RU2002338C1

RU2002338C1 - Process of chemical-and-mechanical polishing of semiconductor plates and glass blanks

Info

Publication number: RU2002338C1
Authority: RU
Inventors: Айрат Флюрович Валеев; Валентина Александровна Илларионова; Игорь Владимирович Сидоренко
Original assignee: Центральный научно-исследовательский институт пленочных материалов и искусственной кожи
Priority date: 1992-05-14
Filing date: 1992-05-14
Publication date: 1993-10-30

Abstract

Сущность изобретени : химико-механическое полирование провод т, как обычно. В качестве полировальника используют нетканый иглопробивной материал, состо щий из полиэтилентерефтальных волокон и пропитанный полиуретаном.SUMMARY OF THE INVENTION: Chemical-mechanical polishing is carried out as usual. A nonwoven needle-punched material consisting of polyethylene terephthalic fibers and impregnated with polyurethane is used as a polishing pad.

Description

Изобретение относитс к технологии обработки материалов электронной техники и может быть использовано дл химико- механическойполировкиThe invention relates to a technology for processing materials of electronic equipment and can be used for chemical-mechanical polishing

полупроводниковых пластин, фотошаблонных заготовок и стекол дл кинескопов.semiconductor wafers, photomask blanks and glass tubes for picture tubes.

Известен способ химико-механического полировани полупроводниковых пластин и стекл нных заготовок, включающий укрепление полируемого материала на держателе и полировальника на притире с последующим их контактированием при взаимном вращении и непрерывном нанесении полировального состава на полировальник с предварительной его пропиткой. При таком способе наблюдаетс недостаточна долговечность материала в процессе полировани , низка скорость съема и малый выход годных пластин.There is a known method of chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers and glass preforms, including fixing the polished material on the holder and the polishing pad on lapping, followed by their contact during mutual rotation and continuous application of the polishing compound to the polishing pad with its preliminary impregnation. With this method, insufficient material durability during the polishing process, low pick-up speed and low yield of plates are observed.

Цель изобретени - повышение процента выхода годных пластин, скорости их съема и увеличение долговечности материала (полировальника) при расширении ассортимента полируемого материала.The purpose of the invention is to increase the percent yield of suitable plates, their removal rate and increase the durability of the material (polisher) while expanding the range of polished material.

Цель достигаетс тем, что в способе химико-механического полировани полупроводниковых пластин и стекл нных заготовок, включающем укрепление полируемого материала на держателе и полировальника на притире с последующим их контактированием при взаимном вращении и непрерывном нанесении полировального состава на полировальник с предварительной его пропиткой, в качестве полировальника используют материал, состо щий из смеси малоусадочных полиэтилентерефта- латных волокон при их содержании от 30 до 100% и высокоусадочных полиэтилентереф- талатных волокон при их содержании до 70%, пропитанный полиуретаном при его содержании в материале от 15 до 65%.The goal is achieved by the fact that in the method of chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers and glass preforms, which includes fixing the polished material on the holder and the polishing pad on the lapping, followed by their contact during mutual rotation and continuous application of the polishing compound on the polishing pad with its preliminary impregnation, as a polishing pad use a material consisting of a mixture of low-shrink polyethylene terephthalate fibers with their content from 30 to 100% and high-shrink polyethylene of ethyl fibers with their content up to 70%, impregnated with polyurethane with its content in the material from 15 to 65%.

П р и м е р 1. Укрепл ют пластину кремни на держателе, полировальный материал - на притире. В качестве полировального материала используют нетканый иглопробивной материал, состо щий из смеси мало- усадочных полиэтилентерефталатныхEXAMPLE 1. A silicon wafer is fixed on a holder, and a polishing material is fixed on a lapping surface. A nonwoven needle-punched material consisting of a mixture of low-shrink polyethylene terephthalate is used as a polishing material.

волокон при их содержании от 30 до 100% и высокоусадочных полиэтилентерефталатных волокон при их содержании до 70%. Нетканый иглопробивной материал пропитывают полиуретаном до его содержани в материале от 15 до 65%. Далее держатель с полируемым материалом взаимодействует с притиром, на котором укреплен материалfibers with their content from 30 to 100% and highly shrinkable polyethylene terephthalate fibers with their content up to 70%. The nonwoven needle-punched material is impregnated with polyurethane to a content of 15 to 65% in the material. Next, the holder with the polished material interacts with the lapping, on which the material is mounted

(полировальник), при этом взаимном вращении и непрерывном нанесении полировального состава на полировальник с предварительной его пропиткой.(polishing pad), with this mutual rotation and continuous application of the polishing compound to the polishing pad with its preliminary impregnation.

В качестве малоусадочных полиэтилентерефталатных волокон использованы волокна , полученные из расплава полимера, синтезированного путем поликонденсации этиленгликол с терефталевой кислотой, в качестве высокоусадочных полиэтилентерефталатных волокон - волокна, полученные из расплава полимера, синтезированного путем поликонденсации зтиленгликол с терефталевой кислотой, содержащей 4-8% изофталевой кислоты.Fibers obtained from polymer melt synthesized by polycondensation of ethylene glycol with terephthalic acid were used as low-shrink polyethylene terephthalate fibers; fibers obtained from polymer melt synthesized by polycondensation of ethylene glycol with polyethylene condensation of ethylene glycol with terephthalic acid containing 4-8% were used.

Полиуретан синтезирован на основе по- лиэтиленбутиленгликольадипината, 4,4 -ди- фенилметандиизоцианата и этиленгликол . При этом долговечность материала составл ет от 160 до 240 циклов. Скорость съемаPolyurethane is synthesized based on polyethylene butylene glycol adipate, 4,4-diphenylmethanediisocyanate and ethylene glycol. In this case, the durability of the material is from 160 to 240 cycles. Pick up speed

пластин кремни 1,8-2,4 мкм/мин, а процесс выхода годных пластин достигает 60- 70%.silicon wafers 1.8-2.4 μm / min, and the yield process of wafers reaches 60-70%.

П р и м е р 2. То же. что в примере 1. На держателе закрепл ют стекл нную заготовку . При этом долговечность материала составл ет от 200 до 270 циклов, скорость съема стекл нных заготовок от 2.5 до 4,0 мкм/мин, процент выхода годных пластин от 50 до 65%.PRI me R 2. The same. as in Example 1. A glass preform is fixed to the holder. In this case, the durability of the material is from 200 to 270 cycles, the removal rate of glass preforms is from 2.5 to 4.0 μm / min, and the percentage of suitable plates is from 50 to 65%.

Предлагаемый способ позвол ет улучшить показатели процесса химико-механического полировани материалов по сравнению с известным в 10-12 раз.The proposed method allows to improve the performance of the process of chemical-mechanical polishing of materials in comparison with the known 10-12 times.

(56) Никифорова-Денисова С.Н. Механическа и химическа обработка. М.: Высша школа, 1989, с. 40.(56) Nikiforova-Denisova S.N. Mechanical and chemical treatment. M .: Higher school, 1989, p. 40.