TH35553A - ส่วนประกอบที่มีความบริสุทธิ์สูง ที่ใช้เป็นตัวยึดส่งผ่านความร้อนได้ดี - Google Patents

Abstract

DC60 (30/07/41) ส่วนประกอบของเตาเผาใช้ในกระบวนการซอคคราลสตี้ ที่ประกอบด้วย ส่วน ประกอบที่ได้มาตรฐานของสารกึ่งตัวนำ ที่บริสุทธิ์สูง ที่มีเมทริกซ์ของคาร์บอนเสริมด้วยเส้นใย ของ คาร์บอนที่มีการเจือของโลหะทั้งหมดต่ำกว่า 10 ppm โดยในรูป แบบที่ดีจะต่ำกว่าประมาณ 5 ppm และในรูปแบบที่ดีกว่าจะมีการ เจือของโลหะต่ำกว่าจุดจำกัดของการตรวจพบด้วยเครื่อง พลาสมา สเปคโตรสโคปี้ ที่เชื่อมต่อแบบเหนี่ยวนำสำหรับ โลหะ Ag, Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr และ Zn ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม สำหรับ กระบวนการสร้างคริสตัล เพื่อดึงแท่งคริสตัลจากวัสดุ คริสตัลเหลวในเบ้าหลอมที่ประกอบด้วย ส่วนประกอบบริสุทธิ์สูง ที่ประกอบด้วย เมทริกซ์ของคาร์บอนเสริมด้วยผืนเส้นใยของ คาร์บอนที่ ทออย่างต่อเนื่องเป็นสองมิติ โดยส่วนประกอบ บริสุทธิ์สูงจะมีการเจือด้วยโลหะน้อยกว่าประมาณ 10 ส่วนในหนึ่งล้านส่วน โดยตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม จะมีโครงสร้างไขว้สานเป็น ชิ้นเดียวของส่วนประกอบ บริสุทธิ์สูงดังกล่าว ที่มีแหวนด้านข้าง และฐานโดย แหวนด้านข้าง ดังกล่าว และฐานดังกล่าว จะมีความ หนาเท่ากันทั้งหมด ส่วนประกอบของเตาเผาใช้ในกระบวนการซอคคราลสตี้ ที่ประกอบด้วย ส่วน ประกอบที่ได้มาตราฐานของสารกึ่งตัวนำ ที่บริสุทธิ์สูง ที่มีเมทริกซ์ของคาร์บอนเสริมด้วยเส้ยใย ของ คาร์บอนที่มีการเจือของโลหะทั้งหมดต่ำกว่า 10 ppm โดยในรูป แบบที่ดีจะต่ำกว่าประมาณ 5 ppm และในรูปแบบที่ดีกว่าจะมีการ เจือของโลหะต่ำกว่าจุดจำกัดของการตรวจพบด้วยเครื่อง พลาสมา สเปคโตรสโคปี้ ที่เชื่อมต่อแบบเหนี่ยวนำสำหรับ โลหะ Ag, ,Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr,Cu,K, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sr และ Zn ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม สำหรับ กระบวนการสร้างคริสตัล เพื่อดึงแท่งคริสตัลจากวัสดุ คริสตัลเหลวในเบ้าหลอมที่ประกอบด้วย ส่วนประกอบบริสุทธิ์สูง ที่ประกอบด้วย เมทริกซ์ของคาร์บอนเสริมด้วยผืนเส้นใยของ คาร์บอนที่ ทออย่างต่อเนื่องเป็นสองมิติ โดยส่วนประกอบ บริสุทธิ์สูงจะมีการเจือด้วยโลหะน้อยกว่าประมาณ 10 ส่วนในหนึ่งล้านส่วน โดยตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม จะมีโครงสร้างไขว้สานเป็น ชิ้นเดียวของส่วนประกอบ บริสุทธิ์สูงดังกล่าว ที่มีแหวนด้านข้าง และฐานโดย แหวนด้านข้าง ดังกล่าว และฐานดังกล่าว จะมีความ หนาเท่ากันทั้งหมด

Claims (27)

1. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเข้าหลอมสำหรับกระบวนการสร้างคริสตัล เพื่อดึงแท่ง คริสตัลออกจากวัสดุ คริสตัลเหลว ในเบ้าหลอม ที่ซึ่งประกอบด้วย ส่วนประกอบที่บริสุทธิ์สูงที่ประกอบด้วย เมทริกซ์ของ คาร์บอนเสริมด้วยผืนเส้นใย ของคาร์บอน ที่ทออย่างต่อเนื่อง กันแบบสองมิติ ส่วนประกอบที่บริสุทธิสูงดังกล่าว จะมีการเจือของโลหะ ทั้งหมดน้อยกว่าประมาณ 10 ส่วนในหนึ่งล้านส่วน ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอมดังกล่าว ที่เป็นโครงสร้าง สานไขว้ชิ้นเดียว ด้วย ส่วนประกอบที่บริสุทธิ์สูงดังกล่าว ที่มี แหวนด้านข้าง และฐาน โดยแหวนด้านข้างดังกล่าว และ ฐานดังกล่าวจะมีความหนาเท่ากันตลอด

2. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุ ไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ฐานจะยึด โดยตรงกับ ฐานของเตาเผา ที่ใช้สร้างคริสตัล

3. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ความ หนาของฐาน และแหวน ด้านข้างจะอยู่ระหว่างประมาณ 0.12 นิ้ว และประมาณ 0.35 นิ้ว

4. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ในข้อ ถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูงจะจัด ให้มีการส่งผ่านความร้อนอย่างสม่ำเสมอ จากด้าน นอกของตัวยึดส่ง ผ่านความร้อนดังกล่าว ไปยังเบ้า หลอมที่รองรับส่วนหลอมเหลว

5. ตัวยึดส่งผ่านความร้อน ตามที่ระบุไว้ในข้อถือ สิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง เคลือบทนไฟ เลือกจากกลุ่มที่ประกอบ ด้วย คาร์ไบด์, บอไรด์ และไนไทร์ด

6. ตัวยึดส่งผ่านความร้อน ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิ์ ข้อ 1 ที่มีส่วนเคลือบทนไฟ เลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ซิลิคอน คาร์ไบด์, ซิลิคอน ไนไทรด์, โบรอน ไนไทรด์, ไพโรโลติก โบรอน ไนไทรด์ และซิลิคอน คาร์ไบด์

7. ตัวยึดส่งผ่านความร้อน ตามที่ระบุไว้ในข้อถือ สิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง โลหะที่เจืออยู่ เป็นโลหะประเภท Ag, Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Mo, Na, N, P, Pb, Sr, V และ Zn

8. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูงดังกล่าว จะมีส่วนเจือของโลหะน้อยกว่าประมาณ 5 ส่วนในหนึ่ง ล้านส่วน

9. ตัวยึดส่งผ่านความร้อน ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วนประกอบ ที่บริสุทธิ์สูงดังกล่าว มีการ เจือของโลหะต่ำกว่าจุดจำกัดของการตรวจพบด้วย เครื่องพลาสมา สเปคโตรสโคปี้ ที่เชื่อมต่อแบบเหนี่ยว นำสำหรับโลหะ Ag ,Al, Ba, Be, Ca, Cd, Co, Cr, Cu, K, Mg, Mn,Mo, Na, Ni,P, Pb, Sr และ Zn

10. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุ ไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูจะมี แรงยึดต้านแรงดึงขาดประมาณ 25 ถึงประมาณ 100 ksi และค่ามอดูลัส ของแรงดึงประมาณ 3 ถึงประมาณ 30 msi

11. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูง จะมีแรง ยึดต้านการบิดตัว ที่ประมาณ 15 ถึงประมาณ 60 ksi และแรงยึด ต้านการบีบอัดประมาณ 10 ถึงประมาณ 50 ksi

12. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูง จะมี ความเหนียวต้านการแตกหักที่วัดด้วยวิธีใช้แรงแบบไฮ ซอค ที่ประมาณ 5 ถึงประมาณ 25 ฟุต ปอนด์/นิ้ว

13. ตัวส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูง จะมีค่า สัมประสิทธิ์ของการขยายตัวด้วยมวลความร้อนแบบระนาบ เดียว จากศูนย์ถึงประมาณ 2x106 และค่าสัมประสิทธิ์ของ การขยายตัวด้วยมวลความร้อนแบบสานไขว้ จากประมาณ 6 ถึงประมารณ 10x106

14. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูงมีค่าสัม ประสิทธิ์ ของการขยายตัวด้วยมวลความร้อน แบบระนาบ เดียว ประมาณ 1.4x106

15. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์สูงมีการ นำมวลความร้อนแบบระนาบเดี่ยวประมาณ 20 ถึง ประมาณ 500 w/mk และการนำมวลความร้อนแบบ สานไขว้ประมาณ 5 ถึงประมาณ 200 W/mk

16. ตัวยึดส่งผ่านความร้อนเบ้าหลอม ตามที่ระบุ ไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วน ประกอบที่บริสุทธิ์ สูงจะมีการนำมวลความร้อนประมาณ 100 W/mk

17. ตัวยึดส่งผ่านความร้อน ตามที่ระบุไว้ในข้อถือ สิทธิข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วนประกอบที่ บริสุทธิ์สูง จะมีการ ปล่อยมวลความร้อนที่ประมาณ 0.4 ถึงประมาณ 0.8

18. ตัวยึดส่งผ่านความร้อน ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ที่ซึ่ง ส่วนประกอบที่ บริสุทธิ์สูง มีการปล่อยมวล ความร้อนประมาณ 0.52

19. ตัวยึดส่งผ่านความร้อน ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ที่ซึ่ง ความต้านทาน ทางไฟฟ้าประมาณ 1x10-4 ถึงประมาณ 1x10-2 โอห์ม-ซม.

20. กระบวนการสร้างคริสตัลแบบชิ้นเดียว เพื่อใช้ ดึงแท่งคริสตัลเดี่ยวออกจากวัสดุ คริสตัลเหลว ที่รวมถึง การจัดให้มีวัสดุคริสตัลเหลวในเบ้าหลอม และ การยึดเบ้าหลอมแนบกับตัวยึดส่งผ่านความร้อน เบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 1

21. กระบวนการ ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 20 ที่ซึ่งรวมถึง การตั้งตัวยึดส่ง ผ่านความร้อนเบ้า หลอมไว้บนฐานของเตาเผาสร้างคริสตัลโดยตรง

22. กระบวนการ ตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 20 ที่ซึ่ง วัสดุคริสตัลจะเลือกจาก กลุ่มที่ประกอบด้วย แซฟไฟร์, ซิลิคอน, แกลเลียม อาร์เซไนด์ และแคดเมียม ซิงค์ เทลเลอไรด์

23. กระบวนการสร้างคริสตัลแบบซอคราลสตี้ เพื่อใช้ ดึงแท่งกึ่งตัวนำออกวัสดุ เหลวกึ่งตัวนำ ที่รวมถึง การจัดให้มีวัสดุกึ่งตัวนำหลอมเหลวในเบ้าหลอม ควอร์ท และ การยึ ดเบ้าหลอมแนบกับตัวยึดส่งผ่านความร้อน เบ้าหลอม ตามที่ระบุไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 1

24. กระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 23 ที่ซึ่ง รวมถึงการตั้งตัวยึดส่งผ่าน ความร้อนเบ้าหลอม ไว้บนฐานของเตาเผาสร้างคริสตัล แบบซอคราลสตี้

25. กระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 23 ที่ซึ่ง แท่งกึ่งตัวนำเป็นแท่ง ซิลิคอน ที่รวมถึงการตัด แท่งซิลิคอนเป็นเวเฟอร์ของซิลิคอน และรวมต่อไป ถึงการจัดให้มีเวเฟอร์ ของซิลิคอนดังกล่าว โดยมีช่วง เวลาการหยุดผ่านกระแสไฟฟ้ามากกว่า 300 ไมโคร เซคกั้น

26. กระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 23 ที่ซึ่ง แท่งกึ่งตัวนำเป็นแท่ง ซิลิคอนที่รวมถึงการตัดแท่ง ซิลิคอนออกเป็นเวเฟอร์ของซิลิคอน และรวมต่อไป ถึงการจัดให้มีผล ผลิตมากกว่า 68% ของเวเฟอร์กึ่ง ตัวนำซิลิคอนที่ดีสำหรับทำเป็นโครงสร้าง

27. กระบวนการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 23 ที่ซึ่ง สารกึ่งตัวนำจะเลือกจาก กลุ่มที่ประกอบด้วย ซิลิคอน, แกลเลียม อาร์เซไนด์ และแคดเมียม ซิงค์ เทลเลอไรด์