0 (en) | 1-phenyl-3-dimethylaminopropane compounds their preparation and use | |
| JP2007273973A5 (th) | ||
| MY129818A (en) | Method for manufacturing substrate | |
| CN107148457A (zh) | 钴抛光促进剂 | |
| JP6010020B2 (ja) | バルクシリコンの研磨組成物及び研磨方法 | |
| TW201817918A (zh) | 用於處理鎳基板表面之化學機械加工漿料及方法 | |
| JP5313866B2 (ja) | 金属の除去速度を制御するためのハロゲン化物アニオン | |
| CN107001916B (zh) | 磨料组合物 | |
| JP2001035820A (ja) | Ｃｍｐ研磨液 | |
| KR101349758B1 (ko) | 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법 | |
| TH52479A (th) | สเลอรีขัดเงาสำหรับการขัดเงาแบบเคมี-เชิงกลของซิลิกาฟิล์ม | |
| JP2021068898A (ja) | 銅膜研磨用ｃｍｐスラリー組成物およびそれを用いた銅膜研磨方法 | |
| CN101418190B (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
| EP1129821A4 (en) | METHOD AND DEVICE FOR POLISHING SEMICONDUCTOR DISCS | |
| JP2001093866A (ja) | 酸化物単結晶ウェーハ加工用研磨用組成物及び酸化物単結晶ウェーハの研磨方法 | |
| JP2019163457A5 (th) | ||
| ATE174921T1 (de) | Feinteiliges silicium mit oberflächlich gebundenem halogen, verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung |