TH41450A - วิธีการของการเคลือบของด้วยคาร์บอนคล้ายเพชร - Google Patents
วิธีการของการเคลือบของด้วยคาร์บอนคล้ายเพชรInfo
- Publication number
- TH41450A TH41450A TH9801002244A TH9801002244A TH41450A TH 41450 A TH41450 A TH 41450A TH 9801002244 A TH9801002244 A TH 9801002244A TH 9801002244 A TH9801002244 A TH 9801002244A TH 41450 A TH41450 A TH 41450A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- diamond
- carbon film
- substrate
- environment
- approx
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (28/09/42) วิธีการของการสร้างฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรบนวัสดุรองรับ ที่ประกอบด้วยขั้นตอนของการ เผย วัสดุรองรับกับสภาพแวดล้อม แก๊สไฮโดรคาร์บอน และการก่อกำเนิดพลาสมาในสภาพแวดล้อม ที่มี ความหนาแน่นอิเล็กตรอนมากกว่าประมาณ 5x10ยกกำลัง10 ต่อลูกบาศก์เซนติเมตร และความหนาของแผ่นน้อยกว่า ประมาณ 2 มิลลิเมตร ภายใต้ภาวะ ของไอออนฟลักซ์สูง และการระดมยิงไอออนพลังงานต่ำที่ควบ คุม อีกทั้ง ชิ้นวัตถุของการผลิตซึ่งรวมวัสดุรองรับที่มีผิว หนึ่ง และฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรบนผิว นั้น ซี่งฟิล์มนั้นมี ความแข็งมากกว่าประมาณ 20 จิกะพาสคัล และไม่มีเกรนที่มอง เห็นได้เส้นผ่าศูนย์ กลาง 300 อังสตรอม หรือมากกว่า เมื่อดู ที่กำลังขยาย 50,000x ในฟิลด์อิมัสชันสแกนนิง อิ เล็กตรอนไมโครสโคพ วิธีการของการสร้างฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรบนวัสดุรองรับที่ประกอบด้วยขั้นตอนของการเผยวัสดุรองรับกับสภาพแวดล้อม แก๊สไฮโดรคาร์บอน และการก่อกำเนิดพลาสมาในสภาพแวดล้อมที่มี ความหนาแน่นอิเล็กตรอนมากกว่าประมาณ 5x1010 ต่อเซนติเมตร3 และความหนาของแผ่นน้อยกว่าประมาณ 2 มิลลิเมตร ภายใต้ภาวะ ของไอออนฟลักซ์สูง และการระดมยิงไอออนพลังงานต่ำที่ควบคุม อีกทั้ง ชิ้นวัตถุของการผลิตซึ่งรวมวัสดุรองรับที่มีผิว หนึ่ง และฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรบนผิวนั้น ซี่งฟิล์มนั้นมี ความแข็งมากกว่าประมาณ 20 จิกะพาสคัล และไม่มีเกรนที่มอง เห็นได้เส้นผ่าศูนย์กลาง 300 อังสตรอม หรือมากกว่า เมื่อดู ที่กำลังขยาย 50,000x ในฟิลด์อิมัสชันสแกนนิงอิ เล็กตรอนไมโครสโคพ
Claims (3)
1. วิธีการของการสร้างฟิล์มคาร์บอนคล้ายเพชรบนวัสดุรองรับที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ : การเผยวัสดุรองรับกับสภาพแวดล้อมแก๊สไฮโดรคาร์บอน และ การก่อกำเนิดพลาสมาในสภาพแวดล้อมที่กล่าวแล้วนั้นที่มี ความหนาแน่นอิเล็กตรอนมากกว่าประมาณ 5x1010 ต่อเซนติเมตร3 และความหนาของแผ่นน้อยกว่าประมาณ 2 มิลลิเมตร ภายใต้ภาวะ ของไอออนฟลักซ์สูง และการระดมยิงไอออนพลังงานต่ำที่ควบคุม
2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซี่งสภาพแวดล้อมที่กล่าว แล้วนั้นประกอบด้วยแก๊สที่เลือกจากหมู่ CH4, C2H2, C6H6, C2H6, และ C3H6
3. วิธีการของข้อถือสิทธแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH41450A true TH41450A (th) | 2000-11-28 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2290514A1 (en) | A method of coating edges with diamond-like carbon | |
| Weissmantel et al. | Preparation and properties of hard iC and i-BN coatings | |
| GB2342660A (en) | Producing a carbon film on a substrate | |
| Miyake et al. | Improved microscratch hardness of ion‐plated carbon film by nitrogen inclusion evaluated by atomic force microscope | |
| Silva et al. | The structure of tetrahedral amorphous carbon thin films | |
| Tsuda et al. | Characterization of amorphous hydrogenated carbon formed by low-pressure inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition using multiple low-inductance antenna units | |
| Bonevich et al. | Electron radiation damage of α-alumina | |
| TH41450A (th) | วิธีการของการเคลือบของด้วยคาร์บอนคล้ายเพชร | |
| Fan et al. | W fuzz layers: very high resistance to sputtering under fusion-relevant He+ irradiations | |
| US6177150B1 (en) | Photomagnetic recording medium and film forming method | |
| JP2007507602A (ja) | 電子ビームエンハンスト大面積堆積システム | |
| Lowndes et al. | Amorphous diamond films deposited by pulsed-laser ablation: the optimum carbon-ion kinetic energy and effects of laser wavelength | |
| Cheng et al. | Deposition of carbon nitride films by filtered cathodic vacuum arc combined with radio frequency ion beam source | |
| Yin et al. | Preferred orientation in carbon films induced by energetic condensation | |
| Thiry et al. | Tailoring the chemistry and the nano‐architecture of organic thin films using cold plasma processes | |
| Hou et al. | Influence of a magnetic field on deposition of diamond-like carbon films. | |
| JP3016748B2 (ja) | 電子ビーム励起プラズマｃｖｄによる炭素系高機能材料薄膜の成膜方法 | |
| Dong-Ping et al. | Surface properties of diamond-like carbon films prepared by CVD and PVD methods | |
| Shevchenko et al. | Diamond‐Like Carbon Film Deposition Using DC Ion Source with Cold Hollow Cathode | |
| JPS61288069A (ja) | ダイヤモンド様カ−ボン成膜装置 | |
| Robertson | Deposition of diamond-like carbon | |
| Chen et al. | Analysis on structure and properties of diamondlike carbon films from Ion beam deposition | |
| Paik | Characterization of diamond-like carbon (DLC) films deposited by a magnetron-sputter-type negative ion source (MSNIS) | |
| RU2048600C1 (ru) | Способ получения углеродного покрытия | |
| Fischer et al. | Negative field ionization for tetracyanoethylene on novel thin polymer cathode coating layers |