TH36949A - วิธีการทำอีเล็กโทรดบนซับสเทรด - Google Patents

Abstract

DC60 (11/05/42) อีเล็กโทรดถูกทำให้เกิดบนซับสเทรต เช่น วาริสเตอร์, เซรามิค PTC หรือพิโซ อีเล็กทริคเซรามิค โดยการเคลือบผิวหน้าของ ซับสเทรต ด้วยการรวมกันของแหล่งกำเนิดโลหะ และแหล่งกำเนิด ของการลดคาร์บอน ซับสเทรต และ/หรือ การรวมกันคือ ตัวดูด ซับของการแผ่รังสี ไมโครเวฟ การฉายรังสีด้วยการแผ่รังสี ไมโครเวฟเป็นเหตุให้ การลดคาร์บอนด้วยความร้อนเกิด ขึ้น การ เปลี่ยนกลับแหล่งกำเนิดโลหะไปเป็นโลหะอีเล็กโทรดบนซับสเทรต อีเล็กโทรดถูกทำให้เกิดบนซับสเทรต เช่น วาริสเตอร์, เซรามิค PTC หรือพิโซอีเล็กทริคเซรามิค โดยการเคลือบผิวหน้าของ ซับสเทรต ด้วยการรวมกันของแหล่งกำเนิดโลหะและแหล่งกำเนิด ของการลดคาร์บอน ซับสเทรต และ/หรือ การรวมกัน คือ ตัวดูด ซับของการแผ่รังสีไมโครเวฟ การฉายรังสีด้วยการแผ่รังสี ไมโครเวฟเป็นเหตุให้ การลดคาร์บอนด้วยความร้อนเกิดขึ้น การ เปลี่ยนกลับแหล่งกำเนิดโลหะไปเป็นโลหะอีเล็กโทรตบนซับสเทรต

Claims (1)

1. วิธีการขึ้นรูปของโลหะอีเล็กโทรดบนเซรามิค หรือซับสเทรดแก้ว ประกอบด้วยขั้นตอนของ (a) การจัดเตรียม (i) เซรามิค หรือซับสเทรตแก้ว ที่มีผิว หน้าซึ่งอิเล็กโทรดถูกทำขึ้นและ (ii) การรวมกันของแหล่ง กำเนิดโลหะ และแหล่งกำเนิดของการลดคาร์บอน พร้อมด้วยโพรวิ โซ ซึ่งอย่างน้อยที่สุดซับสเทรตอันหนึ่ง และการรวมกันเป็น ตัวดูดซับของการแผ่รังสีไมโครเวฟ (b) การเคลือบบนผิวหน้าซึ่งอีเล็กโทรดถูกต้องด้วยการรวม กัน และ (c) การฉายรังสีซับสเทรตที่ถูกเคลือบด้วยการแผ่รังสี ไมโครเวฟที่เพียงพอ เพื่อให้มีผลต่อการลดคาร์บอนด้วยควแท็ก :