TH36196A - New chemical mechanics interruption For the layer of material that is separated that is a silicon or silicon derivative. - Google Patents

New chemical mechanics interruption For the layer of material that is separated that is a silicon or silicon derivative.

Info

Publication number
TH36196A
TH36196A TH9701004222A TH9701004222A TH36196A TH 36196 A TH36196 A TH 36196A TH 9701004222 A TH9701004222 A TH 9701004222A TH 9701004222 A TH9701004222 A TH 9701004222A TH 36196 A TH36196 A TH 36196A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
silicon
layer
suspension
abrasive
colloidal silica
Prior art date
Application number
TH9701004222A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH36196B (en
Inventor
ฌาคกีโนต์ นายเอริค
รีวัวร์ นายโมริซ
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายบุญมา เตชะวณิช
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายบุญมา เตชะวณิช, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH36196B publication Critical patent/TH36196B/en
Publication of TH36196A publication Critical patent/TH36196A/en

Links

Abstract

DC60 (24/06/42) ขบวนการสำหรับการขัดทางกลศาสตร์เชิงเคมี ของชั้นของวัสดุที่แยกออก มาจำพวกซิลิกอน หรืออนุพันธ์ของซิลิกอน ในเรื่องนี้ การขัดถูชั้นของวัสดุที่แยก ออกมา ดำเนินไปโดยการขัดชั้นดังกล่าวด้วยเส้นใย ซึ่งจุ่มในสารขัดถูที่มีสาร ละลายเอเควียสแขวนลอยที่เป็นกรด ของซิลิกาคอลลอยด์ ที่มีอนุภาคซิลิกาคอล ลอยด์ อยู่เดี่ยว ๆ ไม่จับกันด้วยพันธะซิโลเซน และน้ำเป็นสารตัวกลางของสาร แขวนลอย และสารขัดถูชนิดใหม่นี้อยู่ในสารแขวนลอยนี้ ขบวนการสำหรับการขัดทางกลศาสตร์เชิงเคมี ของชั้นของวัสดุที่แยกออกมาจำพวกซิลิกอน หรืออนุพันธ์ของซิลิกอน ในเรื่องนี้ การขัดถูชั้นของวัสดุที่แยกออกมา ดำเนินไปโดย การขัดชั้นดังกล่าวด้วยเส้นใย ซึ่งจุ่มในสารขัดถูที่มีสาร ละลายเอเควียสแขวนลอยที่เป็นกรด ของซิลิกาคอลลอยด์ ที่มีอนุภาคซิลิกาคอลลอยด์ อยู่เดี่ยว ๆ ไม่จับกันด้วยพันธะ ซิโลเซน และน้ำเป็นสารตัวกลางของสารแขวนลอย และสารขัดถูชนิดใหม่นี้อยู่ในสารแขวนลอยนี้ DC60 (24/06/42) Process for chemical mechanics polishing. Of the layer of the separated material Come in silicon Or silicon derivatives.In this regard, abrasion of the separate layers of material is carried out by scrubbing that layer with fibers. Which is dipped in an abrasive containing substance Dissolve the acidic suspension Of colloidal silica With silica colloid particles alone, not bound by silosane bonds And water is the intermediate of this new suspension and abrasive in this suspension. Process for chemical mechanics polishing Of layers of materials separated such as silicon Or silicon derivatives.In this regard, abrasion of the separate layers of material is carried out by scrubbing that layer with fibers. Which is dipped in an abrasive containing substance Dissolve the acidic suspension Of colloidal silica The colloidal silica particles are not bound by silosane bonds and water is the intermediate of the suspension. And this new abrasive substance is in this suspension.

Claims (2)

1. ขบวนการขัดทางกลศาสตร์เชิงเคมี สำหรับชั้นของวัสดุที่แยกออกมาที่เป็น จำพวกซิลิกอน หรืออนุพันธ์ของซิลิกอน ในเรื่องนี้ การขัดถูของชั้นของวัสดุที่แยกออกมาดำเนินไป โดยการขัดถูชั้นดังกล่าวด้วยเส้นใยที่มีสารขัดถูคุณลักษณะของ สารขัดถู คือประกอบด้วย สารละลายเอเควียสแขวนลอย ที่เป็นกรดของซิลิกาคอลลอยด์ ที่มีอนุภาคซิลิกาคอลลอยด์ที่อยู่ เดี่ยว ๆ ไม่จับกับด้วยพันธะซิโลเซน และน้ำเป็นตัวกลาง ของสารแขวนลอย1. Chemical mechanical polishing process In this regard, the abrasion of the separate layer of material proceeds. By rubbing the layer with a fiber containing an abrasive substance, the feature of the abrasive compound is: Aquias suspension solution The acidic colloidal silica With solitary colloidal silica particles, not bound by silosane bonds And water as the medium Of suspensions 2. ขบวนการตามข้อถือสิทธิที่ 1 คุณลักษณะในเรื่องสาร ละลายเอเควียสแขวนลอยที่เป็นกรดของซิลิกาคอลลอยดแท็ก :2. The process according to claim 1, characteristics of the substance Dissolve the Acetic Acid Suspension of Silica Colloid.
TH9701004222A 1997-10-20 New chemical mechanics interruption For the layer of material that is separated that is a silicon or silicon derivative. TH36196A (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH36196B TH36196B (en) 1999-12-15
TH36196A true TH36196A (en) 1999-12-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU2005274509B2 (en) Cleaning cloth
KR101418232B1 (en) Mixed mode ligands
EA005277B1 (en) Expanded perlite products with controlled particle size distribution
MY121626A (en) Chemical mechanical polishing process for layers of isolating materials based on silicon derivatives or silicon
BRPI0520844B1 (en) method for maintaining a hard surface comprising a stone or stone-like material
KR970701614A (en) Abrasive article and method for manufacturing same (ABRASIVE ARTICLES AND METHOD OF MAKING ABRASIVE ARTICLES)
ATE232895T1 (en) ABRASIVE COMPOSITION FOR USE IN THE ELECTRONICS INDUSTRY
JPS5943520B2 (en) dry cleaning agent
FR2789998B1 (en) NOVEL MECHANICAL CHEMICAL POLISHING COMPOSITION OF A LAYER OF ALUMINUM OR ALUMINUM ALLOY CONDUCTIVE MATERIAL
TH36196A (en) New chemical mechanics interruption For the layer of material that is separated that is a silicon or silicon derivative.
TH36196B (en) A new chemical mechanic polishing process for layers of separate materials that are silicon or silicon derivatives.
DK0982766T3 (en) Method for chemical-mechanical polishing of a copper-based material layer
DE60012399D1 (en) Composition for the mechanical-chemical polishing of layers of insulating material based on a polymer with low dielectric constant
JP2001205554A5 (en)
CN204892344U (en) Inorganic silicon screening plant with scrub function fast
JP2000351957A5 (en)
US8197307B1 (en) Surface polishing system
CA2001487A1 (en) Gel producing pad and improved method for surfacing and polishing lenses
JP2006297501A (en) Polishing material and polishing method of composite material composed of magnetic metal film and insulating material film
JP2004113883A (en) Method of imparting photocatalyst function and other catalyst functions, and washing and polishing solution having imparting properties of catalyst functions
WO1998045112A1 (en) Polishing pads and methods relating thereto
TH635EX (en) Manufacturing processes and products for exfoliation consisting of abrasives distributed within the substrate that are crossed fibers.
TH635A (en) Manufacturing processes and products for exfoliation consisting of abrasives distributed within the substrate that is cross-threaded.
KR930018477A (en) Glass Substrates For Magnetic Recording Media
RU2002338C1 (en) Process of chemical-and-mechanical polishing of semiconductor plates and glass blanks