TH49918A - ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิป - Google Patents

Abstract

DC60 ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปประกอบด้วย ซับสเทรทคั่นฉนวนในรูปของแผ่นสี่เหลี่ยมหน้าตัด สี่เหลี่ยมมุมฉาก ฝาครอบปิดสนิทคั่นฉนวนที่เปิดออกที่ด้านก้นสำหรับการก่อรูปโพรงปิดผนึกสนิท รูปกล่องที่ได้รับการบรรจุด้วยแก๊สปล่อยประจุขึ้นมาร่วมกับซับสเทรทคั่นฉนวน อิเล็กโทรดขั้วต่อที่ จัดไว้ที่ปลายทั้งสองในโพรงปิดผนึกสนิท คู่ของอิเล็กโทรดปล่อยประจุซึ่งก่อรูปขึ้นมาในโพรงปิดผนึก สนิทในลักษณะที่ทำให้มีการก่อรูปช่องว่างปล่อยประจุขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุ และใน ลักษณะที่ทำให้อิเล็กโทรดปล่อยประจุเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับอิเล็กโทรดขั้วต่อที่สอดคล้องกัน และ พื้นผิวเชื่อมต่อสำหรับการเพิ่มพื้นที่เชื่อมต่อสำหรับการเชื่อมต่อระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุและ อิเล็กโทรดขั้วต่อให้มากขึ้น วิธีการของการผลิตตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปประกอบด้วยขั้นตอนของ การก่อรูปชั้นคั่นฉนวนรูปแถบขึ้นมาบนพื้นผิวซับสเทรทที่แบนราบของซับสเทรทคั่นฉนวนทนความ ร้อน โดยชั้นคั่นฉนวนมีความทนความร้อนต่ำกว่าความทนความร้อนของซับสเทรทคั่นฉนวน การก่อ รูปฟิล์มนำไฟฟ้าที่มีรูปร่างเป็นแถบเหมือนกันกับชั้นคั่นฉนวนรูปแถบขึ้นมาบนชั้นคั่นฉนวนรูปแถบที่ มีความทนความร้อนต่ำเพื่อให้เป็นโครงสร้างแบบหลายชั้น และ การตัดฟิล์มนำไฟฟ้าพร้อมด้วยชั้น คั่นฉนวนที่มีความทนความร้อนต่ำในทิศทางที่ตั้งฉากกับทิศทางตามยาวโดยอาศัยการตัดด้วย เลเซอร์ออกเป็นสองส่วนซึ่งทำหน้าที่เป็นคู่ของอิเล็กโทรดปล่อยประจุที่เว้นระยะห่างจากกันโดยช่อง ว่างขนาดเล็ก ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปประกอบด้วย ซับสเทรทคั่นฉนวนในรูปของแผ่นสี่เหลี่ยมหน้าตัดสี่เหลี่ยมมุมฉาก ฝาครอบปิดสนิทคั่นฉนวนที่เปิดออกที่ด้านก้นสำหรับการก่อรูปโพรงปิดผนึกสนิทรูปกล่องที่ได้รับการบรรจุด้วยแก๊สปล่อยประจุขึ้นมาร่วมกับซับสเทรทคั่นฉนวน อิเล็กโทรดขั้วต่อที่จัดไว้ที่ปลายทั้งสองในโพรงปิดผนึกสนิท คู่ของอิเล็กโทรดปล่อยประจุซึ่งก่อรูปขึ้นมาในโพรงปิดผนึกสนิทในลักษณะที่ทำให้มีการก่อรูปช่องว่างปล่อยประจุขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุ และในลักษณะที่ทำให้อิเล็กโทรดปล่อยประจุเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับอิเล็กโทรดขั้วต่อที่สอดคล้องกัน และ พื้นผิวเชื่อม ต่อสำหรับการเพิ่มพื้นที่เชื่อมต่อสำหรับการเชื่อมต่อระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุและอิเล็กโทรดขั้ว ต่อให้มากขึ้น วิธีการของการผลิตตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปประกอบด้วยขั้นตอนของ การก่อรูปชั้นคั่นฉนวนรูปแถบขึ้นมาบนพื้นผิวซับสเทรทที่แบนราบของซับสเทรทคั่นฉนวนทนควาามร้อน โดยชั้นคั่นฉนวนมีความทนความร้อนต่ำกว่าความทนความร้อนของซับสเทรทคั่นฉนวน การก่อรูปฟิล์มนำไฟฟ้าที่มีรูปร่างเป็นแถบเหมือนกันกับชั้นคั่นฉนวนรูปแถบขึ้นมาบนชั้นคั่นฉนวนรูปแถบที่มีความทนความร้อนต่ำเพื่อให้เป็นโครงสร้างแบบหลายชั้น และ การตัดฟิล์มนำไฟฟ้าพร้อมด้วยชั้นคั่นฉนวนที่มีความทนความร้อนต่ำในทิศทางที่ตั้งฉากกับทิศทางตามยาวโดยอาศัยการตัดด้วยเลเซอร์ออกเป็นสองส่วนซึ่งทำหน้าที่เป็นคู่ของอิเล็กโทรดปล่อยประจุที่เว้นระยะห่างจากกันโดยช่องว่างขนาดเล็ก

Claims (2)

1.ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทคั่นฉนวนในรูปร่างของแผ่นสี่เหลี่ยมหน้าตัดสี่เหลี่ยมมุมฉาก ฝาครอบปิดสนิทคั่นฉนวนที่เปิดออกที่ด้านก้นของฝาครอบนั้นสำหรับการก่อรูปโพรงปิดผนึกสนิทรูปกล่องที่บรรจุด้วยแก๊สปล่อยประจุด้วยแก๊สปล่อยประจุขึ้นมาร่วมกับซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าว อิเล็กโทรดขั้วต่อที่จัดไว้ที่ปลายทั้งสองของโพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าว และยื่นไปสู่และเหนือผนังด้านข้างของโพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าว คู่ของอิเล็กโทรดปล่อยประจุซึ่งจัดวางไว้ภายในโพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าวโดยที่มีการก่อรูปช่องว่างปล่อยประจุขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าว และมีการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับอิเล็กโทรดขั้วต่อที่สอดคล้องกัน และ พื้นผิวเชื่อมต่อที่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาในสภาพเอียง และได้รับการสร้างขึ้นมาในสัณฐานเพื่อการเพิ่มพื้นที่เชื่อมต่อสำหรับการเชื่อมต่อระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุและอิเล็กโทรดขั้วต่อให้มากขึ้น 2.ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดซิปที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทคั่นฉนวนในรูปของแผ่นสี่เหลี่ยมหน้าตัดสี่เหลี่ยมมุมฉาก ฝาครอบปิดสนิทคั่นฉนวนที่เปิดออกที่ด้านก้นของฝาครอบนั้นสำหรับการก่อรูปโพรงปิดผนึกสนิทรูปกล่องที่บรรจุด้วยแก๊สปล่อยประจุขึ้นมาร่วมกับซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าว อิเล็กโทรดขั้วต่อที่จัดไว้ที่ปลายทั้งสองในโพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าว และยื่นไปสู่และเหนือผนังด้านข้างของโพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าว ลักษณะที่ทำให้มีการก่อรูปช่องว่างปล่อยประจุขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุแต่ละคู่ และใน อิเล็กโทรดปล่อยประจุจำนวนสองถึงห้าคู่ซึ่งจัดวางไว้ภายในโพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าวโดยที่มีการก่อรูปแก๊สปล่อยประจุขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุแต่ละคู่ และมีการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับอิเล็กโทรดขั้วต่อที่สอดคล้องกัน และ พื้นผิวเชื่อมต่อที่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาในสภาพเอียง และได้รับการสร้างขึ้นมาในสัณฐานเพื่อการเพิ่มขึ้นที่เชื่อมต่อสำหรับการเชื่อมต่อระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุและอิเล็กโทรดขั้วต่อให้มากขึ้น 3.ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปดังในข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งอิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าวได้รับการก่อรูปขึ้นมา ณ ตำแหน่งตรงกันข้ามกันบนซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวในลักษณะที่ให้มีการก่อรูปช่องว่างปล่อยประจุขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าว และประกอบรวมต่อไปอีกด้วย ฝาครอบปิดสนิทที่มีส่วนโดยรอบของฝาครอบนั้นที่ยืดด้วยสารยึดติดเข้ากับซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวในสภาพที่ให้มีการปิดล้อมที่ว่างเหนืออิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าวโดยฝาครอบปิดสนิทดังกล่าว ที่ซึ่งอิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าว แต่ละชิ้นมีส่วนปลายด้านนอก ณ บริเวณที่ฝาครอบปิดสนิทดังกล่าวและซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวได้รับการยึดติดเข้าด้วยกันด้วยสารยึดติด และ ส่วนปลายด้านนอกดังกล่าวมีความต้านทานไฟฟ้าต่ำกว่าความต้านทานไฟฟ้าของส่วนด้านในของอิเล็กโทรดปล่อยประจุที่อยู่ใกล้ชิดกับช่องว่างปล่อยประจุดังกล่าวโดยตรง 4.ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทคั้นฉนวนในรูปร่างของแผ่นสี่เหลี่ยมหน้าตัดสี่เหลี่ยมมุมฉากที่มีโพรงที่ยื่นผ่านซับสเทรทคั่ฉนวนดังกล่าว คู่ของอิเล็กโทรดขั้วต่อซึ่งจัดวางไว้บนปลายแต่ละข้างของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวในลักษณะที่ให้มีการปิดโพรงดังกล่าวดดยอิเล็กโทรดขั้นต่อดังกล่าว โพรงปิดผนึกสนิทซึ่งปิดล้อม โดยซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าว และอิเล็กโทรดขั้วต่อดังกล่าวและซึ่งได้รับการบรรจุด้วยแก๊สปล่อยประจุ และ คู่ของอิเล็กโทรดปล่อยประจุซึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมาภายใน โพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าว และ บนพื้นผิวด้านในพื้นผิวหนึ่งของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวในลักษณะที่ให้มีการก่อรูปช่องว่างปล่อยประจุขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรปล่อยประจุดังกล่าว โดยที่อิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าว ได้รับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับอิเล็กโทรดขั้วต่อดังกล่าวที่สอดคล้องกัน ที่ซึ่งอิเล็กโทรดรีเลย์สำรหับการรีเลย์การปล่อยประจุแบบอาร์กได้รับการก่อรูปขึ้นมาภายในโพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าวและบนพื้นผิวด้านในอีกพื้นผิวหนึ่งของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวในลักษณะที่มีการกันแยกอิเล็กโทรดรีเลย์ดังกล่าวจากอิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าวและอิเล็กโทรดขั้วต่อดังกล่าว 5.ตัวดูดกลือเสิร์จแบบชนิดชิปตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ที่ซึ่งส่วนปลายด้านในระหว่างปลายของอิเล็กโทรดรีเลย์และอิเล็กโทรดขั้วต่อของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวได้รับการตัดออกเข้าทางด้านในเป็นบางส่วน 6.ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่ซึ่งมีช่องว่างปล่อยประจุดังกล่าวจำนวนหนึ่ง 7. ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ที่ซึ่งมีช่องว่างปล่อยประจุดังกล่าวจำนวนหนึ่ง 8. ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปที่ประกอบด้วย ซับสเทรทคั่นฉนวนทนความร้อน คู่ของอิเล็กโทรดปล่อยประจุซึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนซับสเทรทคั่นฉนวนทนความรัอนดังกล่าวในลักษณะที่ทำให้มีการก่อรูปช่องว่างขนาดเล็กขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าว และ ฝาครอบปิดสนิทซึ่งเชื่อมต่อด้วยสารยึดติดเข้ากับซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวในลักษณะที่ให้ช่องว่างขนาดเล็กดังกล่าวได้รับการปิดล้อมในที่ว่างปิดผนึกสนิทที่ก่อรูปขึ้นมาโดยฝาครอบปิดสนิทดังกล่าว ที่ซึ่งชั้นคั่นฉนวนรูปแถบที่มีความทนร้อนอย่างน้อยที่สุดต่ำกว่าความทนความร้อนของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวได้รับการก่อรูปขึ้นมาระหว่างซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวได้รับการก่อรูปขึ้นมาระหว่างซับสเทรทคั้นฉนวนดังกล่าว และ อิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าว 9. ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปของข้อถือสิทธิข้อ 8 ที่ซึ่งชั้นคั่นฉนวนทนความร้อนดังกล่าวได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนพื้นผิวซับสเทรทที่แบนราบของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าว และ อิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าวได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนชั้นคั่นฉนวนทนความร้อนดังกล่าว 1 0.วิธีการของการผลิตตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปประกอบด้วยขั้นตอนของ การก่อรูปชั้นคั่นฉนวนรูปแถบขึ้นมาบนพื้นผิวซับสเทรทที่แบนราบของซับสเทรทคั่นฉนวนทนความร้อน โดยชั้นคั่นฉนวนดังกล่าวมีความทนความร้อนต่ำกว่าความทนความร้อนของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าว การก่อรูปฟิล์มนำไฟฟ้าที่มีรูปร่างเป็นแถบเหมือนกันกับชั้นคั่นฉนวนรูปแถบดังกล่าวขึ้นมาบนชั้นคั่นฉนวนรูปแถบดังกล่าวที่มีความทนความร้อนต่ำเพื่อให้เป็นโครงสร้างแบบหลายชั้น และ การตัดฟิล์มนำไฟฟ้าดังกล่าวพร้อมด้วยชั้นคั่นฉนวนดังกล่าวที่มีความทนความร้อนต่ำในทิศทางที่ตั้งฉากกับทิศทางตามยาวโดยอาศัยการตัดด้วยเลเซอร์ออกเป็นสองส่วนซึ่งทำหน้าที่เป็นคู่ของ อิเล็กโทรดปล่อยประจุที่เว้นระยะห่างจากกันโดยช่องว่างขนาดเล็ก 1

1.ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทคั่นฉนวน อิเล็กโทรดปล่อยประจุซึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมา ณ ตำแหน่งตรงกันขัามกันบนซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวในสภาพที่ให้มีการก่อรูปช่อง ว่างปล่อยประจุขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุ และ ชั้นไดอิเล็กทริกที่จัดวางไว้ระหว่างซับสเทรทคั้นฉนวนดังกล่าว และอิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าวแต่ละชิ้น ที่ซึ่งชิ้นไดอิเล็กทริกดังกล่าวมีค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสัมพัทธ์มากกว่าค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสัมพัทธ์ของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าว และ อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของชั้นไดอิเล็กทริกดังกล่าวแต่ละชิ้นจะเผยออกในช่องว่างปล่อยประจุดังกล่าว 1

2.ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปของข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งชั้นไดอิเล็กทริกดังกล่าวทำมาจากวัสดุที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กทริคสัมพัทธ์มากกว่าค่าคงที่ได้อิเล็กทริกสัมพัทธ์ของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวอยู่อย่างน้อยที่สุด 2 เท่า