TH49478B - An ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compound with improved substrate compatibility. - Google Patents

An ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compound with improved substrate compatibility.

Info

Publication number
TH49478B
TH49478B TH201002526A TH0201002526A TH49478B TH 49478 B TH49478 B TH 49478B TH 201002526 A TH201002526 A TH 201002526A TH 0201002526 A TH0201002526 A TH 0201002526A TH 49478 B TH49478 B TH 49478B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
dimethyl
pyrrolidinone
cleaning mixture
cleaning
piperidone
Prior art date
Application number
TH201002526A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH61688A (en
Inventor
ปิน เชอร์แมน ฉู นายเซียน
เชอร์แมน ฉู นายเซียนปิน
Original Assignee
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์ นายรุทร นพคุณ
นายรุทร นพคุณ
อแวนเทอร์ เพอร์ฟอร์แมนซ์ แมทีเรียลส์
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์ นายรุทร นพคุณ, นายรุทร นพคุณ, อแวนเทอร์ เพอร์ฟอร์แมนซ์ แมทีเรียลส์ filed Critical นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
Publication of TH61688A publication Critical patent/TH61688A/en
Publication of TH49478B publication Critical patent/TH49478B/en

Links

Abstract

DC60 (01/10/45) สารผสมทำความสะอาดที่ปราศจากแอมโมเนีย สำหรับการทำความสะอาด ไมโครอิเล็ก โทรนิคซับสเทรท และโดยเฉพาะเกี่ยวกับสารผสมทำความสะอาด ดังเช่น ที่มีประโยชน์ด้วย และที่มี ความเข้ากันได้ที่ปรับปรุงแล้วกับไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรทที่ให้ลักษณะเฉพาะโดยไดอิเล็กทริค แคปปา สูง และ แคปปา ต่ำ, รูพรุนที่ไว และการฉาบด้วยโลหะทองแดง สารผสมทำความสะอาดสำหรับการลอก เอาโฟโทเรซิสท์ออก การทำความสะอาดส่วนเหลือจากสารประกอบอินทรีย์, ออร์แกโนเมทัลลิค และอนินทรีย์ และการทำความสะอาดส่วนเหลือจากกรรมวิธีการทำให้เป็นระนาบ สารผสมทำความ สะอาดมีเบสแก่ที่ผลิตให้นอน-แอมโมเนียมที่มีไอออนตรงข้ามที่มีประจุเป็นบวก, นอน-นิวคลีโอฟิลิค หนึ่งสาร หรือมากกว่า และตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรดแอมิดหนึ่งสาร หรือมากกว่า สารผสมทำความสะอาดที่ปราศจากแอมโมเนีย สำหรับการทำความสะอาด ไมโครอิเล็ก โทรนิคซับสเทรท และโดยเฉพาะเกี่ยวกับสารผสมทำความสะอาด ดังเช่น ที่มีประโยชน์ด้วย และที่มี ความเข้ากัน ได้ที่ปรับปรุงแล้วกับไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรทที่ให้ลักษณะเฉพาะโดยไดอิเล็กทริค (แคปปา) สูง และ (แคปปา) ต่ำ,รูพรุน,ที่ไว และการฉาบด้วยโลหะทองแดง สารผสมทำความสะอาดสำหรับการ ลอกเอาโฟโทเรซิสท์ออก การทำความสะอาดส่วนเหลือจากสารประกอบอินทรีย์, ออร์แกโนเมทัลลิค และอนินทรีย์ และการทำความสะอาดส่วนเหลือจากกรรมวิธีการทำให้เป็นระนาบ สารผสมทำความ สะอาดที่เบสแก่ที่ผลิตให้นอน-แอมโมเนียมที่มีไอออนตรงข้ามที่มีประจุเป็นบวก, นอน-นิวคลีโอฟินิค หนึ่งสาร หรือมากกว่า และตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรดแอมิดหนึ่งสาร หรือมากกว่า DC60 (01/10/45) ammonia-free cleaning compound. For cleaning microelectronic substrates And especially about cleaning mixtures, as they are also useful and that have improved compatibility with microelectronic substrates characterized by high dielectric cappa and Low Kappa, Sensitive Porosity and Copper Plastering Cleaning compound for stripping Remove the photoresist Cleaning of residuals from organic, organometallic and inorganic compounds, and residual cleaning from the flattening process. Non-ammonium base-based cleaning agents. With one or more positively charged opposite ions, one or more non-nucleophilic compounds, and one or more sterric hindered amid solvents. Ammonia For cleaning microelectronic substrates And, in particular, about cleaning mixtures, such as they are also useful and that have improved compatibility with dielectric substrates characteristic by dielectric (kappa). High and low (cappa), porous, sensitive And plastering with copper metal Cleaning mixtures for Remove the photoresist. Cleaning of residuals from organic, organometallic and inorganic compounds, and residual cleaning from the flattening process. Non-ammonium based cleaning mixtures. With one or more positively charged opposite ions, one or more non-nucleophilic substances, and one or more steric hindered amid solvents.

Claims (46)

แก้ไข 22/01/59 1. สารผสมทำความสะอาดที่สามารถทำความสะอาดส่วนเหลือจากไมโครอิเล็กทริครูพรุน, ไดอิเล็กทริค K ต่ำ, ไดอิเล็กทริค K สูง หรือการฉาบโลหะทองแดง, ซึ่งสามผสมทำความสะอาด ดังกล่าวประกอบรวมด้วย: จากประมาณ 0.05% ถึง 30% โดยน้ำหนักของหนึ่งชนิด หรือมากกว่าของเบสแก่ที่ผลิตให้ นอน-แอมโมเนียมที่มีไอออนตรงข้ามที่มีประจุเป็นบวก, นอน-นิวคลีโอฟิลิคที่เลือกจากเททระแอลคิล แอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์ หรือเกลือของสารเหล่านั้น; จาก 5 ถึง 99.95% โดยน้ำหนักของหนึ่งชนิด หรือมากกว่าของตัวทำละลายสเทอริค ฮินเดอเรคแอมิด (steric hindered amide) ที่เลือกจาก 1,3-ไดเมธิล-2-พิเพอริโดน และ 1,5-ไดเมธิล-2- พิเพอริโดน จาก 0 ถึง 95% โดยน้ำหนักของน้ำ หรือตัวทำละลายร่วมอินทรีย์อื่น ๆ; จาก 0 ถึง 40% โดยน้ำหนักของสเทอริคฮินเดอเรดแอมีน หรือแอลคานอแลมีน; จาก 0 ถึง 40% โดยน้ำหนักของกรดอินทรีย์ หรืออนินทรีย์; จาก 0 ถึง 40% โดยน้ำหนักของสารประกอบตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่น ๆ; จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนักของสารลดความตึงผิว; จาก 0 ถึง 5% โดยน้ำหนักของสารช่วยการคีเลทโลหะ; และ จาก 0 ถึง 10% โดยน้ำหนักของสารประกอบฟลูออโรด์ 2. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งเททระแอลคิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์ หรือเกลือเป็นสารประกอบที่มีสูตร : [(R)4N+]p[X]-q ซึ่งแต่ละ R เป็นหมู่ซับสทิทิวเทด หรืออันซับสทิทิวเทดแอลคิล และ X เป็น OH หรือแอนไอออน เกลือ และ p และ q เท่ากัน และเป็นเลขจำนวนเต็มจาก 1 ถึง 3 3. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่ง R เป็นหมู่แอลคิลที่มี 1 ถึง 22 คาร์บอน อะตอม และ X เป็น OH หรือคาร์บอเนท 4. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 3 ซึ่ง R เป็นหมู่แอลคิลที่มีจาก 1 ถึง 6 คาร์บอนอะตอม 5. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งประกอบรวมด้วยน้ำ หรือตัวทำละลายร่วมอินทรีย์อื่น ๆ อย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วยไดเมธิลซัลฟอก ไซด์, ซัลฟอเลน,ไดเอธานอแลมีน, ไทรเอธานอแลมีน, 2-(เมธิลอะมิโน)เอธานอล และ 3-(ไดเอธิล อะมิโน)-1,2-โพรเพนไดออล 6. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยเททระเมธิล แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ไดเมธิลพิเพอริโดน, ไทรเอธานอแลมีน, แทรนส์-1,2-ไซโคลเฮกเซน ไดแอมีนเททระแอซีติกแอซิด และน้ำ 7. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยเททระเมธิล แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ไดเมธิลพิเพอริโดน และน้ำ 8. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยเททระเมธิล แอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์, ไดเมธิลพิเพอริโดน, ไทรเอธานอแลมีน, เอธีลีนไดแอมีน เททระ (เมธีลีน ฟอสฟอนิก แอซิด) และน้ำ 9. กรรมวิธีสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรทซึ่งมีไดอิเล็กทริค รูพรุน, ไดอิเล็กทริค K ต่ำ, ไดอิเล็กทริค K สูง หรือการฉาบโลหะทองแดง, ซึ่งกรรมวิธีประกอบรวม ด้วยการสัมผัสซับสเทรทด้วยสารผสมทำความสะอาดเป็นระยะเวลานานเพียงพอที่จะทำความสะอาด ซับสเทรทนั้น, ที่ซึ่งสามผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมของข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่ง ---------------------------------------------------Revised 22/01/59 1. Cleaning mixtures capable of cleaning residues from porous microelectrics, low K dielectrics, high K dielectrics, or copper plating, which such cleaning mixtures consist of: from approximately 0.05% to 30% by weight of one or more types of strong bases produced to non-ammonium ionic non-nucleophilic selected from tetraalkyl ammonium hydroxides or their salts; from 5 to 99.95% by weight of one or more types of steric hindered amide solvents selected from 1,3-dimethyl-2-piperidone and 1,5-dimethyl-2-piperidone; from 0 to 95% by weight of water or other organic co-solvents; 1. From 0 to 40% by weight of steric hinderade amine or alkanolamine; from 0 to 40% by weight of organic or inorganic acids; from 0 to 40% by weight of other metal corrosion inhibitor compounds; from 0 to 5% by weight of surfactants; from 0 to 5% by weight of metal chelating agents; and from 0 to 10% by weight of fluorode compounds. 2. A cleaning mixture of claim 1 in which tetraalkylammonium hydroxide or its salt is a compound with the formula: [(R)4N+]p[X]-q, where each R is a substituted group. or unsubstituted alkyl and X is an OH or anion, salt, and p and q are equal and are integers from 1 to 3. 3. A cleaning mixture of claim 2 in which R is an alkyl group with 1 to 22 carbon atoms and X is an OH or carbonate. 4. A cleaning mixture of claim 3 in which R is an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms. 5. A cleaning mixture of any of the preceding claims which contains water or at least one other organic co-solvent selected from groups containing dimethyl sulfoxide, sulforane, diethanolamine, triethanolamine, 2-(methylamino)ethanol, and 3-(diethylamino)-1,2-propanediol. 6. A cleaning mixture of claim 1 which contains tetramethyl. 7. A cleaning mixture of Patent 1 consisting of tetramethyl ammonium hydroxide, dimethyl piperidone, triethanolamine, trans-1,2-cyclohexane diamine tetraacetic acid, and water. 8. A cleaning mixture of Patent 1 consisting of tetramethyl ammonium hydroxide, dimethyl piperidone, triethanolamine, ethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid), and water. 9. A method for cleaning microelectronic substrates with porous dielectric, low dielectric K, high dielectric K, or copper plating, which involves contact of the substrate with the cleaning mixture for a sufficient period of time to clean it. The substrate, in which the three-component cleaning mixture is composed of any one of the compounds of claims 1 through 8. 1. สารผสมทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดส่วนเหลือจากไมโครอิเล็กโทรนิค ซับสเทรท ซึ่งสารผสมทำความสะอาดที่กล่าวแล้วนั้นประกอบด้วย: จากประมาณ 0.05% ถึง 30% โดยน้ำหนักของหนึ่งสาร หรือมากกว่าของเบสแก่ที่ผลิตให้ นอน-แอมโมเนียมที่มีไอออนตรงข้ามที่มีประจุเป็นบวก, นอน-นิวคลีโอฟิลิค; จากประมาณ 5 ถึงประมาณ 99.95% โดยน้ำหนักของหนึ่งสาร หรือมากกว่าของตัวทำ ละลายสเทอริคฮินเดอเรคแอมิด; จากประมาณ 0 ถึงประมาณ 95% โดยน้ำหนัก ของน้ำ หรือตัวทำละลายร่วมอินทรีย์อื่น ๆ; จากประมาณ 0 ถึง 40% โดยน้ำหนัก ของสเทอริคฮินเดอเรดแอมีน หรือแอลคานอแลมีน; จากประมาณ 0 ถึง 40% โดยน้ำหนัก ของกรดอินทรีย์ หรืออนินทรีย์; จากประมาณ 0 ถึง 40% โดยน้ำหนัก ของสสารประกอบตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่น ๆ; จากประมาณ 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารลดความตึงผิว; จากประมาณ 0 ถึง 10% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบซิลิเกตที่ปราศจากไอออนโลหะ; จากประมาณ 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารช่วยการคีเลทโลหะ และ จากประมาณ 0 ถึง 10% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบฟลูออโรด์1. Cleaning mixtures for cleaning residues from microelectronic substrates, which contain: from approximately 0.05% to 30% by weight of one or more strong bases produced as non-ammonium ionized, non-nucleophilic; from approximately 5% to approximately 99.95% by weight of one or more steric hinderacid solvents; from approximately 0% to approximately 95% by weight of water or other organic co-solvents; from approximately 0% to 40% by weight of steric hinderacid amines or alkanolamines; from approximately 0% to 40% by weight of organic or inorganic acids; from approximately 0% to 40% by weight of other metal corrosion inhibitor compounds; from approximately 0% to 5% by weight of surfactants; from approximately 0% to 10% by weight of metal-ion-free silicate compounds; From approximately 0 to 5% by weight of metal chelating agents and from approximately 0 to 10% by weight of fluorode compounds. 2. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งเบสแก่ที่ผลิตให้นอน-แอมโมเนียม นั้นเป็นเททระแอลคิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ หรือเกลือดของสารนั้น2. The cleaning mixture of the provisions of Patent 1, in which the strong base produced is non-ammonium, is tetraalkylammonium hydroxide or a salt of that substance. 3. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งเททระแอลคิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์ หรือเกลือเป็นสารประกอบที่มีสูตร : [(R)4N+]p[X]-q ซึ่งแต่ละ R เป็นหมู่ซับสทิทิวเทด หรืออันซับสทิทิวเทดแอลคิล และ X เป็น OH หรือแอนไอออน เกลือ และ p และ q เท่ากัน และเป็นเลขจำนวนเต็มจาก 1 ถึง 33. A cleaning mixture of the provisions of claim 2 in which tetraalkylammonium hydroxide or its salt is a compound with the formula: [(R)4N+]p[X]-q, where each R is a substituted or unsubstituted alkyl group and X is an OH or anion, salt and p and q are equal and are integers from 1 to 3. 4. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 3 ซึ่ง R เป็นหมู่แอลคิลที่มี 1 ถึง 22 คาร์บอน อะตอม และ X เป็น OH หรือคาร์บอเนท4. A cleaning mixture of claim 3, where R is an alkyl group with 1 to 22 carbon atoms and X is an OH or carbonate. 5. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่ง R เป็นหมู่แอลคิลที่มีจาก 1 ถึง 6 คาร์บอนอะตอม5. A cleaning compound of claim 4, where R is an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms. 6. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรคแอมิด เป็นสารประกอบที่เลือกจากบรรดาที่มีสูตร : R1CONR2R3 และ (สูตรเคมี) ซึ่ง n เป็นตัวเลขจาก 1 ถึง 22 และเลือก R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 และ R8 แต่ละตัวอย่างเป็นอิสระจาก หมู่ ซึ่งประกอบด้วย H,แอลคิล และแอริล ด้วยข้อแม้ที่ว่าอย่างน้อยหนึ่งของ R1, R2 และ R3 และ อย่างน้อยหนึ่งของ R4, R5, R6, R7 และ R8 ไม่ใช่ไฮโดรเจน6. The cleaning mixture of claim 1, in which the steric solvent, hinderac amid, is a selected compound from among those with the formulas: R1CONR2R3 and (chemical formula), where n is a number from 1 to 22, and R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, and R8 are selected independently of the groups consisting of H, alkyl, and aryl, with the condition that at least one of R1, R2, and R3 and at least one of R4, R5, R6, R7, and R8 are not hydrogen. 7. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรดแอมิด เป็นสารประกอบที่เลือกจากบรรดาที่มีสูตร : R1CONR2R3 และ (สูตรเคมี) ซึ่ง n เป็นตัวเลขจาก 1 ถึง 22 และเลือก R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 และ R8 แต่ละตัวอย่างเป็นอิสระจาก หมู่ ซึ่งประกอบด้วย H,แอลคิล และแอริล ด้วยข้อแม้ที่ว่าอย่างน้อยหนึ่งของ R1, R2 และ R3 และ อย่างน้อยหนึ่งของ R4, R5, R6, R7 และ R8 ไม่ใช่ไฮโดรเจน7. The cleaning mixture of claim 2, in which the steric hinderade amid solvent is a selected compound from among those with the formulas: R1CONR2R3 and (chemical formula), where n is a number from 1 to 22, and R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 and R8 are selected independently of the groups consisting of H, alkyl and aryl, with the condition that at least one of R1, R2 and R3 and at least one of R4, R5, R6, R7 and R8 are not hydrogen. 8. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 3 ซึ่งตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรดแอมิด เป็นสารประกอบที่เลือกจากบรรดาที่มีสูตร : R1CONR2R3 และ (สูตรเคมี) ซึ่ง n เป็นตัวเลขจาก 1 ถึง 22 และเลือก R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 และ R8 แต่ละตัวอย่างเป็นอิสระจาก หมู่ ซึ่งประกอบด้วย H,แอลคิล และแอริล ด้วยข้อแม้ที่ว่าอย่างน้อยหนึ่งของ R1, R2 และ R3 และ อย่างน้อยหนึ่งของ R4, R5, R6, R7 และ R8 ไม่ใช่ไฮโดรเจน8. The cleaning mixture of claim 3, in which the steric hinderade amid solvent is a selected compound from among those with the formulas: R1CONR2R3 and (chemical formula), where n is a number from 1 to 22, and R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 and R8 each sample is independent of the groups consisting of H, alkyl and aryl, with the condition that at least one of R1, R2 and R3 and at least one of R4, R5, R6, R7 and R8 is not hydrogen. 9. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่งตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรดแอมิด เป็นสารประกอบที่เลือกจากบรรดาที่มีสูตร : R1CONR2R3 และ (สูตรเคมี) ซึ่ง n เป็นตัวเลขจาก 1 ถึง 22 และเลือก R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 และ R8 แต่ละตัวอย่างเป็นอิสระจาก หมู่ ซึ่งประกอบด้วย H,แอลคิล และแอริล ด้วยข้อแม้ที่ว่าอย่างน้อยหนึ่งของ R1, R2 และ R3 และ อย่างน้อยหนึ่งของ R4, R5, R6, R7 และ R8 ไม่ใช่ไฮโดรเจน9. The cleaning mixture of claim 4, in which the steric hinderade amid solvent is a selected compound from among those with the formulas: R1CONR2R3 and (chemical formula), where n is a number from 1 to 22, and R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 and R8 each sample is independent of the groups consisting of H, alkyl and aryl, with the condition that at least one of R1, R2 and R3 and at least one of R4, R5, R6, R7 and R8 is not hydrogen. 10. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 5 ซึ่งตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรดแอมิด เป็นสารประกอบที่เลือกจากบรรดาที่มีสูตร : R1CONR2R3 และ (สูตรเคมี) ซึ่ง n เป็นตัวเลขจาก 1 ถึง 22 และเลือก R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 และ R8 แต่ละตัวอย่างเป็นอิสระจาก หมู่ ซึ่งประกอบด้วย H,แอลคิล และแอริล ด้วยข้อแม้ที่ว่าอย่างน้อยหนึ่งของ R1, R2 และ R3 และ อย่างน้อยหนึ่งของ R4, R5, R6, R7 และ R8 ไม่ใช่ไฮโดรเจน10. The cleaning mixture of claim 5, in which the steric hinderade amid solvent is a selected compound from among those with the formulas: R1CONR2R3 and (chemical formula), where n is a number from 1 to 22, and R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 and R8 each sample is independent of the groups consisting of H, alkyl and aryl, with the condition that at least one of R1, R2 and R3 and at least one of R4, R5, R6, R7 and R8 is not hydrogen. 11. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 10 ซึ่งในนิยามของหมู่ R1 ถึง R8 หมู่แอลคิลมี จาก 1 ถึง 6 คาร์บอนอะตอม และหมู่แอริลมีจาก 3 ถึง 14 คาร์บอนอะตอม11. The cleaning mixture of claim 10, which by definition includes groups R1 through R8, contains alkyl groups from 1 to 6 carbon atoms and aryl groups from 3 to 14 carbon atoms. 12. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งเลือกตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรด แอดมิดจากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยแอซิแทมิด, ไดเมธิลฟอร์มามิด (DMF), N,N'-ไดเมธิลแอซิแทมิด (DMAc), N-เมธิล-1-2-พิร์โรลิดิโนน (NMP),1,5-ไดเมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน, 1,3-ไดเมธิล-2- พิเพอริโดน, 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)2-พิร์โรลิดิโนน และ 1,5-ไดเมธิล 2-พิเพอริโดน12. The cleaning mixture of Patent 1, which selects a steric hinderade solvent admid from the group consisting of acetamid, dimethylformamid (DMF), N,N'-dimethylacetamid (DMAc), N-methyl-1-2-pyrrolidinone (NMP), 1,5-dimethyl-2-pyrrolidinone, 1,3-dimethyl-2-piperidone, 1-(2-hydroxyethyl)2-pyrrolidinone and 1,5-dimethyl 2-piperidone. 13. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งเลือกตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรด แอดมิดจากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยแอซิแทมิด, ไดเมธิลฟอร์มามิด (DMF), N,N'-ไดเมธิลแอซิแทมิด (DMAc), N-เมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน (NMP), 1,5-ไดเมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน, 1,3-ไดเมธิล-2- พิเพอริโดน, 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)2-พิร์โรลิดิโนน และ 1,5-ไดเมธิล 2-พิเพอริโดน13. The cleaning mixture of Patent 2, which selects a steric hinderade solvent admid from the group consisting of acetamid, dimethylformamid (DMF), N,N'-dimethylacetamid (DMAc), N-methyl-2-pyrrolidinone (NMP), 1,5-dimethyl-2-pyrrolidinone, 1,3-dimethyl-2-piperidone, 1-(2-hydroxyethyl)2-pyrrolidinone and 1,5-dimethyl 2-piperidone. 14. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 3 ซึ่งเลือกตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรด แอดมิดจากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยแอซิแทมิด,ไดเมธิลฟอร์มามิด (DMF), N,N'-ไดเมธิลแอซิแทมิด (DMAc), N-เมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน (NMP), 1,5-ไดเมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน, 1,3-ไดเมธิล-2- พิเพอริโดน, 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)2-พิร์โรลิดิโนน และ 1,5-ไดเมธิล 2-พิเพอริโดน14. The cleaning mixture of Patent 3, which selects a steric hinderade solvent admid from the group consisting of acetamid, dimethylformamid (DMF), N,N'-dimethylacetamid (DMAc), N-methyl-2-pyrrolidinone (NMP), 1,5-dimethyl-2-pyrrolidinone, 1,3-dimethyl-2-piperidone, 1-(2-hydroxyethyl)2-pyrrolidinone and 1,5-dimethyl 2-piperidone. 15. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่งเลือกตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรด แอดมิดจากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยแอซิแทมิด,ไดเมธิลฟอร์มามิด (DMF), N,N'-ไดเมธิลแอซิแทมิด (DMAc), N-เมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน (NMP), 1,5-ไดเมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน, 1,3-ไดเมธิล-2- พิเพอริโดน, 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)2-พิร์โรลิดิโนน และ 1,5-ไดเมธิล 2-พิเพอริโดน15. The cleaning mixture of Patent 4, which selects a steric hinderade solvent admid from the group consisting of acetamid, dimethylformamid (DMF), N,N'-dimethylacetamid (DMAc), N-methyl-2-pyrrolidinone (NMP), 1,5-dimethyl-2-pyrrolidinone, 1,3-dimethyl-2-piperidone, 1-(2-hydroxyethyl)2-pyrrolidinone and 1,5-dimethyl 2-piperidone. 16. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 5 ซึ่งเลือกตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรด แอดมิดจากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยแอซิแทมิด,ไดเมธิลฟอร์มามิด (DMF), N,N'-ไดเมธิลแอซิแทมิด (DMAc), N-เมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน (NMP), 1,5-ไดเมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน, 1,3-ไดเมธิล-2- พิเพอริโดน, 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)2-พิร์โรลิดิโนน และ 1,5-ไดเมธิล 2-พิเพอริโดน16. The cleaning mixture of Patent 5, which selects a steric hinderade solvent admid from the group consisting of acetamid, dimethylformamid (DMF), N,N'-dimethylacetamid (DMAc), N-methyl-2-pyrrolidinone (NMP), 1,5-dimethyl-2-pyrrolidinone, 1,3-dimethyl-2-piperidone, 1-(2-hydroxyethyl)2-pyrrolidinone and 1,5-dimethyl 2-piperidone. 17. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยน้ำ หรืออย่างน้อยหนึ่ง ตัวทำละลายร่วมอินทรีย์อื่น ๆ ที่เลือกจากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยไดเมธิลซัลฟอกไซด์, ซัลฟอเลน, ไดเอธานอแลมีน, ไทรเอธานอแลมีน, 2-(เมธิลอะมิโน)เอธานอล และ 3-(ไดเอธิลอะมิโน)-1,2- โพรเพนไดออล17. The cleaning mixture of claim 1, which shall consist of water or at least one other organic co-solvent selected from the group of dimethyl sulfoxide, sulforane, diethanolamine, triethanolamine, 2-(methylamino)ethanol, and 3-(diethylamino)-1,2-propanediol. 18. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 6 ซึ่งประกอบรวมด้วยน้ำ หรืออย่างน้อยหนึ่ง ตัวทำละลายร่วมอินทรีย์อื่น ๆ ที่เลือกจากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยไดเมธิลซัลฟอกไซด์, ซัลฟอเลน, ไดเอธานอแลมีน, ไทรเอธานอแลมีน, 2-(เมธิลอะมิโน)เอธานอล และ 3-(ไดเอธิลอะมิโน)-1,2- โพรเพนไดออล18. The cleaning mixture of claim 6, which contains water or at least one other organic co-solvent selected from the group of dimethyl sulfoxide, sulforane, diethanolamine, triethanolamine, 2-(methylamino)ethanol, and 3-(diethylamino)-1,2-propanediol. 19. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 11 ซึ่งประกอบรวมด้วยน้ำ หรืออย่างน้อย หนึ่งตัวทำละลายร่วมอินทรีย์อื่น ๆ ที่เลือกจากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยไดเมธิลซัลฟอกไซด์, ซัลฟอเลน, ไดเอธานอแลมีน, ไทรเอธานอแลมีน, 2-(เมธิลอะมิโน)เอธานอล และ 3-(ไดเอธิลอะมิโน)-1,2- โพรเพนไดออล19. The cleaning mixture of claim 11 shall consist of water or at least one other organic co-solvent selected from the group of dimethyl sulfoxide, sulforane, diethanolamine, triethanolamine, 2-(methylamino)ethanol, and 3-(diethylamino)-1,2-propanediol. 20. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งประกอบรวมด้วยน้ำ หรืออย่างน้อย หนึ่งตัวทำละลายร่วมอินทรีย์อื่น ๆ ที่เลือกจากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยไดเมธิลซัลฟอกไซด์, ซัลฟอเลน, ไดเอธานอแลมีน, ไทรเอธานอแลมีน, 2-(เมธิลอะมิโน)เอธานอล และ 3-(ไดเอธิลอะมิโน)-1,2- โพรเพนไดออล20. The cleaning mixture of claim 16 shall consist of water or at least one other organic co-solvent selected from the group of dimethyl sulfoxide, sulforane, diethanolamine, triethanolamine, 2-(methylamino)ethanol, and 3-(diethylamino)-1,2-propanediol. 21. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยเททระเมธิล แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ไดเมธิลพิเพอริโดน, ไทรเอธานอแลมีน, แทรนส์-1,2-ไซโคลเฮกเซน ไดแอมีนเททระแอซีติกแอซิด และน้ำ21. The cleaning mixture of claim 1, which consists of tetramethyl ammonium hydroxide, dimethyl piperidone, triethanolamine, trans-1,2-cyclohexane diamine tetraacetic acid and water. 22. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยเททระเมธิล แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ไดเมธิลพิเพอริโดน และน้ำ22. The cleaning mixture of claim 1, which consists of tetramethyl ammonium hydroxide, dimethyl piperidone and water. 23. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยเททระเมธิล แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ไดเมธิลพิเพอริโดน, ไทรเอธานอแลมีน, เอธีลีนไดแอมีนเททระ (เมธีลีนฟอสฟอนิคแอซิด) และน้ำ23. The cleaning mixture of claim 1, which consists of tetramethyl ammonium hydroxide, dimethyl piperidone, triethanolamine, ethylenediamine tetra(methylenephosphonic acid) and water. 24. กรรมวิธีสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กโทรนิคซับสเทรท 1 ที่มีอย่างน้อย หนึ่งของไดอิเล็กทริครูพรุน, ไดอิเล็กทริค (แคปปา) ต่ำ, ไดอิเล็กทริค (แคปปา) สูง หรือการฉาบด้วยโลหะทองแดง ซึ่งกรรมวิธีนั้นประกอบด้วยการสัมผัสซับสเทรทนั้นด้วยสารผสมทำความสะอาดนานเวลาที่ เพียงพอที่จะทำความสะอาดซับสเทรทนั้น ซึ่งสารผสมทำความสะอาดนั้นประกอบรวมด้วย : จากประมาณ 0.05% ถึง 30% โดยน้ำหนักของหนึ่งสาร หรือมากกว่าของเบสแก่ที่ผลิตให้ นอน-แอมโมเนียมที่มีไอออนตรงข้ามที่มีประจุเป็นบวก, นอน-นิวคลีโอฟิลิค; จากประมาณ 5 ถึงประมาณ 99.95% โดยน้ำหนัก ของตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรคแอมิด; จากประมาณ 0 ถึงประมาณ 95% โดยน้ำหนัก ของน้ำ หรือตัวทำละลายร่วมอินทรีย์อื่น ๆ; จากประมาณ 0 ถึง 40% โดยน้ำหนัก ของสเทอริคฮินเดอเรดแอมีน หรือแอลคานอแลมีน; จากประมาณ 0 ถึง 40% โดยน้ำหนัก ของกรดอินทรีย์ หรืออนินทรีย์; จากประมาณ 0 ถึง 40% โดยน้ำหนัก ของสสารประกอบตัวยับยั้งการกัดกร่อนโลหะอื่น ๆ; จากประมาณ 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารลดความตึงผิว; จากประมาณ 0 ถึง 10% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบซิลิเกตที่ปราศจากไอออนโลหะ; จากประมาณ 0 ถึง 5% โดยน้ำหนัก ของสารช่วยการคีเลทโลหะ และ จากประมาณ 0 ถึง 10% โดยน้ำหนัก ของสารประกอบฟลูออโรด์24. A procedure for cleaning microelectronic substrates 1 containing at least one porous dielectric, low dielectric (kappa), high dielectric (kappa), or copper coating, which involves contacting the substrate with a cleaning solution for a time sufficient to clean the substrate. The cleaning solution shall consist of: from approximately 0.05% to 30% by weight of one or more strong bases produced to non-ammonium ionic non-nucleophilic non-ammonias; from approximately 5% to approximately 99.95% by weight of steric hinderacid amides; from approximately 0% to approximately 95% by weight of water or other organic co-solvents; from approximately 0% to 40% by weight of steric hinderacid amines or alkanolamines; from approximately 0% to 40% by weight of organic or inorganic acids; From approximately 0 to 40% by weight of other metal corrosion inhibitor compounds; from approximately 0 to 5% by weight of surfactants; from approximately 0 to 10% by weight of metal-ion-free silicate compounds; from approximately 0 to 5% by weight of metal chelating agents; and from approximately 0 to 10% by weight of fluorode compounds. 25. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 24 ซึ่งเบสแก่ที่ผลิตให้นอน-แอมโมเนียมนั้นเป็นเททระ แอลคิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ หรือเกลือดของสารนั้น25. The procedure of claim 24 in which the strong base produced to non-ammonium is tetraalkylammonium hydroxide or a salt of that substance. 26. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 25 ซึ่งเททระแอลคิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ หรือเกลือเป็น สารประกอบที่มีสูตร : [(R)4N+]p[X]-q ซึ่งแต่ละ R เป็นหมู่ซับสทิทิวเทด หรืออันซับสทิทิวเทดแอลคิล และ X เป็น OH หรือแอนไอออน เกลือ และ p และ q เท่ากัน และเป็นเลขจำนวนเต็มจาก 1 ถึง 326. Procedure of Claim 25, in which tetraalkylammonium hydroxide, or its salt, is a compound with the formula: [(R)4N+]p[X]-q, where each R is either a substituted or unsubstituted alkyl group and X is an OH or anion, and p and q are equal and are integers from 1 to 3. 27. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 26 ซึ่ง R เป็นหมู่แอลคิลที่มี 1 ถึง 22 คาร์บอนอะตอม และ X เป็น OH หรือคาร์บอเนท27. Procedure of claim 26, where R is an alkyl group with 1 to 22 carbon atoms and X is an OH or carbonate. 28. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 27 ซึ่ง R เป็นหมู่แอลคิลที่มีจาก 1 ถึง 6 คาร์บอนอะตอม28. Procedure for claim 27, where R is an alkyl group ranging from 1 to 6 carbon atoms. 29. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 24 ซึ่งตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรคแอมิดเป็นสาร ประกอบที่เลือกจากบรรดาที่มีสูตร : R1CONR2R3 และ (สูตรเคมี) ซึ่ง n เป็นตัวเลขจาก 1 ถึง 22 และเลือก R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 และ R8 แต่ละตัวอย่างเป็นอิสระจาก หมู่ ซึ่งประกอบด้วย H,แอลคิล และแอริล ด้วยข้อแม้ที่ว่าอย่างน้อยหนึ่งของ R1, R2 และ R3 และ อย่างน้อยหนึ่งของ R4, R5, R6, R7 และ R8 ไม่ใช่ไฮโดรเจน29. Procedure of Claim 24 in which the steric solvent hinderac amid is chosen from among those with the formulas: R1CONR2R3 and (chemical formula), where n is a number from 1 to 22, and each R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 and R8 are chosen independently of the groups consisting of H, alkyl and aryl, with the condition that at least one of R1, R2 and R3 and at least one of R4, R5, R6, R7 and R8 are not hydrogen. 30. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 25 ซึ่งตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรคแอมิดเป็นสารประกอบ ที่เลือกจากบรรดาที่มีสูตร : R1CONR2R3 และ (สูตรเคมี) ซึ่ง n เป็นตัวเลขจาก 1 ถึง 22 และเลือก R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 และ R8 แต่ละตัวอย่างเป็นอิสระจาก หมู่ ซึ่งประกอบด้วย H,แอลคิล และแอริล ด้วยข้อแม้ที่ว่าอย่างน้อยหนึ่งของ R1, R2 และ R3 และ อย่างน้อยหนึ่งของ R4, R5, R6, R7 และ R8 ไม่ใช่ไฮโดรเจน30. Procedure of Claim 25, in which the steric solvent hinderac amid is chosen from among those with the formulas: R1CONR2R3 and (chemical formula), where n is a number from 1 to 22, and R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 and R8 are each chosen independently of the groups consisting of H, alkyl and aryl, with the condition that at least one of R1, R2 and R3 and at least one of R4, R5, R6, R7 and R8 are not hydrogen. 31. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 26 ซึ่งตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรคแอมิดเป็นสารประกอบ ที่เลือกจากบรรดาที่มีสูตร : R1CONR2R3 และ (สูตรเคมี) ซึ่ง n เป็นตัวเลขจาก 1 ถึง 22 และเลือก R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 และ R8 แต่ละตัวอย่างเป็นอิสระจาก หมู่ ซึ่งประกอบด้วย H,แอลคิล และแอริล ด้วยข้อแม้ที่ว่าอย่างน้อยหนึ่งของ R1, R2 และ R3 และ อย่างน้อยหนึ่งของ R4, R5, R6, R7 และ R8 ไม่ใช่ไฮโดรเจน31. Procedure of Claim 26, in which the steric solvent hinderac amid is chosen from among those with the formulas: R1CONR2R3 and (chemical formula), where n is a number from 1 to 22, and R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 and R8 are each chosen independently of the groups H, alkyl and aryl, with the condition that at least one of R1, R2 and R3 and at least one of R4, R5, R6, R7 and R8 are not hydrogen. 32. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 27 ซึ่งตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรคแอมิดเป็นสารประกอบ ที่เลือกจากบรรดาที่มีสูตร : R1CONR2R3 และ (สูตรเคมี) ซึ่ง n เป็นตัวเลขจาก 1 ถึง 22 และเลือก R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 และ R8 แต่ละตัวอย่างเป็นอิสระจาก หมู่ ซึ่งประกอบด้วย H,แอลคิล และแอริล ด้วยข้อแม้ที่ว่าอย่างน้อยหนึ่งของ R1, R2 และ R3 และ อย่างน้อยหนึ่งของ R4, R5, R6, R7 และ R8 ไม่ใช่ไฮโดรเจน32. Procedure of Claim 27, in which the steric solvent hinderac amid is chosen from among those with the formulas: R1CONR2R3 and (chemical formula), where n is a number from 1 to 22, and R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 and R8 are each chosen independently of the groups H, alkyl and aryl, with the condition that at least one of R1, R2 and R3 and at least one of R4, R5, R6, R7 and R8 are not hydrogen. 33. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 28 ซึ่งตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรคแอมิดเป็นสารประกอบ ที่เลือกจากบรรดาที่มีสูตร : R1CONR2R3 และ (สูตรเคมี) ซึ่ง n เป็นตัวเลขจาก 1 ถึง 22 และเลือก R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 และ R8 แต่ละตัวอย่างเป็นอิสระจาก หมู่ ซึ่งประกอบด้วย H,แอลคิล และแอริล ด้วยข้อแม้ที่ว่าอย่างน้อยหนึ่งของ R1, R2 และ R3 และ อย่างน้อยหนึ่งของ R4, R5, R6, R7 และ R8 ไม่ใช่ไฮโดรเจน33. Procedure of Claim 28, in which the steric solvent hinderac amid is chosen from among those with the formulas: R1CONR2R3 and (chemical formula), where n is a number from 1 to 22, and R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 and R8 are each chosen independently of the groups H, alkyl and aryl, with the condition that at least one of R1, R2 and R3 and at least one of R4, R5, R6, R7 and R8 are not hydrogen. 34. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 33 ซึ่งในนิยามของหมู่ R1 ถึง R8 หมู่แอลคิลมีจาก 1 ถึง 6 คาร์บอนอะตอม และหมู่แอริลมีจาก 3 ถึง 14 คาร์บอนอะตอม34. Procedure for claim 33, which by definition of groups R1 through R8, alkyl groups consist of 1 to 6 carbon atoms and aryl groups consist of 3 to 14 carbon atoms. 35. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 24 ซึ่งเลือกตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรดแอดมิดจากหมู่ ซึ่ง ประกอบด้วยแอซิแทมิด,ไดเมธิลฟอร์มามิด (DMF), N,N'-ไดเมธิลแอซิแทมิด (DMAc), N-เมธิล-1-2- พิร์โรลิดิโนน (NMP), 1,5-ไดเมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน, 1,3-ไดเมธิล-2- พิเพอริโดน, 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล) 2-พิร์โรลิดิโนน และ 1,5-ไดเมธิล 2-พิเพอริโดน35. The procedure for claim 24, which selects a steric hinderade admidate solvent from a group consisting of acetamid, dimethylformamid (DMF), N,N'-dimethylacetamid (DMAc), N-methyl-1-2-pyrrolidinone (NMP), 1,5-dimethyl-2-pyrrolidinone, 1,3-dimethyl-2-piperidone, 1-(2-hydroxyethyl)2-pyrrolidinone, and 1,5-dimethyl2-piperidone. 36. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 25 ซึ่งเลือกตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรดแอดมิดจากหมู่ ซึ่ง ประกอบด้วยแอซิแทมิด, ไดเมธิลฟอร์มามิด (DMF), N,N'-ไดเมธิลแอซิแทมิด (DMAc), N-เมธิล-1-2- พิร์โรลิดิโนน (NMP), 1,5-ไดเมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน, 1,3-ไดเมธิล-2- พิเพอริโดน, 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล) 2-พิร์โรลิดิโนน และ 1,5-ไดเมธิล 2-พิเพอริโดน36. The procedure for claim 25, which selects a steric hinderade admidate solvent from a group consisting of acetamid, dimethylformamid (DMF), N,N'-dimethylacetamid (DMAc), N-methyl-1-2-pyrrolidinone (NMP), 1,5-dimethyl-2-pyrrolidinone, 1,3-dimethyl-2-piperidone, 1-(2-hydroxyethyl)2-pyrrolidinone, and 1,5-dimethyl2-piperidone. 37. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 26 ซึ่งเลือกตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรดแอดมิดจากหมู่ ซึ่ง ประกอบด้วยแอซิแทมิด,ไดเมธิลฟอร์มามิด (DMF), N,N'-ไดเมธิลแอซิแทมิด (DMAc), N-เมธิล-1-2- พิร์โรลิดิโนน (NMP), 1,5-ไดเมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน, 1,3-ไดเมธิล-2- พิเพอริโดน, 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล) 2-พิร์โรลิดิโนน และ 1,5-ไดเมธิล 2-พิเพอริโดน37. The procedure for claim 26, which selects a steric hinderade admidate solvent from a group consisting of acetamid, dimethylformamid (DMF), N,N'-dimethylacetamid (DMAc), N-methyl-1-2-pyrrolidinone (NMP), 1,5-dimethyl-2-pyrrolidinone, 1,3-dimethyl-2-piperidone, 1-(2-hydroxyethyl)2-pyrrolidinone, and 1,5-dimethyl2-piperidone. 38. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 27 ซึ่งเลือกตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรดแอดมิดจากหมู่ ซึ่ง ประกอบด้วยแอซิแทมิด,ไดเมธิลฟอร์มามิด (DMF), N,N'-ไดเมธิลแอซิแทมิด (DMAc), N-เมธิล-1-2- พิร์โรลิดิโนน (NMP), 1,5-ไดเมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน, 1,3-ไดเมธิล-2- พิเพอริโดน, 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล) 2-พิร์โรลิดิโนน และ 1,5-ไดเมธิล 2-พิเพอริโดน38. The procedure for claim 27, which selects a steric hinderade admidate solvent from a group consisting of acetamid, dimethylformamid (DMF), N,N'-dimethylacetamid (DMAc), N-methyl-1-2-pyrrolidinone (NMP), 1,5-dimethyl-2-pyrrolidinone, 1,3-dimethyl-2-piperidone, 1-(2-hydroxyethyl)2-pyrrolidinone, and 1,5-dimethyl2-piperidone. 39. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 28 ซึ่งเลือกตัวทำละลายสเทอริคฮินเดอเรดแอดมิดจากหมู่ ซึ่ง ประกอบด้วยแอซิแทมิด, ไดเมธิลฟอร์มามิด (DMF), N,N'-ไดเมธิลแอซิแทมิด (DMAc), N-เมธิล-1-2- พิร์โรลิดิโนน (NMP), 1,5-ไดเมธิล-2-พิร์โรลิดิโนน, 1,3-ไดเมธิล-2- พิเพอริโดน, 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล) 2-พิร์โรลิดิโนน และ 1,5-ไดเมธิล 2-พิเพอริโดน39. The procedure for claim 28, which selects a steric hinderade admidate solvent from a group consisting of acetamid, dimethylformamid (DMF), N,N'-dimethylacetamid (DMAc), N-methyl-1-2-pyrrolidinone (NMP), 1,5-dimethyl-2-pyrrolidinone, 1,3-dimethyl-2-piperidone, 1-(2-hydroxyethyl)2-pyrrolidinone, and 1,5-dimethyl2-piperidone. 40. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 24 ซึ่งสารผสมทำความสะอาดนั้นประกอบรวมด้วยน้ำ หรือ อย่างน้อยหนึ่งตัวทำละลายร่วมอินทรีย์อื่น ๆ ที่เลือกจากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยไดเมธิลซัลฟอกไซด์, ซัลฟอเลน, ไดเอธานอแลมีน, ไทรเอธานอแลมีน, 2-(เมธิลอะมิโน)เอธานอล และ 3-(ไดเอธิล อะมิโน)-1,2-โพรเพนไดออล40. The process of claim 24 in which the cleaning mixture is composed of water or at least one other organic co-solvent selected from the group of dimethyl sulfoxide, sulforane, diethanolamine, triethanolamine, 2-(methylamino)ethanol and 3-(diethylamino)-1,2-propanediol. 41. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 34 ซึ่งสารผสมทำความสะอาดนั้นประกอบรวมด้วยน้ำ หรือ อย่างน้อยหนึ่งตัวทำละลายร่วมอินทรีย์อื่น ๆ ที่เลือกจากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยไดเมธิลซัลฟอกไซด์, ซัลฟอเลน, ไดเอธานอแลมีน, ไทรเอธานอแลมีน, 2-(เมธิลอะมิโน)เอธานอล และ 3-(ไดเอธิล อะมิโน)-1,2-โพรเพนไดออล41. The process of claim 34 in which the cleaning mixture is composed of water or at least one other organic co-solvent selected from the group of dimethyl sulfoxide, sulforane, diethanolamine, triethanolamine, 2-(methylamino)ethanol and 3-(diethylamino)-1,2-propanediol. 42. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 34 ซึ่งสารผสมทำความสะอาดนั้นประกอบรวมด้วยน้ำ หรือ อย่างน้อยหนึ่งตัวทำละลายร่วมอินทรีย์อื่น ๆ ที่เลือกจากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยไดเมธิลซัลฟอกไซด์, ซัลฟอเลน, ไดเอธานอแลมีน, ไทรเอธานอแลมีน, 2-(เมธิลอะมิโน)เอธานอล และ 3-(ไดเอธิล อะมิโน)-1,2-โพรเพนไดออล42. The process of claim 34 in which the cleaning mixture is composed of water or at least one other organic co-solvent selected from the group of dimethyl sulfoxide, sulforane, diethanolamine, triethanolamine, 2-(methylamino)ethanol and 3-(diethylamino)-1,2-propanediol. 43. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 39 ซึ่งสารผสมทำความสะอาดนั้นประกอบรวมด้วยน้ำ หรือ อย่างน้อยหนึ่งตัวทำละลายร่วมอินทรีย์อื่น ๆ ที่เลือกจากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยไดเมธิลซัลฟอกไซด์, ซัลฟอเลน, ไดเอธานอแลมีน, ไทรเอธานอแลมีน, 2-(เมธิลอะมิโน)เอธานอล และ 3-(ไดเอธิล อะมิโน)-1,2-โพรเพนไดออล43. The process of claim 39 in which the cleaning mixture is composed of water or at least one other organic co-solvent selected from the group of dimethyl sulfoxide, sulforane, diethanolamine, triethanolamine, 2-(methylamino)ethanol and 3-(diethylamino)-1,2-propanediol. 44. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 24 ซึ่งสารผสมทำความสะอาดนั้นประกอบรวมด้วยเททระ เมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ไดเมธิลพิเพอริโดน, ไทรเอธานอแลมีน, แทรนส์-1,2-ไซโคลเฮกเซน ไดแอมีน เททระแอซีติกแอซิด และน้ำ44. The procedure of claim 24, in which the cleaning mixture consists of tetramethylammonium hydroxide, dimethylpiperidone, triethanolamine, trans-1,2-cyclohexane diamine, tetraacetic acid and water. 45. กรรมวิธีของข้อถือสิทธิข้อ 24 ซึ่งสารผสมทำความสะอาดนั้นประกอบรวมด้วยเททระ เมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ไดเมธิลพิเพอริโดน และน้ำ45. The procedure of claim 24, in which the cleaning mixture consists of tetramethylammonium hydroxide, dimethylpiperidone and water. 46. สารผสมทำความสะอาดของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยเททระเมธิล แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ไดเมธิลพิเพอริโดน, ไทรเอธานอแลมีน, เอธีลีนไดแอมีน เททระ (เมธีลีนฟอสฟอนิคแอซิด) และน้ำ46. The cleaning mixture of claim 1, which consists of tetramethyl ammonium hydroxide, dimethyl piperidone, triethanolamine, ethylenediamine tetra(methylenephosphonic acid) and water.
TH201002526A 2002-07-09 An ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compound with improved substrate compatibility. TH49478B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH61688A TH61688A (en) 2004-04-26
TH49478B true TH49478B (en) 2016-05-19

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100822236B1 (en) Resist stripper
CA2452885A1 (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
CA2452884A1 (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
US20040152608A1 (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
JPH07295240A (en) Non-corrosive photoresist stripping composition
KR101799591B1 (en) Cleaning composition for electronic devices
JP2004536181A5 (en)
ES2345616T3 (en) NON-WATERY CLEANING COMPOSITIONS FOR MICROELECTRONICS CONTAINING FRUCTOSE.
EP1836535A1 (en) Non-aqueous, non-corrosive microelectronic cleaning compositions
JP6497668B2 (en) Stripper composition for removing photoresist and photoresist stripping method using the same
KR100874173B1 (en) An aqueous cleaning composition containing a copper specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrates.
TH61688A (en) An ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compound with improved substrate compatibility.
TWI787170B (en) Cleaning solution and cleaning method
US7012051B2 (en) Inhibition of titanium corrosion
CN110361941B (en) Positive photoresist stripping liquid, preparation method and application thereof
JP4474776B2 (en) Resist stripper
TW202449131A (en) Compositions containing n-substituted piperazines for electronic manufacturing applications
KR20130068903A (en) Cleaning composition using electronic material
KR20130070061A (en) Cleaning composition using electronic material
TW583719B (en) Agent for cleaning substrate
TW202313951A (en) Composition for photoresist stripper and preparation method thereof
TH65770A (en) An ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compound with improved substrate compatibility.
JP2002116558A (en) Resist stripper
TH52089B (en) Nano-electronic and microelectronic cleaning mixtures
TH78156A (en) Nano-electronic and microelectronic cleaning mixtures