TH52227A

TH52227A - Systems and methods for electrically induced breakdowns of nanostructures.

Info

Publication number: TH52227A
Application number: TH101005335A
Authority: TH
Inventors: อาโวริส นายแฟออน; จี. คอลลินส์ นายฟิลลิป; มาร์เทล นายริชาร์ด
Original assignee: นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า; นายธเนศ เปเรร่า
Filing date: 2001-12-28
Publication date: 2002-07-23

Abstract

DC60 (28/01/45) วิธีการจะจัดให้มีขึ้นเพื่อสร้างอุปกรณ์ วิธีการนี้จะจัดให้มีสับสเตรตที่เป็นฉนวน ซึ่งรวมถึงส่วนที่เป็นขั้วไฟฟ้า ที่เป็นเซอร์ส, ขั้วไฟฟ้าที่เป็นเดรนและขั้วไฟฟ้าที่เป็น เกต วิธีการนี้จะจัดให้มีกลุ่มท่อนาโนที่ใช้คาร์บอนซึ่งรวม ถึงส่วนที่เป็นท่อนาโนที่เป็น ส่วนประกอบที่มีสภาพกึ่งตัวนำ และที่เป็นโลหะซึ่งสัมผัสกับสับสเตรต วิธีการนี้จะ ป้อนแรง ดันไฟฟ้าไปยังขั้วไฟฟ้าที่เป็นเกต เพื่อทำให้ท่อนาโนที่ เป็นส่วนประกอบที่มี สภาพกึ่งตัวนำของกลไกลำเลียงลดน้อยลง โดยที่จะป้อนกระแสไฟฟ้าโดยผ่านท่อนาโน จากขั้วไฟฟ้าที่ เป็นซอร์สไปยังขั้วไฟฟ้าที่เป็นเดรน และแตกท่อนาโนส่วน ประกอบที่เป็น โลหะออกอย่างน้อยหนึ่งท่อเพื่อสร้างทรานซิส เตอร์ที่เปลี่ยนความต้านทานตามผลสนาม (FET) กลุ่มท่อนาโนที่ ใช้คาร์บอนอาจเป็นท่อนาโนที่มีผนังหลายผนังหรือ เชือกท่อนาโน ที่มีผนังชั้นเดียว วิธีการจะจัดให้มีขึ้นเพื่อสร้างอุปกรณ์ วิธีการนี้จะจัดให้มีสับสเตรตที่เป็นฉนวน ซึ่งรวมถึงส่วนที่เป็นขั้วไฟฟ้า ที่เป็นเซอร์ส, ขั้วไฟฟ้าที่เป็นเดรนและชั้วไฟฟ้าที่เป็น เกต วิธีการนี้จะจัดให้มีกลุ่มท่อนาโนที่ใช้คาร์บอนซึ่งรวม ถึงส่วนที่เป็นท่อนาโนที่เป็น ส่วนประกอบที่มีสภาพกึ่งตัวนำ และที่เป็นโลหะซึ่งสัมผัสกับสับสเตรต วิธีการนี้จะ ป้อนแรง ดันไฟฟ้าไปยังขั้วไฟฟ้าที่เป็นเกต เพื่อทำให้ท่อนาโนที่ เป็นส่วนประกอบที่มี สภาพกึ่งตัวนำของกลไกลำเลียงลดน้อยลง โดยที่จะป้อนกระแสไฟฟ้าโดยผ่านท่อนาโน จากขั้วไฟฟ้าที่ เป็นชอร์สไปยังขั้วไฟฟ้าที่เป็นเดรน และแตกท่อนาโนส่วน ประกอบที่เป็น โลหะออกอย่างน้อยหนึ่งท่อเพื่อสร้างทรานซิส เตอร์ที่เป็นความต้านทานตามผลสนาม (FET) กลุ่มท่อนาโนที่ ใช้คาร์บอนอาจเป็นท่อนาโนที่มีผนังหลายผนังหรือ เชือกท่อนาโน ที่มีผนังชั้นเดียว DC60 (28/01/45) A method is provided to create a device. This method provides an insulating substrate. Which includes the electrodes That is a substrate, a drain electrode, and a gate electrode. To the part that is the nanotubes that are Semiconductor components And the metal that is in contact with the substrate. This method feeds voltage to the gate electrode. To make the nanotubes that Is a component that has The semiconductor condition of the conveyor mechanism is reduced. Which will feed the electric current through the nanotubes From the electrodes at As the source to the drain electrode And shattered the nanotubes Assembly that is At least one pipe is removed from the metal to create the transist. A factor that changes the resistance according to the Field Effect (FET). Using carbon, it can be a multi-walled nanotubes or a single-walled nanotube rope. A method is provided to create a device. This method provides an insulating substrate. Which includes the electrodes This method provides a group of carbon-based nanotubes that combine To the part that is the nanotubes that are Semiconductor components And the metal that is in contact with the substrate. This method feeds voltage to the gate electrode. To make the nanotubes that Is a component that has The semiconductor condition of the conveyor mechanism is reduced. Which will feed the electric current through the nanotubes From the electrodes at It is shores to the drain electrodes. And shattered the nanotubes Assembly that is At least one pipe is removed from the metal to create the transist. The FET is a field-effect resistance (FET) group of nanotubes. Using carbon, it can be a multi-walled nanotube or a single-walled nanotube rope.

Claims

1. How to create a device which consists of the following steps. Arrangement of substrates Arrangement of multiple nanotubes in contact with the substrate. Selection of the nanotubes that use electric current

2. The method as outlined in Claim 1 also includes: Carrier making process Many of them have been exhausted by the semiconductor nanotubes.

3. Method as outlined in Claim 2 whereby the Procedure Deplete many vectors From semiconductor nanotubes, which also It consists of the procedure for entering the voltage to the electrode tag: