TH39736A - - Google Patents

Abstract

DC60 (05/01/43) วิธีการที่จะยับยั้งการเกิดโค้กบนพื้นผิวถ่ายโอนความร้อนที่ใช้เพื่อให้ความร้อน หรือความเย็นแก่ สารป้อนชนิดปิโตรเลียมที่สภาวะการเกิดโค้ก ได้ถูกเปิดเผยไว้ พวกพื้นผิว ถ่ายโอนความร้อน ได้ถูกกระทำด้วยฟอสโฟเนตที่มีปริมาณที่ได้ผลที่จะยับยั้งการเกิดโค้ก บนพื้นผิวถ่ายโอนความร้อนนั้น ฟอสโฟเนตนั้นเป็นอิสระจากการช่วยเสริมการกัดกร่อนและ การผลิตผลพลอยได้ที่เป็นผลเสีย วิธีการที่จะยับยั้งการเกิดโค้กบนพื้นผิวถ่ายโอนความร้อนที่ใช้เพื่อให้ความร้อน หรือความเย็นแก่ สารป้อนชนิดปิโตรเลียมที่สภาวะการเกิดโค้ก ได้ถูกเปิดเผยไว้ พวกพื้นผิว ถ่ายโอนความร้อน ได้ถูกกระทำด้วยฟอสโฟเนตที่มีปริมาณที่ได้ผลที่จะยับยั้งการเกิดโค้ก บนพื้นผิวถ่ายโอนความร้อนนั้น ฟอสโฟเนตนั้นเป็นอิสระจากการช่วยเสริมการกัดกร่อนและ การผลิตผลพลอยได้ที่เป็นผลเสีย

Claims (4)

1. วิธีการสำหรับการยับยั้งการเกิดโค้กบนพื้นผิวถ่ายโอนความร้อนที่สัมผัสกับ สารป้อนชนิดปิโตรเลียมต่างๆ ซึ่งสารป้อนดังกล่าวอยู่ที่อุณหภูมิตั้งแต่ประมาณ 400 ถึงประมาณ 1100 ํซ. ซึ่งประกอบรวมด้วย การสัมผัสพื้นผิวถ่ายโอนความร้อนดังกล่าวกับปริมาณที่ได้ผลในการยับยั้งการเกิดโค้ก ของฟอสโฟเนตที่มีสูตร (R\'Y)2P(X)R\'\' ซึ่ง X และ Y เป็นคาลโคเจนที่คัดเลือกได้จากหมู่ที่ประกอบ ด้วยออกซิเจน และซัลเฟอร์ R\' ถูกคัดเลือกได้จากหมู่ที่ประกอบด้วยอัลคิล, อัลคิลแอริล, แอริล, แอริลอัลคิล และพวกหมู่แทนที่ซึ่งมีเฮตเทอโรอะตอม ซึ่งมีอะตอมคาร์บอน 4 ถึง 20 อะตอม ด้วย เงื่อนไขว่า เฮตเทอโรอะตอมของหมู่แทนที่ซึ่งมีเฮตเทอโรอะตอมดังกล่าวไม่ได้เกิดพันธะโดยตรงกับ อะตอมฟอสฟอรัส และ R\'\' ถูกคัดเลือกได้จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยอัลคิล, แอริล อัลคิล, อัลคิลแอริล, แอริล และพวกหมู่แทนที่ซึ่งมีเฮตเทอโรอะตอมซึ่งมีอะตอมคาร์บอน 6 ถึง 30 อะตอม ด้วยเงื่อนไขที่ ว่า เฮตเทอโรอะตอมของหมู่แทนที่ซึ่งมีเฮตเทอโรอะตอมดังกล่าว ไม่ได้เกิดพันธะโดยตรงกับอะตอม ฟอสฟอรัส 2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งพวกหมู่แทนที่ซึ่งมีเฮตเทอโรอะตอม สำหรับ เฮตเทอโรอะตอม R\' และ R\'\' ถูกคัดเลือกได้จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยออกซิเจน, ซัลเฟอร์ และ ไนโทรเจน 3. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งฟอสโฟเนตประกอบรวมด้วย ไดออกทิลฟีนิล-ฟอส โฟเนต 4. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งพวกหมู่แทนที่ซึ่งมีเฮตเทอโรอะตอมสำหรับ R\' และ R\'\' ถูกคัดเลือกได้จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยอีเธอร์, ไธโออีเธอร์, เอมีน และซัลไฟด์ ต่างๆ 5. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งสารป้อนชนิดปิโตรเลียมซึ่งถูกทำให้ร้อนหรือทำให้ เย็น ได้ถูกกระทำด้วยฟอสโฟเนตตั้งแต่ 0.1 ถึง 1000 ส่วนต่อล้านส่วนบนพื้นฐานของธาตุฟอสฟอรัส ในฟอสโฟเนต โดยน้ำหนักของสารป้อนนั้น 6. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 พวกสารป้อนชนิดปิโตรเลียมซึ่งถูกทำให้ร้อนหรือทำให้ เย็นได้ถูกกระทำด้วยฟอสโฟเนตตั้งแต่ 1 ถึง 100 ส่วนต่อล้านบนพื้นฐานของธาตุฟอสฟอรัสใน ฟอสโฟเนตโดยน้ำหนักของสารป้อน 7. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งวัสดุป้อนชนิดปิโตรเลียมถูกคัดเลือกได้จากหมู่ที่ ประกอบด้วยเอทเธน, โพรเพน, บิวเทน , แนฟธา, น้ำมันก๊าด, แก๊สออยล์ และสิ่งผสมของมัน 8. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งพื้นผิวถ่ายโอนความร้อน ถูกคัดเลือกได้จากหมู่ที่ ประกอบด้วยขดลวดเตาเผาสำหรับการแตกตัว และเครื่องแลกเปลี่ยนชนิดท่อถ่ายโอนต่างๆ 9. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งพื้นผิวถ่ายโอนความร้อน ถูกเตรียมล่วงหน้าด้วย ฟอสโฟเนตก่อนการผ่านกระบวนการของสารป้อนชนิดปิโตรเลียม 1 0. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งฟอสโฟเนต ได้ถูกใช้กับพื้นผิวถ่ายโอนความร้อน โดย วิธีหนึ่งที่คัดเลือกได้จากหมู่ที่ประกอบด้วยการพ่น, การแช่ และการทาทับ 1

1. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมต่อไปด้วย: การเติมฟอสโฟเนตให้แก่สารป้อนชนิดปิโตรเลียมอย่างต่อเนื่อง หรืออย่างเป็นช่วงๆ และการผ่านสารผสมเพิ่มที่ได้มาตลอดส่วนการทำความร้อนและส่วนการแผ่รังสีของเตาเผา สำหรับการแตกตัว 1

2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมต่อไปด้วย: การเติมฟอสโฟเนตให้แก่ไอน้ำอย่างต่อเนื่อง หรืออย่างเป็นช่วง ๆ การผสมไอน้ำกับสารป้อนชนิดปิโตรเลียม; และ การผ่านสารผสมเพิ่มของสารป้อน และไอน้ำที่มีฟอสโฟเนตตลอดเตาเผาสำหรับการแตกตัว 1

3. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบต่อไปด้วย: การเติมฟอสโฟเนตให้แก่สารผสมของไอน้ำ และสารป้อนชนิดปิโตรเลียมอย่างต่อเนื่อง หรือ อย่างเป็นช่วงๆ ; และ การผ่านสารผสมเพิ่มที่ได้มาตลอดเตาเผาสำหรับการแตกตัว 1

4. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งฟอสโฟเนตไม่ทำให้เกิดผลข้างเคียงที่ไม่เป็นผลดี เช่น การกัดกร่อน และการปนเปื้อนในดาวน์สตรีม