TH28326A - - Google Patents

Info

Publication number
TH28326A
TH28326A TH9701002417A TH9701002417A TH28326A TH 28326 A TH28326 A TH 28326A TH 9701002417 A TH9701002417 A TH 9701002417A TH 9701002417 A TH9701002417 A TH 9701002417A TH 28326 A TH28326 A TH 28326A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
target
medium
ultra
reaction chamber
fine particles
Prior art date
Application number
TH9701002417A
Other languages
English (en)
Original Assignee
นายชาญชัย ศุภดิลกลักษณ์ นายอนันต์ ธรรมรัตนพร
Filing date
Publication date
Application filed by นายชาญชัย ศุภดิลกลักษณ์ นายอนันต์ ธรรมรัตนพร filed Critical นายชาญชัย ศุภดิลกลักษณ์ นายอนันต์ ธรรมรัตนพร
Publication of TH28326A publication Critical patent/TH28326A/th

Links

Abstract

DC60 (16/09/40) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสง ที่ประกอบด้วยตัวกลางรูปแบบเดียวที่มี คุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ควบคุมได้ ; และอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสารกึ่งตัวนำในตัวกลางและ มีขนาดอนุภาคเฉลี่ย 100nm หรือน้อยกว่า, และอุปกรณ์การใช้งานที่ใช้วัสดุดังกล่าว นอกจากนี้การ ประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับวิธีของการผลิตวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสงโดยการฉายลำแสงเลเซอร์ไปบนเป้า หมายที่หนึ่งของวัสดุสารกึ่งตัวนำที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยาในสภาพแวดล้อม ก๊าซเฉื่อยความดันต่ำ, และเป้าหมายที่สองของวัสดุตัวกลางที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ควบคุมได้ที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยา, การควบแน่น/การสร้างวัสดุสารกึ่งตัวนำที่ถูกขจัดจากเป้าหมายที่หนึ่งเพื่อถูกสะสมเป็นอนุภาคที่ ละเอียดเป็นพิเศษที่มีขนาดอนุภาคเฉลี่ย 100nm หรือน้อยกว่าบนฐานรองที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยา, และการควบแน่น/การสร้าง วัสดุตัวกลางที่ถูกขจัดจากเป้าหมายที่สองเพื่อถูกสะสมบนฐานรองที่ ถูกวางในห้องปฏิกิริยา เพื่อให้มีการสร้างชั้นที่มีอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษกระจายอยู่ที่มีอนุภาคที่ ละเอียดเป็นพิเศษของสารกึ่งตัวนำถูกกระจายในตัวกลางบนฐานรอง บทสรุปการประดิษฐ์การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสงที่ ประกอบด้วยตัวกลางรูปแบบเดียวที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ควบ คุมได้ ; และอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสารกึ่งตัวนำใน ตัวกลางและมีขนาดอนุภาคเฉลี่ย 100 nm หรือน้อยกว่า,และ อุปกรณ์การใช้งานที่ใช้วัสดุดังกล่าว นอกจากนี้การประดิษฐ์ ยังเกี่ยวข้องกับวิธีการผลิตวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสงโดยการ ฉายลำแสงเลเซอร์ไปบนเป้าหมายที่หนึ่งของวัสดุสารกึ่งตัวนำ ที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยาในสภาพแวดล้อม ก๊สซเฉื่อยความดัน ต่ำ,และเป้าหมายที่สองของวัสดุตัวกลางที่มีคุณสมบัติไฟฟ้า ที่ควบคุมได้ที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยา,การควบแน่น/การสร้าง วัสดุสารกึ่งตัวนำที่ถูกขจัดจากเป้าหมายที่หนึ่ง เพื่อถูกสะสมเป็นอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษที่มีขนาดอนุภาค เฉลี่ย 100 nm หรือน้อยกว่าบนฐานรองที่ถูกวางในห้อง ปฏิกิริยา,และการควบแน่น/การสร้างวัสดุตัวกลางที่ถูกขจัด จากเป้าหมายที่สองเพื่อถูกสะสมบนฐานรองที่ถูกวางในห้อง ปฏิกิริยา เพื่อให้มีการสร้างชั้นที่มีอนุภาคที่ละเอียด เป็นพิเศษกระจายอยู่ที่มีอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสาร กึ่งตัวนำถูกกระจายในตัวกลางบนฐานรอง

Claims (3)

: DC60 (16/09/40) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสง ที่ประกอบด้วยตัวกลางรูปแบบเดียวที่มี คุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ควบคุมได้ ; และอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสารกึ่งตัวนำในตัวกลางและ มีขนาดอนุภาคเฉลี่ย 100nm หรือน้อยกว่า, และอุปกรณ์การใช้งานที่ใช้วัสดุดังกล่าว นอกจากนี้การ ประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับวิธีของการผลิตวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสงโดยการฉายลำแสงเลเซอร์ไปบนเป้า หมายที่หนึ่งของวัสดุสารกึ่งตัวนำที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยาในสภาพแวดล้อม ก๊าซเฉื่อยความดันต่ำ, และเป้าหมายที่สองของวัสดุตัวกลางที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ควบคุมได้ที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยา, การควบแน่น/การสร้างวัสดุสารกึ่งตัวนำที่ถูกขจัดจากเป้าหมายที่หนึ่งเพื่อถูกสะสมเป็นอนุภาคที่ ละเอียดเป็นพิเศษที่มีขนาดอนุภาคเฉลี่ย 100nm หรือน้อยกว่าบนฐานรองที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยา, และการควบแน่น/การสร้าง วัสดุตัวกลางที่ถูกขจัดจากเป้าหมายที่สองเพื่อถูกสะสมบนฐานรองที่ ถูกวางในห้องปฏิกิริยา เพื่อให้มีการสร้างชั้นที่มีอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษกระจายอยู่ที่มีอนุภาคที่ ละเอียดเป็นพิเศษของสารกึ่งตัวนำถูกกระจายในตัวกลางบนฐานรอง บทสรุปการประดิษฐ์การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสงที่ ประกอบด้วยตัวกลางรูปแบบเดียวที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ควบ คุมได้ ; และอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสารกึ่งตัวนำใน ตัวกลางและมีขนาดอนุภาคเฉลี่ย 100 nm หรือน้อยกว่า,และ อุปกรณ์การใช้งานที่ใช้วัสดุดังกล่าว นอกจากนี้การประดิษฐ์ ยังเกี่ยวข้องกับวิธีการผลิตวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสงโดยการ ฉายลำแสงเลเซอร์ไปบนเป้าหมายที่หนึ่งของวัสดุสารกึ่งตัวนำ ที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยาในสภาพแวดล้อม ก๊สซเฉื่อยความดัน ต่ำ,และเป้าหมายที่สองของวัสดุตัวกลางที่มีคุณสมบัติไฟฟ้า ที่ควบคุมได้ที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยา,การควบแน่น/การสร้าง วัสดุสารกึ่งตัวนำที่ถูกขจัดจากเป้าหมายที่หนึ่ง เพื่อถูกสะสมเป็นอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษที่มีขนาดอนุภาค เฉลี่ย 100 nm หรือน้อยกว่าบนฐานรองที่ถูกวางในห้อง ปฏิกิริยา,และการควบแน่น/การสร้างวัสดุตัวกลางที่ถูกขจัด จากเป้าหมายที่สองเพื่อถูกสะสมบนฐานรองที่ถูกวางในห้อง ปฏิกิริยา เพื่อให้มีการสร้างชั้นที่มีอนุภาคที่ละเอียด เป็นพิเศษกระจายอยู่ที่มีอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสาร กึ่งตัวนำถูกกระจายในตัวกลางบนฐานรอง ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : ข้อถือสิทธิ์
1. วัสดุอิเลกทรอนิกส์แสงประกอบด้วย: ตัวกลางรูปแบบเดียวที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ควบคุม ได้;และอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสรกึ่งตัวนำที่ถูก กระจายในตัวกลางดังกล่าว และมีขนาดอนุภาคเฉลี่ย 100 nm หรือมากกว่า
2. วัสดุอิเลกทรอนิกส์แสง ตามข้อถือสิทธิ์ที่ 1 เส้นผ่าน ศูนย์กลางของอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสารกึ่งตัวนำจะ เท่ากับ หรือเล็กว่าสองเท่าของความยาวคลื่นเดอร์โปรโดย ประมาณของวัสดุกึ่งสารตัวนำสำหรับอนุภาคที่ละเอียดเป็น พิเศษ
3. วัสดุอิเลกทรอนิกส์แสง ตามข้อถือสิทธิ์ที่ 1 ตัวกลาแท็ก :
TH9701002417A 1997-06-19 TH28326A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH28326A true TH28326A (th) 1998-03-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ID17055A (id) Suatu bahan optoelektronik, alat penerapannya dan metode pembuatan bahan optoelektronik tersebut
Malshe et al. A review of techniques for polishing and planarizing chemically vapor-deposited (CVD) diamond films and substrates
JP2023055727A (ja) 均一に封入されたナノ粒子及びその使用
CN109075073A (zh) 纳米颗粒制造
Kanemitsu et al. Visible photoluminescence of silicon‐based nanostructures: Porous silicon and small silicon‐based clusters
JP2020522452A (ja) 封入ナノ粒子を得るための方法
JP2019535860A (ja) ガラス複合粒子とその使用
JP2020522749A (ja) カプセル化されたナノ粒子を含むインク
Yang et al. Synthesis and characterization of germanium/Si− alkyl and germanium/silica core− shell quantum dots
EP1606103A2 (en) Rapid generation of nanoparticles from bulk solids at room temperature
Wu et al. Microcontact printing of CdS/dendrimer nanocomposite patterns on silicon wafers
US20080003458A2 (en) Method of altering crystal structure of group 13 element nitride, group 13 element nitride and structure material containing cubic nitride
US8003551B2 (en) Surface-activation of semiconductor nanostructures for biological applications
KR100815372B1 (ko) 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법
WO1999060597A9 (fr) Cathode de type film a emission froide et procede de fabrication
El-Shall Laser vaporization for the synthesis of nanoparticles and polymers containing metal particulates
TH28326A (th)
Aleksenskii et al. Ultradisperse diamond cluster aggregation studied by atomic force microscopy
KR100466251B1 (ko) 구형의 콜로이드 결정, 다공성 구조체의 제조방법 및 이에사용되는 전기수력학적 분무장치
EP0841703B1 (en) Ultrafine particle structure and production method thereof
KR100397396B1 (ko) Ｗ초미립자의 제조방법 및 w나노결정박막의 제조방법
Zhu et al. Coexisting photoluminescence of Si and Ge nanocrystals in Ge/Si thin film
JP2004344854A (ja) 微粒子集積体の形成方法
Moher et al. Photonic Properties of Thin Films Composed of Gallium Nitride Quantum Dots Synthesized by Nonequilibrium Plasma Aerotaxy
Schröder et al. Analysis of UV Laser-Induced Heterogeneous Deposition: Platinum