TH2002A - วิธีการและอุปกรณ์สำหรับผลิตเซลล์โฟโต้โวลตาอิกอสัญฐานแบบชั้นซ้อนเรียง - Google Patents
วิธีการและอุปกรณ์สำหรับผลิตเซลล์โฟโต้โวลตาอิกอสัญฐานแบบชั้นซ้อนเรียงInfo
- Publication number
- TH2002A TH2002A TH8301000083A TH8301000083A TH2002A TH 2002 A TH2002 A TH 2002A TH 8301000083 A TH8301000083 A TH 8301000083A TH 8301000083 A TH8301000083 A TH 8301000083A TH 2002 A TH2002 A TH 2002A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- chamber
- gas
- room
- base material
- base
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 39
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 31
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims 2
- 230000037361 pathway Effects 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 claims 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 claims 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 claims 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 claims 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 claims 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
Abstract
วิธีการและอุปกรณ์ห้องชุดสำหรับการผลิตเซลล์โฟโตโวลดาอิกอสัณฐานแบบชั้นซ้อนเรียงอย่างต่อเนื่องบนวัสดุฐาน โดยที่ อย่างน้อยชั้นสารกึ่งตัวนำ อสัณฐาน 6 ชั้น จะจับเกาะลง อย่างต่อเนื่องและเป็นลำดับลงบนวัสดุภายใต้สภาวะคงที่ วัสดุฐานถูกขับเคลื่อนจากแกนจ่ายผ่านชุดสามหน่วยของห้องการ จับเกาะอย่างน้อยสองชุดไปยังแกนรับ ชั้นอสัณฐานแต่ละชั้น ของเซลล์ชนิดดี-ไอ-เอ็น แต่ละเซลล์จะถูกผลิตขึ้นในห้อง หนึ่งของชุดสามหน่วยของห้องการจับเกาะ ในห้องแรงของชุดสาร หน่วยของห้องแต่ละชุด ส่วนผสมก๊าซที่มีการเจือปนจะถูกนำ เข้าเพื่อให้เกิดชั้นสารกึ่งตัวนำชั้นแรกจับเกาะบนฐาน ใน ห้องที่สองของชุดสามหน่วยของห้องแต่ละชุด ส่วนผสมก๊าซจะถูก นำเข้า เพื่อให้เกิดชั้นอินทรินลิกจับเกาะบนชั้นแรก และในห้องที่ สามของชุดสามหน่วยของห้องแต่ละชุดส่วนผสมก๊าซที่มีการเจือ ปนจะถูกนำเข้าเพื่อให้เกิดชั้นนำไฟฟ้าชั้นที่สองที่มีสภาพ นำตรงกันข้ามกับชั้นนำไฟฟ้าชั้นแรก จับเกาาะลงบนชั้น อินทรีนลิก อุปกรณ์ห้องชุดได้สร้างขึ้นเพื่อป้องกันอย่าง เกือบสมบูรณ์ที่ (1) เพื่อมิให้ก๊าซเจือปนในห้องแรกหรือ ห้องที่สามของชุดสามหน่วยแต่ละชุดเจือปนกับก๊าซอินทรินลิก ในห้องที่สองของชุดสามหน่วยของห้องการจับเกาะแต่ละชุดและ (2) ก๊าซเจือปนในห้องที่สามของชุดสามหน่วยของห้องการจับ เกาะชุดก่อนหน้าและก๊าซเจือปนในห้องแรกของชุดสามหน่วยของ ห้องการจับเกาะชุดถัดมามิให้ปะปนกันในรูปแบบที่ เหมาะกว่าวัสดุอินทรินลิกเป็นโลหะเจือของซิลิคอนอสัณฐาน ซึ่งถูกเจือปนโดยโบรอนเพื่อเกิดเป็นโลหะเจือชนิดที่และถูก เจือนปนโดยฟอสฟอร์สเพื่อเกิดเป็นโลหะเจือชนิดเอ็น รูปแบบ ที่เหมาะกว่ายังพิจารณาถึงการใช้กระบวนการการจับเกาะแบบการ จ่ายเรืองแสงโดยที่สภาวะความดันสูญญากาศ ระดับอุณหภูมิ ส่วนผสมก๊าซปฏิกิริยา อัตราการไหลของก๊าซปฏิกิริยา ระดับ การกำเนิดกำลังของแคโธด อัตราการเดินทางของภาพและแรงดึงของ ฐานจะถูกควบคุมอย่างถูกต้องแม่นยำ
Claims (3)
1. อุปกรณ์ดังในข้อถือสิทธิข้อที่ 20 ที่ซึ่งแคโธดในห้อง การจับเกาะห้องที่สองประกอบด้วยแคโธดเดี่ยวสองแท่ง ซึ่ง แคโธดแต่ละแท่งเชื่อมต่อกับเครื่องกำเนิดความถี่วิทยุแต่ละ เครื่องและจูเนอร์แต่ละตัว 2
2. วิธีการผลิตเซลล์โฟโต้โวลตาอิกอสัณฐานแบบชั้นซ้อนเรียง บนแผ่นยาวของวัสดุฐานอย่างต่อเนื่องซึ่งวัสดุฐานถูกปรับ เพื่อเคลื่อนจากแกนจับของส่วนจ่ายผ่านห้องทำความสะอาดฐาน และชุดของชุดสามหน่วยของห้องการจับเกาะที่ถูกแยกกั้นอย่าง น้อยที่สุดสองชุดไปยังแกนจับของส่วนรับ แหล่งของแก๊ส ปฏิกิริยาที่มีวัสดุสารกึ่งตัวนำชนิดหนึ่ง วิถีทางสำหรับนำ ส่วนผสมของแก๊สปฏิกิริยาเข้าสู่ห้องการจับเกาะแต่ละห้อง สำหรับการแตกตัวและการจับเกาะของชั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่ เป็นผลิกแบบซ้อนเริ่งติดต่อกันที่มีสภาพนำต่าง ๆ ลงบนแผ่น ของวัสดุฐานที่ผ่านห้องเหล่านั้น ซึ่งวิธีการประกอบด้วย ขั้นตอนของ การร้อยแผ่นวัสดุฐานโดยอัตโนมัติเพื่อส่งและยึดปลายนำของ แผ่นวัสดุฐานจากแกนจับของส่วนจ่ายไปยังแกนจับของส่วนรับ การติดปลายนำของแผ่นแยกกั้นการแทนที่จากแกนแยกกั้นการแทน ที่ เข้ากับวัสดุฐานก่อนที่จะม้วนวัสดุฐานรอบแกนจับของส่วน รับ โดยที่แผ่นแยกกั้นอยู่ระหว่างชั้นที่อยู่ติดกันของ วัสดุฐานขณะที่วัสดุฐานถูกพันรอบแกนจับของส่วนรับ การผนึกและทำให้ห้องที่วัสดุฐานผ่านเป็นสูญญากาศ การชะล้างห้อง การให้ความร้อนแก่ห้องการจับเกาะเพื่ออุ่นวัสดุฐานและส่วน ผสมของแก๊สปฏิกิริยาจนถึงอุณหภูมิของการจับเกาะ การจัดให้มีประตูแก๊สระหว่างห้องการจับเกาะที่อยู่ติดกัน แต่ละคู่ของชุดสามหน่วยแต่ละชุด การจัดให้มีแห่งแก๊สกวาดพา การนำแก๊สกวาดพาเข้าสู่ประตูแก๊สแต่ละแห่ง การจัดให้มีแหล่งแก๊สปฏิกิริยา การกำหนดส่วนผสมของแก๊สปฏิกิริยาและการนำส่วนผสมของแก๊ส ปฏิกิริยาที่ได้กำหนดไว้เข้าสู่ห้องการจับเกาะ ซึ่งการไหล ของส่วนผสมของแก๊สปฏิกิริยาและการไหลของแก๊สกวาดพาถูกปรับ เพื่อป้องกันการปนเปื้อนข้ามห้องของส่วนผสมของแก๊สในกระบวน การในห้องการจับเกาะที่อยู่ติดกันได้อย่างมาก การจัดให้มีแหล่งแก๊สทำความสะอาด การกำหนดการไหลของแก๊สทำความสะอาดเข้าสู่ห้องทำความสะอาด ฐาน ขั้นตอนของการกำหนดและการนำส่วนผสมของแก๊สปฏิกิริยาซึ่งยัง ประกอบด้วย : (1) การกำหนดการไหลของแก๊สนำสารกึ่งตัวนำและ สารเจือปนจากแหล่งเข้าสู่ห้องการจับเกาะห้องแรกของชุดสาม หน่วยแต่ละชุด, (2) การกำหนดการไหลของแก๊สนำสารกึ่งตัวนำ และแก๊สของสารเจือปนที่มีสภาพนำตรงกันข้ามจากแหล่งเข้าสู่ ห้องการจับเกาะห้องที่สามของชุดสามหน่วยแต่ละชุด และ (3) การกำหนดการไหลของแก๊สนำสารกึ่งตัวนำเข้าสู่ห้องการจับเกาะ ห้องที่สองของชุดสามหน่วยแต่ละชุด การจัดให้มีแหล่งแก๊สแยกกั้น การจัดให้มีห้องแยกกั้นเป็นช่วงระหว่างห้องการจับเกาะห้อง ที่สามของชุดสามหน่วยชุดแรกกับห้องการจับเกาะห้องแรกของชุด สามหน่วยชุดที่สอง, การกำหนดส่วนผสมของแก๊สแยกกั้นจากแหล่ง และการนำส่วนผสมของแก๊สแยกกั้นที่กำหนดไว้เข้าสู่ห้องการ จับเกาะเป็นช่วง, การนำส่วนผสมของแก๊สแยกกั้นให้ไหลในทิศ ทางเดียวจากห้องการแยกกั้นเป็นช่วงเข้าสู่ห้องที่สามของชุด สามหน่วยชุดแรกและห้องแรกของชุดสามหน่วยชุดที่สอง การให้พลังงานแก่วิถีทางสำหรับการแตกตัวและการจับเกาะส่วน ผสมของแก๊สปฏิกิริยาลงบนวัสดุฐาน การเริ่มต้นวิถีทางสำหรับเคลื่อนวัสดุฐานอย่างต่อเนื่อง ผ่านห้องการจับเกาะ และ การรักษาอุณหภูมิฐาน, อัตราเร็วการเคลื่อนที่ของฐาน, ความ ตึงของฐาน, ส่วนผสมของแก๋สแยกกั้นให้ห้องแยกกั้น, แก๊สกวาด พาในประตูแก๊ส, ผลต่างความดันระหว่างห้องข้างเคียง, และ ความดันสูญญากาศเอาไว้เป็นอย่างดี โดยที่อาจผลิตเซลล์โฟโต้ โวลตาอิกแบบชั้นซ้อนเรียงที่มีคุณภาพสูงได้อย่างต่อเนื่อง 2
3. วิธีการดังในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งรวมถึงสมรรถนะของ ขั้นตอนของการทำให้กระบวนการการจับเกาะเสร็จสมบูรณ์ดังต่อ ไปนี้ การหยุดวิถีทางสำหรับเคลื่อนวัสดุฐานผ่านห้องการจับเกาะ อย่าต่อเนื่อง การหยุดการไหลของส่วนผสมของแก๊สปฏิกิริยาเข้าสู่ห้อง การชะล้างห้องของเครื่องกลด้วยอาร์กอน, ซึ่งเริ่มต้นโดย พร้อมเพรียงกันในห้องการจับเกาะห้องที่สองของชุดสามหน่วย แต่ละชุด ขณะที่รักษาผลต่างความดันระหว่างห้องข้างเคียงไว้ เพื่อให้แน่ใจถึงการไหลของส่วนผสมของแก๊สจากห้องที่ได้ เลือกไว้ การหยุดการให้ความร้อนแก่ชิ้นส่วน และ การหยุดการปฏิบัติการของหน่วยเครื่องสูบ (ข้อถือสิทธิ 23 ข้อ, 7 หน้า, 11 รูป)
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH2002A true TH2002A (th) | 1984-12-03 |
| TH1543B TH1543B (th) | 1989-10-16 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4663828A (en) | Process and apparatus for continuous production of lightweight arrays of photovoltaic cells | |
| US5441577A (en) | Thin film solar cell and production method therefor | |
| SE8301364D0 (sv) | Sett och apparat for framstellning av amorfa fotovoltiska celler | |
| CA1191975A (en) | Glow discharge deposition apparatus including a non- horizontally disposed cathode | |
| US4380112A (en) | Front surface metallization and encapsulation of solar cells | |
| US4131659A (en) | Process for producing large-size, self-supporting plates of silicon | |
| US20020117199A1 (en) | Process for producing photovoltaic devices | |
| JPS6243554B2 (th) | ||
| JP2009503848A (ja) | 組成傾斜光起電力デバイス及び製造方法並びに関連製品 | |
| TW201029056A (en) | Method for producing a dopant profile | |
| CN117712204A (zh) | 一种低氧硅片及其制备方法 | |
| CN111910247A (zh) | 一种定向凝固生长晶体硅的铸锭炉及应用 | |
| JPH05235391A (ja) | 薄膜太陽電池及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法 | |
| CN112071953A (zh) | 一种板式设备制备钝化接触太阳能电池的方法及装置 | |
| CN215496765U (zh) | 一种用于生成topcon太阳电池多晶硅层的装置 | |
| CN106981540B (zh) | 离子注入跑片方法和离子注入跑片系统 | |
| TH2002A (th) | วิธีการและอุปกรณ์สำหรับผลิตเซลล์โฟโต้โวลตาอิกอสัญฐานแบบชั้นซ้อนเรียง | |
| TH1543B (th) | วิธีการและอุปกรณ์สำหรับผลิตเซลล์โฟโต้โวลตาอิกอสัญฐานแบบชั้นซ้อนเรียง | |
| US20080236665A1 (en) | Method for Rapid Liquid Phase Deposition of Crystalline Si Thin Films on Large Glass Substrates for Solar Cell Applications | |
| JP2009049028A (ja) | 薄膜太陽電池の製造装置 | |
| US9905723B2 (en) | Methods for plasma activation of evaporated precursors in a process chamber | |
| CN102017084B (zh) | 加热装置、膜形成装置及膜形成方法和元件 | |
| CN110629206A (zh) | 一种n型单晶异质结太阳能电池薄膜沉积装备及其沉积方法 | |
| JP2699867B2 (ja) | 薄膜太陽電池とその製造方法 | |
| CN112582498A (zh) | 一种连续式生产晶体硅太阳能电池的方法 |