TH52227A - ระบบและวิธีการสำหรับเบรกดาวน์ที่ถูกเหนี่ยวนำทางไฟฟ้าของโครงสร้างนาโน - Google Patents
ระบบและวิธีการสำหรับเบรกดาวน์ที่ถูกเหนี่ยวนำทางไฟฟ้าของโครงสร้างนาโนInfo
- Publication number
- TH52227A TH52227A TH101005335A TH0101005335A TH52227A TH 52227 A TH52227 A TH 52227A TH 101005335 A TH101005335 A TH 101005335A TH 0101005335 A TH0101005335 A TH 0101005335A TH 52227 A TH52227 A TH 52227A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- nanotubes
- electrodes
- create
- substrate
- metal
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 13
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 title 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims abstract 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 abstract 2
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (28/01/45) วิธีการจะจัดให้มีขึ้นเพื่อสร้างอุปกรณ์ วิธีการนี้จะจัดให้มีสับสเตรตที่เป็นฉนวน ซึ่งรวมถึงส่วนที่เป็นขั้วไฟฟ้า ที่เป็นเซอร์ส, ขั้วไฟฟ้าที่เป็นเดรนและขั้วไฟฟ้าที่เป็น เกต วิธีการนี้จะจัดให้มีกลุ่มท่อนาโนที่ใช้คาร์บอนซึ่งรวม ถึงส่วนที่เป็นท่อนาโนที่เป็น ส่วนประกอบที่มีสภาพกึ่งตัวนำ และที่เป็นโลหะซึ่งสัมผัสกับสับสเตรต วิธีการนี้จะ ป้อนแรง ดันไฟฟ้าไปยังขั้วไฟฟ้าที่เป็นเกต เพื่อทำให้ท่อนาโนที่ เป็นส่วนประกอบที่มี สภาพกึ่งตัวนำของกลไกลำเลียงลดน้อยลง โดยที่จะป้อนกระแสไฟฟ้าโดยผ่านท่อนาโน จากขั้วไฟฟ้าที่ เป็นซอร์สไปยังขั้วไฟฟ้าที่เป็นเดรน และแตกท่อนาโนส่วน ประกอบที่เป็น โลหะออกอย่างน้อยหนึ่งท่อเพื่อสร้างทรานซิส เตอร์ที่เปลี่ยนความต้านทานตามผลสนาม (FET) กลุ่มท่อนาโนที่ ใช้คาร์บอนอาจเป็นท่อนาโนที่มีผนังหลายผนังหรือ เชือกท่อนาโน ที่มีผนังชั้นเดียว วิธีการจะจัดให้มีขึ้นเพื่อสร้างอุปกรณ์ วิธีการนี้จะจัดให้มีสับสเตรตที่เป็นฉนวน ซึ่งรวมถึงส่วนที่เป็นขั้วไฟฟ้า ที่เป็นเซอร์ส, ขั้วไฟฟ้าที่เป็นเดรนและชั้วไฟฟ้าที่เป็น เกต วิธีการนี้จะจัดให้มีกลุ่มท่อนาโนที่ใช้คาร์บอนซึ่งรวม ถึงส่วนที่เป็นท่อนาโนที่เป็น ส่วนประกอบที่มีสภาพกึ่งตัวนำ และที่เป็นโลหะซึ่งสัมผัสกับสับสเตรต วิธีการนี้จะ ป้อนแรง ดันไฟฟ้าไปยังขั้วไฟฟ้าที่เป็นเกต เพื่อทำให้ท่อนาโนที่ เป็นส่วนประกอบที่มี สภาพกึ่งตัวนำของกลไกลำเลียงลดน้อยลง โดยที่จะป้อนกระแสไฟฟ้าโดยผ่านท่อนาโน จากขั้วไฟฟ้าที่ เป็นชอร์สไปยังขั้วไฟฟ้าที่เป็นเดรน และแตกท่อนาโนส่วน ประกอบที่เป็น โลหะออกอย่างน้อยหนึ่งท่อเพื่อสร้างทรานซิส เตอร์ที่เป็นความต้านทานตามผลสนาม (FET) กลุ่มท่อนาโนที่ ใช้คาร์บอนอาจเป็นท่อนาโนที่มีผนังหลายผนังหรือ เชือกท่อนาโน ที่มีผนังชั้นเดียว
Claims (3)
1. วิธีการสร้างอุปกรณ์ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนดังต่อไปนี้ การจัดให้มีสับสเตรต การจัดให้มีท่อนาโนหลายท่อที่สัมผัสกับสับสเตรต การเลือกแตกท่อนาโนที่ใช้กระแสไฟฟ้าออก
2.วิธีการดังที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิ 1 ซี่งยังประกอบด้วย ขั้นตอนการทำให้พาหะ หลายตัวหมดไปจากท่อนาโนที่มีสภาพกึ่ง ตัวนำ
3. วิธีการดังที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิ 2 โดยที่ขั้นตอนการ ทำให้พาหะหลายตัวหมดไป จากท่อนาโนที่มีสภาพกึ่งตัวนำซึ่งยัง ประกอบด้วยขั้นตอนการป้อนแรงดันไฟฟ้าไปยัง ขั้วไฟฟแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH52227A true TH52227A (th) | 2002-07-23 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2002054505A3 (en) | System and method for electrically induced breakdown of nanostructures | |
| Chen et al. | Ultrasonic nanowelding of carbon nanotubes to metal electrodes | |
| Liyanage et al. | Wafer-scale fabrication and characterization of thin-film transistors with polythiophene-sorted semiconducting carbon nanotube networks | |
| WO2008152281A3 (fr) | Transistor a effet de champ a nanotubes de carbone | |
| NO20020280D0 (no) | Elektroluminescerende innretning og dens fremgangsmåte for tilvirkning | |
| RU2006130861A (ru) | Вертикальные структуры полупроводниковых устройств с использованием нанотрубок и способы их формирования | |
| Stokes et al. | Local-gated single-walled carbon nanotube field effect transistors assembled by AC dielectrophoresis | |
| RU2012101496A (ru) | Графеновое устройство и способ его изготовления | |
| WO2006091823A3 (en) | Electronic devices with carbon nanotube components | |
| TW200623407A (en) | Nanotube transistor and recitifying devices | |
| EP2515338A3 (en) | Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates | |
| Gui et al. | A facile and low-cost length sorting of single-wall carbon nanotubes by precipitation and applications for thin-film transistors | |
| JP2010515283A (ja) | 炭素ナノチューブトランジスターの製造方法及びこれを用いた炭素ナノチューブトランジスター | |
| WO2009031681A1 (ja) | スイッチング素子及びその製造方法 | |
| KR101743915B1 (ko) | 용액공정 기반 탄소나노튜브 정렬 방법, 정렬형 반도체 탄소나노튜브 웨이퍼 제조 방법 및 정렬형 반도체 탄소나노튜브 웨이퍼 | |
| DE50104217D1 (de) | Elektrisches kontaktierelement aus elastischem werkstoff | |
| JP2006036630A5 (th) | ||
| Cao et al. | Resist-assisted assembly of single-walled carbon nanotube devices with nanoscale precision | |
| TW200729354A (en) | Method for manufacturing carbon nano-tube FET | |
| Passi et al. | Contact resistance Study of “edge-contacted” metal-graphene interfaces | |
| TW200612467A (en) | Emitter electrodes formed of or coated with a carbide material for gas ionizers | |
| TH52227A (th) | ระบบและวิธีการสำหรับเบรกดาวน์ที่ถูกเหนี่ยวนำทางไฟฟ้าของโครงสร้างนาโน | |
| JP6256912B2 (ja) | カーボンナノチューブ集合体を用いた電界効果トランジスタ | |
| Li et al. | The large-scale integration of high-performance silicon nanowire field effect transistors | |
| Chen et al. | Carbon nanotube multi-channeled field-effect transistors |