TH18744C3 - กรรมวิธีการเตรียมแผ่นฟิล์มบางทองแดงออกไซด์ด้วยวิธีอโนไดเซชันสำหรับการกำจัดไนไตรท์ - Google Patents
กรรมวิธีการเตรียมแผ่นฟิล์มบางทองแดงออกไซด์ด้วยวิธีอโนไดเซชันสำหรับการกำจัดไนไตรท์Info
- Publication number
- TH18744C3 TH18744C3 TH1903000740U TH1903000740U TH18744C3 TH 18744 C3 TH18744 C3 TH 18744C3 TH 1903000740 U TH1903000740 U TH 1903000740U TH 1903000740 U TH1903000740 U TH 1903000740U TH 18744 C3 TH18744 C3 TH 18744C3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- copper
- nitrite
- copper oxide
- solution
- concentration
- Prior art date
Links
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 39
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 title claims abstract 23
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract 23
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract 9
- 238000007743 anodising Methods 0.000 title claims abstract 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract 6
- 229960004643 Cupric oxide Drugs 0.000 claims abstract 30
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 27
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract 27
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract 27
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N Copper(I) oxide Chemical compound [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 16
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims abstract 13
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims abstract 4
- -1 nitrite compound Chemical class 0.000 claims abstract 2
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 45
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 36
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 claims 18
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 16
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 claims 15
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 12
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims 12
- 229940083608 Sodium Hydroxide Drugs 0.000 claims 10
- 229960002668 sodium chloride Drugs 0.000 claims 10
- 229910002915 BiVO4 Inorganic materials 0.000 claims 7
- 229940093476 ethylene glycol Drugs 0.000 claims 7
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 6
- GFEYTWVSRDLPLE-UHFFFAOYSA-L dihydrogenvanadate Chemical compound O[V](O)([O-])=O GFEYTWVSRDLPLE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 6
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims 5
- 229940074355 Nitric Acid Drugs 0.000 claims 4
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims 4
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 claims 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 229940091252 Sodium supplements Drugs 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims 1
- 235000020186 condensed milk Nutrition 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 4
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 150000002826 nitrites Chemical class 0.000 abstract 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 abstract 1
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 abstract 1
Abstract
บทสรุปการประดิษฐ์ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณาReadFile:------20/03/2563------(OCR)หน้า1ของจำนวน1หน้าบทสรุปการประดิษฐ์กรรมวิธีการเตรียมแผ่นฟิล์มบางทองแดงออกไซด์ด้วยวิธีอโนไดซ์เซชันสำหรับการกำจัดไนไตรท์ตามการประดิษฐ์นี้ประกอบด้วยการตรึงสารกึ่งตัวนำทองแดงออกไซด์(Cupricoxide,Cu2O)ลงบนแผ่นรองรับที่เป็นโลหะทองแดงด้วยวิธีการทางเคมีไฟฟ้าที่เรียกว่าการอโนไดเซชัน(Anodization)โดยการควบคุมค่ากระแสให้คงที่กับแผ่นทองแดงที่จุ่มอยู่ในสารละลายอิเล็กโทรไลด์เพื่อนำไปประยุกต์ใช้เป็นขั้วไฟฟ้าแคโทดสำหรับการกำจัดไนไตรท์ภายใต้การเร่งด้วยแสงและศักย์ไฟฟ้าที่เรียกว่าเทคนิคโฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติก(Photoelectrocatalytic:PEC)เพื่อเป็นการพัฒนาการเตรียมฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำขั้วไฟฟ้าแคโทดให้มีประสิทธิภาพสูงในการเกิดปฏิกิริยารีดักชันสารประกอบไนไตรท์และสามารถขยายขนาดสเกลได้ง่ายเพื่อนำไปประยุกต์ใช้กับการบำบัดนํ้าเสียที่มีสารไนไตรท์ปนเปื้อนด้วยหลักการโฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติก------------หน้า1ของจำนวน1หน้าบทสรุปการประดิษฐ์กรรมวิธีการเตรียมแผ่นฟิล์มบางทองแดงออกไซด์ด้วยวิธีอโนไดซ์เซชันสำหรับการกำจัดไนไตรท์ตามการประดิษฐ์นี้ประกอบด้วยการตรึงสารกึ่งตัวนำทองแดงออกไซด์(Cupricoxide,Cu2O)ลงบนแผ่นรองรับที่เป็นโลหะทองแดงด้วยวิธีการทางเคมีไฟฟ้าที่เรียกว่าการอโนไดเซชัน(Anodization)โดยการควบคุมค่ากระแสให้คงที่กับแผ่นทองแดงที่จุ่มอยู่ในสารละลายอิเล็กโทรไลต์เพื่อนำไปประยุกต์ใช้เป็นขั้วไฟฟ้าแคโทดสำหรับการกำจัดไนไตรท์ภายใต้การเร่งด้วยแสงและศักย์ไฟฟ้าที่เรียกว่าเทคนิคโฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติก(Photoelectrocatalytic:PEC)เพื่อเป็นการพัฒนาการเตรียมฟิล์มบางสารกึ่งตัวนำขั้วไฟฟ้าแคโทดให้มีประสิทธิภาพสูงในการเกิดปฏิกิริยารีดักชันสารประกอบไนไตรท์และสามารถขยายขนาดสเกลได้ง่ายเพื่อนำไปประยุกต์ใช้กับการบำบัดนํ้าเสียที่มีสารไนไตรท์ปนเปื้อนด้วยหลักการโฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติก
Claims (2)
1.การทำความสะอาดแผ่นทองแดง a.ตัดแผ่นทองแดงที่ใช้เป็นแผ่นรองรับให้มีลักษณะสี่เหลี่ยมจากนั้นทำความสะอาดด้วยสารซักฟอก(Detergent)เช็ดด้วยน้ำกลั่นจากนั้นเช็ดให้แห้ง b.นำแผ่นทองแดงมาเตรียมผิวหน้าให้เหมาะสมโดยการสั่นด้วยเครื่องสั่นความถี่สูง(Ultra?sonicate)ในสารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์(Sodiumhydroxide,NaOH)ที่ความเข้มข้น1โมลต่อลิตรเป็นเวลา30นาทีและในน้ำกลั่นเป็นเวลา10นาทีจากนั้นสั่นต่อด้วยเครื่องสั่นความถี่สูง(Ultra-sonicate)ในสารละลายกรดไนตริก(Nitricacid,HNO3)อัตราส่วน1:10เป็นเวลา30นาทีและในน้ำกลั่นเป็นเวลา10นาทีจะได้แผ่นทองแดงที่สะอาดและมีพื้นที่ผิวเหมาะสมกับการทำอโนไดเซชัน 2.ขั้นตอนการตรึงทองแดงออกไซด์ด้วยเทคนิคอโนไดเซชัน2.1)ตามรายละเอียดรูปที่1ต่อแผ่นทองแดง(2)ที่ทำความสะอาดเรียบร้อยแล้วกับขั้วไฟฟ้าบวกและต่อแผ่นทองแดง(3)กับขั้วไฟฟ้าลบโดยแผ่นทองแดง(3)จะมีขนาดใหญ่โค้งล้อมรอบแผ่นทองแดง(2)ดังแสดงในรูปซึ่งจะจุ่มแผ่นทองแดงทั้งสองลงในสารละลายอีเล็กโทรไลด์(4)(Electrolytesolution)ที่มีส่วนผสมของโซเดียมไฮดรอกไซด์(Sodiumhydroxide,NaOH)ความเข้มข้น1โมลต่อลิตรโซเดียมคลอไรด์(SodiumChloride,NaCl)เข้มข้น2.5โมลต่อลิตรและเอทิลีนไกลคอล(Ethyleneglycol)อัตราส่วน1:100ควบคุมอุณหภูมิสารละลายให้คงที่ที่80องศาเซลเซียสด้วยเตาไฟฟ้า(5)(hotplate)โดยควบคุมกระแสให้คงที่ที่1แอมแปร์ด้วยเครื่องควบคุมค่ากระแส(1)เป็นเวลา20นาทีซึ่งจะเกิดทองแดงออกไซด์(Cupricoxide,Cu2O)เคลือบที่ผิวหน้าทั้งสองด้านของแผ่นทองแดง(2)จากนั้นนำไปเผาที่อุณหภูมิ500องศาเซลเซียสเป็นเวลา1ชั่วโมง2.2)ต่อสายไฟและปิดทับด้วยอีพอกซีเรซิ่น(Epoxyresin)รอให้แห้งจะได้ขั้วไฟฟ้าทองแดงออกไซด์(Cupricoxide,Cu2O)แล้วนำไปศึกษาคุณสมบัติต่างทั้งด้านการดูดกลืนแลงโครงสร้างผลึกสัณฐานวิทยาและสมบัติโฟโตอีเล็กโตรคะตะไลติก(Photoelectrocatalyticproperties)สำหรับการกำจัดไนไตรท์ 3.การเตรียมขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์/บิสมัทวานาเดต(Tungstenoxide/Bismuthvanadate,WCVBiVOa)ด้วยวิธีการจุ่มเคลือบ(Dipcoatingmethod)โดยนำกระจกนำไฟฟ้าฟลูออรีนโดปทินออกไซด์(Fluorinedopedtinoxide;FTO)ที่ทำความสะอาดแล้วไปจุ่มสารละลายทังสะเตนออกไซด์(Tungstenoxide,WO3)ความเข้มข้น0.1โมลต่อลิตรแล้วนำมาอบที่อุณหภูมิ150องศาเซลเซียสเป็นเวลา5นาทีจากนั้นนำขั้วไฟฟ้าที่เย็นลงแล้วไปจุ่มสารละลายบิสมัทวานาเดต(Bismuthvanadate,BiVO4)ความเข้มข้น0.1โมลต่อลิตรแล้วนำมาอบที่อุณหภูมิ150องศาเซลเซียสเป็นเวลา5นาทีจากนั้นนำไปเผาที่อุณหภูมิ550องศาเซลเซียสเป็นเวลา60นาทีรอให้ขั้วไฟฟ้าให้เย็นลงจากนั้นต่อสายไฟและบิดทับด้วยอีพอกซีเรซิ่น(Epoxyresin)และรอให้แห้งจะได้ขั้วไฟฟ้าFT0/W03/BiVO4เพื่อใช้ทำเป็นขั้วไฟฟ้าแอโนด(Anodeelectrode)ต่อไปหน้า2ของจำนวน2หน้า 3.ขั้นตอนการประยุกต์ใช้ขั้วไฟฟ้าทองแดงออกไซด์ที่ได้พัฒนาขึ้นกับการกำจัดไนไตรท์นำขั้วไฟฟ้าทองแดงออกไซด์ที่เตรียมได้ประกอบกับเซลล์โฟโตอิเล็กโตรคะตะไลติก(Photoelectrocatalyticcell)ดังแสดงในรูปที่2โดยต่อขั้วทองแดงออกไซด์(3)(Cupricoxide,Cu2O)เข้ากับขั้วไฟฟ้าลบและขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์/บิสมัทวานาเดต(2)(Tungstenoxide/Bismuthvanadate,W03/BiVO4)เข้ากับขั้วไฟฟ้าบวกภายใต้สภาวะเร่งด้วยแสงจากหลอดไฟ(5)และควบคุมศักย์ไฟฟ้าเท่ากับ1.0โวลต์ด้วยเครื่องควบคุมศักย์ไฟฟ้า(1)ในสารละลายอิเล็กโทรไลต์(4)(Electrolytesolution)โซเดียมคลอไรด์(SodiumChloride,NaCl)ความเข้มข้น0.1โมลต่อลิตรและสารละลายไนไตรท์(Nitritesolution)ความเข้มข้น1.5มิลลิกรัมต่อลิตรติดตามความเข้มข้นของสารละลายไนไตรท์(Nitritesolution)เพื่อทดสอบประสิทธิภาพการกำจัดที่เวลาต่างๆด้วยการตรวจวัดค่าการดูดกลืนแสงด้วยเครื่องยูวีวิสิเบิลสเปกโทรโฟโตมิเตอร์(UV/Visspectrophotometer)
2.การเตรียมขั้วไฟฟ้าทองแดงออกไซด์ออกไซด์ด้วยเทคนิคอโนไดเซชันตามข้อถือสิทธิ1ที่ซึ่งสภาวะที่ดีที่สุดในการเกิดปฏิกิริยาการกำจัดไนไตรท์ในสารละลายน้ำคือจุ่มแผ่นทองแดงที่ทำความสะอาดเรียบร้อยแล้วในสารละลายผสมของโซเดียมไฮดรอกไซด์ความเข้มข้น1โมลต่อลิตรโซเดียมคลอไรด์เข้มข้น2.5โมลต่อลิตรและเอทิลีบไกลคอลอัตราส่วน1:100ควบคุมอุณหภูมิสารละลายให้คงที่ที่80องศาเซลเซียสควบคุมกระแสให้คงที่ที่1แอมแปร์เป็นเวลา20นาทีจากนั้นนำไปเผาที่อุณหภูมิ500องศาเซลเซียสเป็นเวลา1ชั่วโมงแล้วนำไปประกอบกับเซลล์โฟโตริเล็กโตรคะตะไลติกโดยต่อขั้วไฟฟ้าทองแดงออกไซด์ที่ขั้วไฟฟ้าลบและขั้วไฟฟ้าทังสเตนออกไซด์/บิสมัทวานาเดตกับขั้วไฟฟ้าบวกภายใต้สภาวะเร่งด้วยแสงจากหลอดไฟและควบคุมค่าศักย์ไฟฟ้าเท่ากับ1.0โวลต์ในสารละลายริเล็กโทรไลต์โซเดียมคลอไรด์ความเข้มข้น0.1โมลต่อลิตร
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH18744A3 TH18744A3 (th) | 2021-11-25 |
| TH18744C3 true TH18744C3 (th) | 2021-11-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106868509B (zh) | 一种石墨烯修饰含氟二氧化铅电极及其制备方法 | |
| CN103276429B (zh) | 铝或铝合金的超疏水表面的制备方法 | |
| ES2378888T3 (es) | Procedimiento para producir una película de recubrimiento de óxido de titanio cristalino a través de anodización electrolítica | |
| CN101380636A (zh) | 用于阳极化腔室部件的湿法清洁工艺 | |
| Folquer et al. | Study of copper dissolution and passivation processes by electrochemical impedance spectroscopy | |
| KR101525340B1 (ko) | 도전성 다이아몬드 전극, 이것을 이용한, 황산 전해방법 및 황산 전해장치 | |
| CN106367795A (zh) | 一种葡萄糖酸钠阳极氧化液及其制备方法和应用 | |
| CN104404566A (zh) | 一种以修饰TiO2纳米管阵列为中间层的钛基二氧化铅阳极及其制备方法与应用 | |
| TH18744A3 (th) | กรรมวิธีการเตรียมแผ่นฟิล์มบางทองแดงออกไซด์ด้วยวิธีอโนไดเซชันสำหรับการกำจัดไนไตรท์ | |
| TH18744C3 (th) | กรรมวิธีการเตรียมแผ่นฟิล์มบางทองแดงออกไซด์ด้วยวิธีอโนไดเซชันสำหรับการกำจัดไนไตรท์ | |
| CN109985630A (zh) | 一种铜镍电催化剂的制备方法 | |
| RU2070622C1 (ru) | Способ нанесения керамического покрытия на металлическую поверхность микродуговым анодированием и электролит для его осуществления | |
| CN112121470B (zh) | 一种含氟废弃物的预分离方法及金刚石基分离装置 | |
| KR20140126076A (ko) | 산화티타늄 전극의 제조방법, 이를 포함하는 활성산소종 생성 시스템, 염소 생성 시스템, 염료감응형 태양전지 및 전기이중층 커패시터 | |
| CN110257893A (zh) | 一种铝箔腐蚀工艺 | |
| CN105702466A (zh) | 一种高介电常数化成铝箔的制备方法 | |
| TW201031604A (en) | Electrodialysis method for purifying of silicate-containing potassium hydroxide etching solution | |
| CN114523220A (zh) | 一种碳化硅晶圆片剥离方法及剥离装置 | |
| CN114394650A (zh) | 一种螺旋二氧化钛光电极及其制备方法和应用 | |
| KR102605336B1 (ko) | 전기 분해용 전극 및 이의 제조방법 | |
| CN107459110A (zh) | 一种光阳极电极材料及其制备方法和应用 | |
| Tot et al. | Electrochemical characterization of PbO2-TiO2 composite prepared on stainless steel substrate by cyclic voltammetry method | |
| JP2003133308A (ja) | 炭化ケイ素の酸化膜製造方法、酸化膜製造装置、および酸化膜を用いた半導体素子の製造方法 | |
| CN104399454B (zh) | 一种具备抗硫中毒的含钯氧化钛光催化剂的制备方法 | |
| CN113308727B (zh) | 二氧化钛纳米管、基于二氧化钛纳米管的复合电极、及其制备方法、应用 |