TH28326A - - Google Patents
Info
- Publication number
- TH28326A TH28326A TH9701002417A TH9701002417A TH28326A TH 28326 A TH28326 A TH 28326A TH 9701002417 A TH9701002417 A TH 9701002417A TH 9701002417 A TH9701002417 A TH 9701002417A TH 28326 A TH28326 A TH 28326A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- target
- medium
- ultra
- reaction chamber
- fine particles
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 17
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 claims abstract 12
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 claims abstract 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 10
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims abstract 8
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims abstract 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
Abstract
DC60 (16/09/40) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสง ที่ประกอบด้วยตัวกลางรูปแบบเดียวที่มี คุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ควบคุมได้ ; และอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสารกึ่งตัวนำในตัวกลางและ มีขนาดอนุภาคเฉลี่ย 100nm หรือน้อยกว่า, และอุปกรณ์การใช้งานที่ใช้วัสดุดังกล่าว นอกจากนี้การ ประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับวิธีของการผลิตวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสงโดยการฉายลำแสงเลเซอร์ไปบนเป้า หมายที่หนึ่งของวัสดุสารกึ่งตัวนำที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยาในสภาพแวดล้อม ก๊าซเฉื่อยความดันต่ำ, และเป้าหมายที่สองของวัสดุตัวกลางที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ควบคุมได้ที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยา, การควบแน่น/การสร้างวัสดุสารกึ่งตัวนำที่ถูกขจัดจากเป้าหมายที่หนึ่งเพื่อถูกสะสมเป็นอนุภาคที่ ละเอียดเป็นพิเศษที่มีขนาดอนุภาคเฉลี่ย 100nm หรือน้อยกว่าบนฐานรองที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยา, และการควบแน่น/การสร้าง วัสดุตัวกลางที่ถูกขจัดจากเป้าหมายที่สองเพื่อถูกสะสมบนฐานรองที่ ถูกวางในห้องปฏิกิริยา เพื่อให้มีการสร้างชั้นที่มีอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษกระจายอยู่ที่มีอนุภาคที่ ละเอียดเป็นพิเศษของสารกึ่งตัวนำถูกกระจายในตัวกลางบนฐานรอง บทสรุปการประดิษฐ์การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสงที่ ประกอบด้วยตัวกลางรูปแบบเดียวที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ควบ คุมได้ ; และอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสารกึ่งตัวนำใน ตัวกลางและมีขนาดอนุภาคเฉลี่ย 100 nm หรือน้อยกว่า,และ อุปกรณ์การใช้งานที่ใช้วัสดุดังกล่าว นอกจากนี้การประดิษฐ์ ยังเกี่ยวข้องกับวิธีการผลิตวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสงโดยการ ฉายลำแสงเลเซอร์ไปบนเป้าหมายที่หนึ่งของวัสดุสารกึ่งตัวนำ ที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยาในสภาพแวดล้อม ก๊สซเฉื่อยความดัน ต่ำ,และเป้าหมายที่สองของวัสดุตัวกลางที่มีคุณสมบัติไฟฟ้า ที่ควบคุมได้ที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยา,การควบแน่น/การสร้าง วัสดุสารกึ่งตัวนำที่ถูกขจัดจากเป้าหมายที่หนึ่ง เพื่อถูกสะสมเป็นอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษที่มีขนาดอนุภาค เฉลี่ย 100 nm หรือน้อยกว่าบนฐานรองที่ถูกวางในห้อง ปฏิกิริยา,และการควบแน่น/การสร้างวัสดุตัวกลางที่ถูกขจัด จากเป้าหมายที่สองเพื่อถูกสะสมบนฐานรองที่ถูกวางในห้อง ปฏิกิริยา เพื่อให้มีการสร้างชั้นที่มีอนุภาคที่ละเอียด เป็นพิเศษกระจายอยู่ที่มีอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสาร กึ่งตัวนำถูกกระจายในตัวกลางบนฐานรอง
Claims (3)
1. วัสดุอิเลกทรอนิกส์แสงประกอบด้วย: ตัวกลางรูปแบบเดียวที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ควบคุม ได้;และอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสรกึ่งตัวนำที่ถูก กระจายในตัวกลางดังกล่าว และมีขนาดอนุภาคเฉลี่ย 100 nm หรือมากกว่า
2. วัสดุอิเลกทรอนิกส์แสง ตามข้อถือสิทธิ์ที่ 1 เส้นผ่าน ศูนย์กลางของอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสารกึ่งตัวนำจะ เท่ากับ หรือเล็กว่าสองเท่าของความยาวคลื่นเดอร์โปรโดย ประมาณของวัสดุกึ่งสารตัวนำสำหรับอนุภาคที่ละเอียดเป็น พิเศษ
3. วัสดุอิเลกทรอนิกส์แสง ตามข้อถือสิทธิ์ที่ 1 ตัวกลาแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH28326A true TH28326A (th) | 1998-03-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| IL121075A0 (en) | Optoelectronic material its manufacture and a device using it | |
| Alivisatos | Perspectives on the physical chemistry of semiconductor nanocrystals | |
| JP2023055727A (ja) | 均一に封入されたナノ粒子及びその使用 | |
| Malshe et al. | A review of techniques for polishing and planarizing chemically vapor-deposited (CVD) diamond films and substrates | |
| CN109075073A (zh) | 纳米颗粒制造 | |
| JPH09510828A (ja) | 薄膜電子デバイスとその製造方法 | |
| JP2020522452A (ja) | 封入ナノ粒子を得るための方法 | |
| US20070056465A1 (en) | Rapid generation of nanoparticles from bulk solids at room temperature | |
| JP2020522749A (ja) | カプセル化されたナノ粒子を含むインク | |
| US7547359B2 (en) | Method of altering crystal structure of group 13 element nitride, group 13 element nitride and structure material containing cubic nitride | |
| EP0980097A3 (en) | Dispersion containing Cu ultrafine particles individually dispersed therein | |
| Wu et al. | Microcontact printing of CdS/dendrimer nanocomposite patterns on silicon wafers | |
| Huisken et al. | Laser production and deposition of light-emitting silicon nanoparticles | |
| El-Shall | Laser vaporization for the synthesis of nanoparticles and polymers containing metal particulates | |
| Aleksenskii et al. | Ultradisperse diamond cluster aggregation studied by atomic force microscopy | |
| TH28326A (th) | ||
| JP2010013313A (ja) | 半導体ナノ粒子含有膜及び半導体ナノ粒子 | |
| KR100466251B1 (ko) | 구형의 콜로이드 결정, 다공성 구조체의 제조방법 및 이에사용되는 전기수력학적 분무장치 | |
| Ludwig | Optical properties of silicon-based materials: A comparison of porous and spark-processed silicon | |
| KR20000011687A (ko) | 폴리실릴렌메틸렌속에분산된금속미립자를함유하는복합재료및이의제조방법 | |
| US7524776B2 (en) | Surface-activation of semiconductor nanostructures for biological applications | |
| Biswas et al. | Tailored polymer–metal fractal nanocomposites: an approach to highly active surface enhanced Raman scattering substrates | |
| EP0841703B1 (en) | Ultrafine particle structure and production method thereof | |
| RU2099282C1 (ru) | Способ получения конформного алмазоподобного углеродного покрытия | |
| KR100397396B1 (ko) | Ｗ초미립자의 제조방법 및 w나노결정박막의 제조방법 |