TH49784A - ระบบขัดมันที่มีสารประกอบหยุดและวิธีในการใช้ระบบนี้ - Google Patents

ระบบขัดมันที่มีสารประกอบหยุดและวิธีในการใช้ระบบนี้

Info

Publication number
TH49784A
TH49784A TH1003031A TH0001003031A TH49784A TH 49784 A TH49784 A TH 49784A TH 1003031 A TH1003031 A TH 1003031A TH 0001003031 A TH0001003031 A TH 0001003031A TH 49784 A TH49784 A TH 49784A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
polishing
layer
substrate
compound
layers
Prior art date
Application number
TH1003031A
Other languages
English (en)
Inventor
หวัง นายชูหมิน
บรูซิค คูฟแมน นายวีลัสต้า
เค. กรัมบินี นายสตีเว่น
เค. เชอเรี่ยน นายไอเซ็ค
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
นางสาวสยุมพร สุจินตัย
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า, นางสาวสยุมพร สุจินตัย filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH49784A publication Critical patent/TH49784A/th

Links

Abstract

DC60 (21/09/43) การประดิษฐ์ให้ระบบสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้นที่มีหนึ่งชั้นหรือมากกว่าที่ได้ แก่ชั้นโลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (i) แคริเออร์ชนิดเหลว, (ii) ตัวออกซิไดซ์อย่าง น้อยหนึ่งชนิด, (iii) สารเติมแต่งขัดมันอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เพิ่มอัตราที่ซึ่งระบบขัดมันซับเสทรท อย่างน้อยหนึ่งชั้น, (iv) สารประกอบหยุดอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีเซเลคทิวิทีสำหรับการขัดมันของ ชั้นโลหะแรก ชั้นที่สองอย่างน้อยประมาณ 30:1 ซึ่งสารประกอบหยุดคือสารประกอบที่มี ไนโตรเจนที่มีประจุบวกซึ่งเลือกจากสารประกอบที่ประกอบรวมด้วยแอมีน, อิมีน, เอไมด์, อิไมด์ และของผสมของสารเหล่านั้น และ (v) แผ่นขัดมันและ/หรือสารขัดถู การประดิษฐ์ยังให้วิธีขัดมัน ซับสเทรทที่ประกอบรวมด้วยนำพื้นผิวของซับสเทรทมาสัมผัสกับระบบและขัดมันซับสเทรทอย่าง น้อยส่วนหนึ่งกับที่นั้น อนึ่ง การประดิษฐ์ให้วิธีสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้นหนึ่งชั้น หรือมากกว่าที่ได้แก่ชั้นโลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (a) นำชั้นโลหะแรกมาสัมผัส กับระบบ และ (b) ขัดมันชั้นโลหะแรกด้วยระบบจนกระทั่งชั้นโลหะแรกอย่างน้อยส่วนหนึ่งถูก กำจัดออกจากซับสเทรท อนึ่ง การประดิษฐ์ให้สารผสมสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้น หนึ่งชั้นหรือมากกว่าที่ได้แก่ชั้นโลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (i) แคริเออร์ชนิดเหลว, (ii) ตัวออกซิไดซ์อย่างน้อยหนึ่งชนิด, (iii) สารเติมแต่งขัดมันอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เพิ่มอัตราที่ซึ่ง ระบบขัดมันซับสเทรทอย่างน้อยหนึ่งชั้น, (iv) สารประกอบหยุดอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีเซเลคทิวิที สำหรับการขัดมันของชั้นโลหะแรก : ชั้นที่สองอย่างน้อยประมาณ 30:1 ซึ่งสารประกอบหยุดคือ สารประกอบที่มีไนโตรเจนที่มีประจุบวกซึ่งเลือกจากสารประกอบที่ประกอบรวมด้วยแอมีน, อิมีน, เอไมด์, อิไมด์ และของผสมของสารเหล่านั้นที่จะนำมาใช้กับ (v) แผ่นขัดมันและ/หรือสารขัดถู การประดิษฐ์ให้ระบบสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้นที่มีหนึ่งชั้นหรือมากกว่าที่ได้ แก่ชั้นโลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (i) แคริเออร์ชนิดเหลว, (ii) ตัวออกซิไดซ์อย่าง น้อยชนิดหนึ่ง, (iii) สารเติมแต่งขัดมันอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เพิ่มอัตราที่ซึ่งระบบขัดมันซับเสทรท อย่างน้อยหนึ่งชั้น, (iv) สารประกอบหยุดอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีเซเลคทิวิทีสำหรับการขัดของ ชั้นโลหะแรก : ชั้นที่สองอย่างน้อยประมาณ 30:1 ซึ่งสารประกอบหยุดคือสารประกอบที่มี ไนโตรเจนที่มีประจุบวกซึ่งเลือกจากสารประกอบที่ประกอบรวมด้วยแอมีน, อิมีน, เอไมด์, อิไมด์ และของผสมของสารเหล่านั้น และ (v) แผ่นขัดมันและ/หรือสารขัดถู การประดิษฐ์ยังให้วิธีขัดมัน ซับสเรทที่ประกอบรวมด้วยนำพื้นผิวของซับสเทรทมาสัมผัสกับระบบและขัดมันซับสเทรทอย่าง น้อยส่วนหนึ่งกับที่นั้น อนึ่ง การประดิษฐ์ให้วิธีสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้นหนึ่งชั้น หรือมากกว่าที่ได้แก่ชั้นโลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (a) นำชั้นโลหะแรกมาสัมผัส กับระบบ และ (b) ขัดมันชั้นโลหะแรกด้วยระบบจนกระทั่งชั้นโลหะแรกอย่างน้อยส่วนหนึ่งถูก กำจัดออกจากซับสเทรท อนึ่ง การประดิษฐ์ให้สารผสมสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้น หนึ่งชั้นหรือมากกว่าที่ได้แก่ชั้น โลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (i) แคริเออร์ชนิดเหลว, (ii) ตัวออกซิไดซ์อย่างน้อยหนึ่งชนิด, (iii) สารเติมแต่งขัดมันอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เพิ่มอัตราซึ่ง ระบบขัดมันซับสเทรทอย่างน้อยหนึ่งชั้น, (iv) สารประกอบหยุดอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีเซเลคทิวิที สำหรับการขัดมันของชั้นโลหะแรก : ชั้นที่สองอย่างน้อยประมาณ 30:1 ซึ่งสารประกอบหยุดคือ สารประกอบที่มีไนโตรเจนที่มีประจุบวกซึ่งเลือกจากสารประกอบที่ประกอบรวมด้วยแอมีน, อิมีน, เอไมด์, อิไมด์ และของผสมของสารเหล่านั้นที่จะนำมาใช้กับ (v) แผ่นขัดมันและ/หรือสารขัดถู:

Claims (1)

1. ระบบสำหรับขัดมันซับเสทรทแบบหลายชั้นที่มีหนึ่งชั้นหรือมากกว่าที่ได้แก่ชั้นโลหะ แรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (i) แคริเออร์ชนิดเหลว, (ii) ตัวออกซิไดซ์อย่างน้อยชนิดหนึ่ง, (iii) สารเติมแต่งขัดมันอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เพิ่มอัตราที่ซึ่งระบบขัดมันซับเสทรทอย่างน้อยหนึ่งชั้น, (iv) สารประกอบหยุดอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีเซเลคทิวิทีสำหรับการขัดมันของชั้นโลหะแรก : ชั้นที่ สองอย่างน้อยประมาณ 30:1 ซึ่งสารประกอบหยุดคือสารประกอบที่มีไนโตรเจนที่มีประจุบวกซึ่ง เลือกจากสารประกอบที่ประกอบรวมด้วยแอมีน, อิมีน,แท็ก :
TH1003031A 2000-08-11 ระบบขัดมันที่มีสารประกอบหยุดและวิธีในการใช้ระบบนี้ TH49784A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH49784A true TH49784A (th) 2002-03-04

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6206756B1 (en) Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
TW200513520A (en) Method for manufacturing substrate
DE60307111D1 (de) Verfahren zum chemisch mechanisch polieren von materialien mit einer niedrigen dielektrizitätskonstanten
AU2003263536A8 (en) Cmp method utilizing amphiphilic non-ionic surfactants
CN100519079C (zh) 用于三维固定的研磨件的原位激活的设备和方法
WO2004076574A3 (en) Cmp composition comprising a sulfonic acid and a method for polishing noble metals
DE602005012546D1 (de) Cmp-zusammensetzung mit einem tensid
WO2004072199A3 (en) Mixed-abrasive polishing composition and method for using the same
MY146358A (en) Use of cmp for aluminum mirror and solar cell fabrication
ATE296185T1 (de) Verfahren und vorrichtung zum planarisieren von mikroelektronischem substratenaufbau
MY144187A (en) A cmp composition with a polymer additive for polishing noble metals
IL147234A0 (en) Polishing system with stopping compound and method of its use
WO2004053008A3 (en) Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization
TW200502340A (en) Improved chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same
WO2001078128A3 (en) Abrasive-free metal cmp in passivation domain
MY120573A (en) Slurry comprising a ligand or chelating agent for polishing a surface.
KR20010110655A (ko) 반도체 가공에 적합한 구조 웨이퍼 수정용 작동 액체 및방법
AU2003219741A1 (en) Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance cmp formulations
ATE235347T1 (de) Verfahren zur chemisch-mechanischen planarisierung von stopschicht halbleiterscheiben
KR20060127219A (ko) 소수성 영역 및 종말점 검출구를 포함하는 연마 패드
KR970061445A (ko) 웨이퍼 및 기판의 재생방법 및 장치
US6524168B2 (en) Composition and method for polishing semiconductors
WO2003003428A2 (en) Apparatus, process and method for mounting and treating a substrate
JP2001332517A (ja) 基板の化学機械研磨方法
WO2002020214A3 (en) Method for polishing a memory or rigid disk with a polishing composition containing an oxidized halide and an acid