TH49784A - Polishing system with stop compound and how to use it. - Google Patents

Polishing system with stop compound and how to use it.

Info

Publication number
TH49784A
TH49784A TH1003031A TH0001003031A TH49784A TH 49784 A TH49784 A TH 49784A TH 1003031 A TH1003031 A TH 1003031A TH 0001003031 A TH0001003031 A TH 0001003031A TH 49784 A TH49784 A TH 49784A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
polishing
layer
substrate
compound
layers
Prior art date
Application number
TH1003031A
Other languages
Thai (th)
Inventor
หวัง นายชูหมิน
บรูซิค คูฟแมน นายวีลัสต้า
เค. กรัมบินี นายสตีเว่น
เค. เชอเรี่ยน นายไอเซ็ค
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
นางสาวสยุมพร สุจินตัย
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า, นางสาวสยุมพร สุจินตัย filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH49784A publication Critical patent/TH49784A/en

Links

Abstract

DC60 (21/09/43) การประดิษฐ์ให้ระบบสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้นที่มีหนึ่งชั้นหรือมากกว่าที่ได้ แก่ชั้นโลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (i) แคริเออร์ชนิดเหลว, (ii) ตัวออกซิไดซ์อย่าง น้อยหนึ่งชนิด, (iii) สารเติมแต่งขัดมันอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เพิ่มอัตราที่ซึ่งระบบขัดมันซับเสทรท อย่างน้อยหนึ่งชั้น, (iv) สารประกอบหยุดอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีเซเลคทิวิทีสำหรับการขัดมันของ ชั้นโลหะแรก ชั้นที่สองอย่างน้อยประมาณ 30:1 ซึ่งสารประกอบหยุดคือสารประกอบที่มี ไนโตรเจนที่มีประจุบวกซึ่งเลือกจากสารประกอบที่ประกอบรวมด้วยแอมีน, อิมีน, เอไมด์, อิไมด์ และของผสมของสารเหล่านั้น และ (v) แผ่นขัดมันและ/หรือสารขัดถู การประดิษฐ์ยังให้วิธีขัดมัน ซับสเทรทที่ประกอบรวมด้วยนำพื้นผิวของซับสเทรทมาสัมผัสกับระบบและขัดมันซับสเทรทอย่าง น้อยส่วนหนึ่งกับที่นั้น อนึ่ง การประดิษฐ์ให้วิธีสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้นหนึ่งชั้น หรือมากกว่าที่ได้แก่ชั้นโลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (a) นำชั้นโลหะแรกมาสัมผัส กับระบบ และ (b) ขัดมันชั้นโลหะแรกด้วยระบบจนกระทั่งชั้นโลหะแรกอย่างน้อยส่วนหนึ่งถูก กำจัดออกจากซับสเทรท อนึ่ง การประดิษฐ์ให้สารผสมสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้น หนึ่งชั้นหรือมากกว่าที่ได้แก่ชั้นโลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (i) แคริเออร์ชนิดเหลว, (ii) ตัวออกซิไดซ์อย่างน้อยหนึ่งชนิด, (iii) สารเติมแต่งขัดมันอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เพิ่มอัตราที่ซึ่ง ระบบขัดมันซับสเทรทอย่างน้อยหนึ่งชั้น, (iv) สารประกอบหยุดอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีเซเลคทิวิที สำหรับการขัดมันของชั้นโลหะแรก : ชั้นที่สองอย่างน้อยประมาณ 30:1 ซึ่งสารประกอบหยุดคือ สารประกอบที่มีไนโตรเจนที่มีประจุบวกซึ่งเลือกจากสารประกอบที่ประกอบรวมด้วยแอมีน, อิมีน, เอไมด์, อิไมด์ และของผสมของสารเหล่านั้นที่จะนำมาใช้กับ (v) แผ่นขัดมันและ/หรือสารขัดถู การประดิษฐ์ให้ระบบสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้นที่มีหนึ่งชั้นหรือมากกว่าที่ได้ แก่ชั้นโลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (i) แคริเออร์ชนิดเหลว, (ii) ตัวออกซิไดซ์อย่าง น้อยชนิดหนึ่ง, (iii) สารเติมแต่งขัดมันอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เพิ่มอัตราที่ซึ่งระบบขัดมันซับเสทรท อย่างน้อยหนึ่งชั้น, (iv) สารประกอบหยุดอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีเซเลคทิวิทีสำหรับการขัดของ ชั้นโลหะแรก : ชั้นที่สองอย่างน้อยประมาณ 30:1 ซึ่งสารประกอบหยุดคือสารประกอบที่มี ไนโตรเจนที่มีประจุบวกซึ่งเลือกจากสารประกอบที่ประกอบรวมด้วยแอมีน, อิมีน, เอไมด์, อิไมด์ และของผสมของสารเหล่านั้น และ (v) แผ่นขัดมันและ/หรือสารขัดถู การประดิษฐ์ยังให้วิธีขัดมัน ซับสเรทที่ประกอบรวมด้วยนำพื้นผิวของซับสเทรทมาสัมผัสกับระบบและขัดมันซับสเทรทอย่าง น้อยส่วนหนึ่งกับที่นั้น อนึ่ง การประดิษฐ์ให้วิธีสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้นหนึ่งชั้น หรือมากกว่าที่ได้แก่ชั้นโลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (a) นำชั้นโลหะแรกมาสัมผัส กับระบบ และ (b) ขัดมันชั้นโลหะแรกด้วยระบบจนกระทั่งชั้นโลหะแรกอย่างน้อยส่วนหนึ่งถูก กำจัดออกจากซับสเทรท อนึ่ง การประดิษฐ์ให้สารผสมสำหรับขัดมันซับสเทรทแบบหลายชั้น หนึ่งชั้นหรือมากกว่าที่ได้แก่ชั้น โลหะแรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (i) แคริเออร์ชนิดเหลว, (ii) ตัวออกซิไดซ์อย่างน้อยหนึ่งชนิด, (iii) สารเติมแต่งขัดมันอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เพิ่มอัตราซึ่ง ระบบขัดมันซับสเทรทอย่างน้อยหนึ่งชั้น, (iv) สารประกอบหยุดอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีเซเลคทิวิที สำหรับการขัดมันของชั้นโลหะแรก : ชั้นที่สองอย่างน้อยประมาณ 30:1 ซึ่งสารประกอบหยุดคือ สารประกอบที่มีไนโตรเจนที่มีประจุบวกซึ่งเลือกจากสารประกอบที่ประกอบรวมด้วยแอมีน, อิมีน, เอไมด์, อิไมด์ และของผสมของสารเหล่านั้นที่จะนำมาใช้กับ (v) แผ่นขัดมันและ/หรือสารขัดถู: DC60 (21/09/43) Invention provides a system for polishing a multi-layer substrate with one or more layers. The first and second metal layers are composed of (i) liquid carrier, (ii) strong oxidizing agent. At least one type, (iii) one or more abrasive additives that increase the rate at which the polishing system is subdued. At least one layer, (iv) at least one stop compound containing selectivite for polishing of at least about 30: 1 of the first metal layer. Positively charged nitrogen selected from compounds containing amines, amines, amides, imides and their mixtures, and (v) polishing pads and / or abrasives. The invention also provided a polished method. Substrate consists of bringing the surface of the substrate into contact with the system and polishing it carefully. In fact, the invention provides a one-layer, multi-layer substrate polishing method. Or more, that is, the first and second metal layers in combination with (a) the first metal layer comes into contact with the system and (b) polishes the first metal layer with the system until at least part of the first metal layer is Removal from the substrate. Incidentally, the multi-layer substrate polishing compound is fabricated. One or more layers, including the first and second metal layers containing (i) liquid carrier, (ii) at least one oxidizing agent, (iii) abrasive additive. One of a kind that increases the rate at which At least one substrate polishing system, (iv) at least one stop compound with selectivty. For polishing of the first metal layer: the second layer is at least about 30: 1, where the compound stops is Compounds containing positively charged nitrogen, selected from compounds containing amines, amines, amides, imides and their mixtures to be applied to (v) polished discs. And / or abrasive The fabrication provides a system for polishing a multi-layer substrate with one or more layers. The first and second metal layers are composed of (i) liquid carrier, (ii) strong oxidizing agent. One or more types, (iii) one or more polishing additives that increase the rate at which the polishing system absorbs At least one layer, (iv) at least one stop compound containing selectivite for the polishing of the first metal layer: the second layer at least approximately 30: 1, where the stop compound is the compound with Positively charged nitrogen selected from compounds containing amines, amines, amides, imides and their mixtures, and (v) polishing pads and / or abrasives. The invention also provided a polished method. The substrate consists of the surface of the substrate to come into contact with the system and polishes it carefully. In fact, the invention provides a one-layer, multi-layer substrate polishing method. Or more, that is, the first and second metal layers in combination with (a) the first metal layer comes into contact with the system and (b) polishes the first metal layer with the system until at least part of the first metal layer is Removal from the substrate. Incidentally, the multi-layer substrate polishing compound is fabricated. One or more layers that include layers The first and second metals are composed of (i) liquid carrier, (ii) one or more oxidizing agents, (iii) one or more abrasive additives that increase the rate at which At least one substrate polishing system, (iv) at least one stop compound with selectivty. For polishing of the first metal layer: the second layer is at least about 30: 1, where the compound stops is Compounds containing positively charged nitrogen, selected from compounds containing amines, amines, amides, imides and their mixtures to be applied to (v) polished discs. And / or abrasive:

Claims (1)

1. ระบบสำหรับขัดมันซับเสทรทแบบหลายชั้นที่มีหนึ่งชั้นหรือมากกว่าที่ได้แก่ชั้นโลหะ แรกและชั้นที่สองที่ประกอบรวมด้วย (i) แคริเออร์ชนิดเหลว, (ii) ตัวออกซิไดซ์อย่างน้อยชนิดหนึ่ง, (iii) สารเติมแต่งขัดมันอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เพิ่มอัตราที่ซึ่งระบบขัดมันซับเสทรทอย่างน้อยหนึ่งชั้น, (iv) สารประกอบหยุดอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีเซเลคทิวิทีสำหรับการขัดมันของชั้นโลหะแรก : ชั้นที่ สองอย่างน้อยประมาณ 30:1 ซึ่งสารประกอบหยุดคือสารประกอบที่มีไนโตรเจนที่มีประจุบวกซึ่ง เลือกจากสารประกอบที่ประกอบรวมด้วยแอมีน, อิมีน,แท็ก :1.System for polishing a multi-layer sanding with one or more layers, that is, the metal layer. The first and second layers are composed of (i) liquid carrier, (ii) one or more oxidizing agents, (iii) one or more abrasive additives that increase the rate at which the system Polishing at least one layer of sorbent, (iv) at least one stop compound with selectivite for polishing of the first metal layer: at least about 30: 1 second layer in which the stop compound is A compound containing positively charged nitrogen, which Select from amines-containing compounds, amines, tags:
TH1003031A 2000-08-11 Polishing system with stop compound and how to use it. TH49784A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH49784A true TH49784A (en) 2002-03-04

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY129591A (en) Polishing system with stopping compound and method of its use
US6206756B1 (en) Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
ATE334176T1 (en) METHOD FOR CHEMICALLY MECHANICALLY POLISHING MATERIALS HAVING A LOW DILECTRIC CONSTANT
WO2000028586A3 (en) Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
AU2003263536A8 (en) Cmp method utilizing amphiphilic non-ionic surfactants
MY144187A (en) A cmp composition with a polymer additive for polishing noble metals
SG163546A1 (en) Use of cmp for aluminum mirror and solar cell fabrication
WO2004076574A3 (en) Cmp composition comprising a sulfonic acid and a method for polishing noble metals
ATE421769T1 (en) CMP COMPOSITION WITH A SURFACTANT
WO2004072199A3 (en) Mixed-abrasive polishing composition and method for using the same
DE60020389D1 (en) METHOD AND DEVICE FOR PLANARIZING MICROELECTRONIC SUBSTRATE CONSTRUCTION
TW200502340A (en) Improved chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same
DE69942615D1 (en) A CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING AIRBREAKING, CONTAINING A ACCELERATOR SOLUTION
KR20060127219A (en) Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port
DE69503408T2 (en) Device for chemical mechanical polishing with improved distribution of the polishing composition
MY120573A (en) Slurry comprising a ligand or chelating agent for polishing a surface.
KR970061445A (en) Wafer and substrate regeneration method and apparatus
US20020043026A1 (en) Composition and method for polishing semiconductors
WO2003003428A2 (en) Apparatus, process and method for mounting and treating a substrate
JP2001332517A (en) Chemical mechanical polishing method for substrate
TH49784A (en) Polishing system with stop compound and how to use it.
TWI256415B (en) Slurry for chemical mechanical polishing
US7198549B2 (en) Continuous contour polishing of a multi-material surface
Mlynarski Effect of Molecular Structure on Modulation of Passivation Films on Copper Chemical Mechanical Planarization
JP2002222782A5 (en)