TH21765A - วิธีการเจริญเติบโตของสารกึ่งตัวนำที่มีการกำหนดทิศทางที่ควบคุมโดยผลึกชั้นล่าง - Google Patents
วิธีการเจริญเติบโตของสารกึ่งตัวนำที่มีการกำหนดทิศทางที่ควบคุมโดยผลึกชั้นล่างInfo
- Publication number
- TH21765A TH21765A TH9501002575A TH9501002575A TH21765A TH 21765 A TH21765 A TH 21765A TH 9501002575 A TH9501002575 A TH 9501002575A TH 9501002575 A TH9501002575 A TH 9501002575A TH 21765 A TH21765 A TH 21765A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- crystals
- substratum
- semiconductor
- group
- directed
- Prior art date
Links
Abstract
วิธีการที่สารกึ่งตัวนำมีการเจริญเติบที่มีการควบคุมทิศทางโดยผลึกชั้นล่างสามารถหลีกเลี่ยงความไม่สม่ำเสมอในการผลิต ที่วางใจได้ เมื่อทำการผลิตสารประกอบกึ่งตัวนำ II-VI โดย การทำให้เจริญเติบโตที่มีการควบคุมทิศทางโดยผลึกชั้นล่าง เมื่อใช้วิธีการนี้กับวิธีการผลิตอุปกรณ์วัสดุกึ่งตัวนำ เปล่งแสง เป็นสิ่งเป็นไปได้ที่จะได้อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ เปล่งแสงที่มีอายุยืนยาว และมีลักษณะจำเพาะของการเปล่งแสง ที่ที่ดีเยี่ยม เมื่อทำให้สารกึ่งตัวนำ II/VI เจริญเติบ โตที่มีการควบคุมทิศทางโดยผลึกชั้นล่าง เลือกอัตราส่วนของ VI/II นั้นคือเลือกอัตราในการป้อนธาตุหมู่ VI และธาตุหมู่ II ที่ใช้ในการเจริญเติบโตที่มี่การควบคุมทิศทางโดยผลึก ชั้นล่างให้อยู่ในช่วงเท่ากั้บจาก 1.3 ถึง 2.5
Claims (2)
1. วิธีการในการทำให้สารกึ่งตัวนำมีการเจริญเติบโตที่มีการกำหนดทิศทางโดยผลึกชั้นล่างประกอบด้วยขั้นตอนของ การทำให้สารกึ่งตัวนำหมู่ II-VI เจริญเติบโตที่มีการกำหนด ทิศทางโดยผลึกชั้นล่าง และ เลือกอัตราส่วนของ VI/II ซี่งป้อนธาตุหมู่ II และธาตุหมู่ II-VI เมื่อสารกึ่งตัวนำหมู่ II-VI ดังกล่าวมีการเจริญเติบ โตที่มีการกำหนดทิศทางโดยผลึกชั้นล่างโดยที่อัตราส่วนของ VI/II ดังกล่าว ตกอยู่ในช่วงเท่ากับจาก 1,3 ถึง 2.5
2. วิธีการในการทำให้สารกึ่งตัวนำมีการเจริญเติบโตที่มีการ กำหนดทิศทางโดยผลึกชั้นล่าง ตามข้อถือสิทธแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH21765A true TH21765A (th) | 1996-11-13 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE19523158C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von selbsttragenden Halbleiterschichten aus Al¶x¶Ga¶y¶In¶1¶¶-¶¶x¶¶-¶¶y¶N und Verwendung der Halbleiterschichten | |
| US5010033A (en) | Process for producing compound semiconductor using an amorphous nucleation site | |
| WO2004074556A3 (ja) | β‐Ｇａ2Ｏ3系単結晶成長方法、薄膜単結晶の成長方法、Ｇａ2Ｏ3系発光素子およびその製造方法 | |
| DE602004029486D1 (de) | Grossfläches gan-substrat mit einheitlich geringer versetzungsdichte und herstellungsverfahren dafür | |
| TW200711188A (en) | Single-crystal nitride-based semiconductor substrate and method of manufacturing high-quality nitride-based light emitting device by using the same | |
| CA2655579A1 (en) | Method and device for fabricating semiconductor light emitting elements | |
| US20110003420A1 (en) | Fabrication method of gallium nitride-based compound semiconductor | |
| JPS575325A (en) | Semicondoctor p-n junction device and manufacture thereof | |
| KR100885190B1 (ko) | 발광소자와 그의 제조방법 | |
| DE69127952T2 (de) | III-V Verbindungs-Halbleiter-Vorrichtung, Drucker- und Anzeigevorrichtung unter Verwendung derselben, und Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung | |
| JPH06103757B2 (ja) | ダイヤモンド電子装置 | |
| CN103498193A (zh) | 一种提高材料晶体质量的外延生长方法 | |
| JP3140751B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| TH21765A (th) | วิธีการเจริญเติบโตของสารกึ่งตัวนำที่มีการกำหนดทิศทางที่ควบคุมโดยผลึกชั้นล่าง | |
| JPH09172199A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 | |
| EP0766297A3 (en) | Method for growing a II-VI compound semiconductor layer containing cadmium and method for fabricating a semiconductor laser | |
| JP3146874B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JPS5710223A (en) | Semiconductor device | |
| KR100693129B1 (ko) | ｐｎ 접합 ＧａＮ 나노막대 ＬＥＤ 제조방법 | |
| US5118365A (en) | Ii-iv group compound crystal article and process for producing same | |
| KR20050014345A (ko) | SiC Buffer layer를 이용한 질화물 계열 반도체 결정 성장 | |
| EP0284437A3 (en) | Iii - v group compound crystal article and process for producing the same | |
| KR20040061703A (ko) | ＧａＮ 나노막대를 이용하는 단결정 ＧａＮ 기판 제조방법 | |
| KR100525723B1 (ko) | ＨＶＰＥ법에 의한 ＧａＮ 나노막대 형성방법 | |
| JP2001302398A (ja) | 単結晶基板上に第３族窒化物のエピタキシャル層を成長させる方法及びその装置 |