TH28326A - - Google Patents
Info
- Publication number
- TH28326A TH28326A TH9701002417A TH9701002417A TH28326A TH 28326 A TH28326 A TH 28326A TH 9701002417 A TH9701002417 A TH 9701002417A TH 9701002417 A TH9701002417 A TH 9701002417A TH 28326 A TH28326 A TH 28326A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- target
- medium
- ultra
- reaction chamber
- fine particles
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (16/09/40) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสง ที่ประกอบด้วยตัวกลางรูปแบบเดียวที่มี คุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ควบคุมได้ ; และอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสารกึ่งตัวนำในตัวกลางและ มีขนาดอนุภาคเฉลี่ย 100nm หรือน้อยกว่า, และอุปกรณ์การใช้งานที่ใช้วัสดุดังกล่าว นอกจากนี้การ ประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับวิธีของการผลิตวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสงโดยการฉายลำแสงเลเซอร์ไปบนเป้า หมายที่หนึ่งของวัสดุสารกึ่งตัวนำที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยาในสภาพแวดล้อม ก๊าซเฉื่อยความดันต่ำ, และเป้าหมายที่สองของวัสดุตัวกลางที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ควบคุมได้ที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยา, การควบแน่น/การสร้างวัสดุสารกึ่งตัวนำที่ถูกขจัดจากเป้าหมายที่หนึ่งเพื่อถูกสะสมเป็นอนุภาคที่ ละเอียดเป็นพิเศษที่มีขนาดอนุภาคเฉลี่ย 100nm หรือน้อยกว่าบนฐานรองที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยา, และการควบแน่น/การสร้าง วัสดุตัวกลางที่ถูกขจัดจากเป้าหมายที่สองเพื่อถูกสะสมบนฐานรองที่ ถูกวางในห้องปฏิกิริยา เพื่อให้มีการสร้างชั้นที่มีอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษกระจายอยู่ที่มีอนุภาคที่ ละเอียดเป็นพิเศษของสารกึ่งตัวนำถูกกระจายในตัวกลางบนฐานรอง บทสรุปการประดิษฐ์การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสงที่ ประกอบด้วยตัวกลางรูปแบบเดียวที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ควบ คุมได้ ; และอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสารกึ่งตัวนำใน ตัวกลางและมีขนาดอนุภาคเฉลี่ย 100 nm หรือน้อยกว่า,และ อุปกรณ์การใช้งานที่ใช้วัสดุดังกล่าว นอกจากนี้การประดิษฐ์ ยังเกี่ยวข้องกับวิธีการผลิตวัสดุอิเลกทรอนิกส์แสงโดยการ ฉายลำแสงเลเซอร์ไปบนเป้าหมายที่หนึ่งของวัสดุสารกึ่งตัวนำ ที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยาในสภาพแวดล้อม ก๊สซเฉื่อยความดัน ต่ำ,และเป้าหมายที่สองของวัสดุตัวกลางที่มีคุณสมบัติไฟฟ้า ที่ควบคุมได้ที่ถูกวางในห้องปฏิกิริยา,การควบแน่น/การสร้าง วัสดุสารกึ่งตัวนำที่ถูกขจัดจากเป้าหมายที่หนึ่ง เพื่อถูกสะสมเป็นอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษที่มีขนาดอนุภาค เฉลี่ย 100 nm หรือน้อยกว่าบนฐานรองที่ถูกวางในห้อง ปฏิกิริยา,และการควบแน่น/การสร้างวัสดุตัวกลางที่ถูกขจัด จากเป้าหมายที่สองเพื่อถูกสะสมบนฐานรองที่ถูกวางในห้อง ปฏิกิริยา เพื่อให้มีการสร้างชั้นที่มีอนุภาคที่ละเอียด เป็นพิเศษกระจายอยู่ที่มีอนุภาคที่ละเอียดเป็นพิเศษของสาร กึ่งตัวนำถูกกระจายในตัวกลางบนฐานรอง DC60 (16/09/40) This invention relates to light electronic materials. Containing a single medium that has Controllable electrical properties; And ultra-fine particles of the semiconductor in the medium and It has an average particle size of 100nm or less, and applications using such materials are also involved in a method of producing light electronic materials by projecting a laser beam onto a target. The first mark of the semiconductor material was placed in the reaction chamber in the environment. Low pressure inert gas, and the second target of the medium with controlled electrical properties was placed in the reaction chamber, condensation / generation of semiconductor material that was removed from the first target to be deposited into the Ultra fine with an average particle size of 100nm or less on a substrate placed in the reaction chamber, and condensation / formation. Media material removed from the second target to be deposited on the substrate that Was placed in the reaction chamber. So that a layer of ultra-fine particles scattered with particles that Super fine semiconductor is distributed in the medium on the substrate. Invention Conclusion This invention relates to light electronic materials that Consists of a single medium with controlled electrical properties; And ultra-fine particles of semiconductors in Medium and has an average particle size of 100 nm or less, and Applications that use such materials Invention Is also related to the production method of light electronic materials by Project a laser beam on the first target of the semiconductor material. That was placed in the reaction chamber in the environment Inert gas pressure Low, and the second target of the medium with electrical properties A controlled place in the reaction chamber, condensation / generation Semiconductor material removed from the first target To be deposited into ultra-fine particles with an average particle size of 100 nm or less on a substrate placed in the chamber. Reaction, and condensation / formation of the eliminated media material From the second target to be deposited on a substrate placed in the reaction chamber to form a layer with fine particles. Specially dispersed containing ultra-fine particles of substance The semiconductor is distributed in the medium on the secondary base.
Claims (3)
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH28326A true TH28326A (en) | 1998-03-25 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ID17055A (en) | AN OPTOELECTRONIC MATERIAL, THE APPLICATION TOOLS AND THE METHOD OF MAKING THE OPTOELECTRONIC MATERIAL | |
Malshe et al. | A review of techniques for polishing and planarizing chemically vapor-deposited (CVD) diamond films and substrates | |
CN109075073A (en) | Nano particle manufacture | |
Kanemitsu et al. | Visible photoluminescence of silicon‐based nanostructures: Porous silicon and small silicon‐based clusters | |
JP2020522452A (en) | Method for obtaining encapsulated nanoparticles | |
JPH09510828A (en) | Thin film electronic device and manufacturing method thereof | |
JP2019535860A (en) | Glass composite particles and their use | |
Yang et al. | Synthesis and characterization of germanium/Si− alkyl and germanium/silica core− shell quantum dots | |
EP1606103A2 (en) | Rapid generation of nanoparticles from bulk solids at room temperature | |
PL1675971T3 (en) | Method for coating a substrate surface using a plasma beam | |
Wu et al. | Microcontact printing of CdS/dendrimer nanocomposite patterns on silicon wafers | |
US20080003458A2 (en) | Method of altering crystal structure of group 13 element nitride, group 13 element nitride and structure material containing cubic nitride | |
WO1999060597A9 (en) | Cold-emission film-type cathode and method for producing the same | |
US8003551B2 (en) | Surface-activation of semiconductor nanostructures for biological applications | |
TH28326A (en) | ||
Aleksenskii et al. | Ultradisperse diamond cluster aggregation studied by atomic force microscopy | |
KR100466251B1 (en) | Manufacturing Method for Spherical Colloidal Crystals with Variable Size and Multi-Pore Structure and Electrohyddrodynamic Spraying Device thereused | |
EP0841703B1 (en) | Ultrafine particle structure and production method thereof | |
KR100397396B1 (en) | Method for producing tungsten super fine particle and nano-crystal membrane | |
Moher et al. | Photonic Properties of Thin Films Composed of Gallium Nitride Quantum Dots Synthesized by Nonequilibrium Plasma Aerotaxy | |
JP2004344854A (en) | Method of forming fine particles accumulated body | |
Goodfriend et al. | Emission and Absorption Spectra of the OF2–NO Diffusion Flame | |
Schröder et al. | Analysis of UV Laser-Induced Heterogeneous Deposition: Platinum | |
JP2006142393A (en) | Micro nano-pattern structure and its manufacturing method | |
RU2363068C1 (en) | Method of composition structure forming |