TH18258A - วิธีการสำหรับนำชิปสารกึ่งตัวนำเปล่ากลับคืนจากมอ?ดูลที่บรรจุโดยใช้พลาสติก - Google Patents

Abstract

การขจัดส่วนหุ้มที่บรรจุดดยใช้พลาสติกออกมีความจำเป็น อย่างแท้จริงในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ โดยเฉพาะสำหรับการสร้าง และการวิเคราะห์ความเสียหายของชิปสารกึ่งตัวนำที่ถูกอัดแบบในมอดูล ที่บรรจุโดยใช้พลาสติก ความมุ่งหมายของวิธีการเปิดออกก็เพื่อนำชิป สารกึ่งตัวนำเปล่าออกโดยไม่เกิดความเสียหาย ปัญหาจะรุนแรงมาก เมื่อ เรซินที่ใช้หุ้มที่เป็นพลาสติกชนิดทนทานต่อการกัด ถูกใช้เป็นวัตถุอัดแบบ วิธีการของการประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องโดยเฉพาะกับมอดูล ที่บรรจุโดยใช้ พลาสติก (10) ชนิดที่ซึ่งบริเวณหน้าสัมผัสของชิป (11) ถูกเชื่อมต่อโดย การยึดลวดกับตัวนำขาต่อ (12) และที่ซึ่งชิปถูกอัดแบบในเรซินชนิดทนต่อ การกัดดังกล่าว วิธีการเปิดออกแบบใหม่ รวมถึงขั้นตอน a) การจัด ด้านบนของมอดูล (10) เพื่อขจัดส่วนด้านบนของเรซินที่ใช้หุ้มที่เป็น พลาสติก (13) ออกจนกระทั่ง ตัวนำ (12) ของโครงขาต่อ ปรากฎออก b) การนำโครงขาต่อออก c) การขัดด้านหลังของมอดูลแบบหยาบเพื่อขจัด ส่วนด้านล่างของเรซินที่ใช้หุ้มที่เป็นพลาสติก (13) ออกจนกระทั่งผิวหน้า แบบพาสชีฟของชิปของซิลิคอน (11) ปรากฏออก d) การแช่มอดูลที่ได้ ในอ่างกรดไนตริกที่เป็นควันร้อนจนมีอุณหภูมิประมาณ 120 ํC และเป็นเวลา ประมาณ 8 นาที และ e) การทำให้มอดูลที่ได้ดังกล่าวเย็นตัวลงทันทีโดย การเป่าอากาศอัดที่อุณหภูมิโดยรอบบนนั้น เพื่อทำให้เกิดแรงช็อคเชิงความ ร้อน โดยที่ส่วนที่เหลืออยู่ทั้งหมดของเรซินที่ใช้หุ้มที่เป็นพลาสติก (13) ถูก ขจัดออก ซึ่งจะเหลือชิปของซิลิคอนเปล่าที่ต้องการโดยไม่เกิดความเสียหาย ใด ๆ

Claims (5)

1. วิธีการสำหรับนำชิปของสารกึ่งตัวนำเปล่าที่ไม่เกิดความ เสียหาย (11) กลับคืน จากมอดูลที่บรรจุโดยใช้พลาสติก (10) ชนิดที่หนึ่ง บริเวณหน้าสัมผัส (19) ของชิปถูกเชื่อมต่อโดยลวดโลหะ (15) ที่ยึดกับสาร กึ่งตัวนำ (12) ของโครงขาต่อโหะ และทีซึ่งชิปถูกอัดแบบในเรซิน ที่ใช้หุ้ม โดยพลาสติก (13) ซึ่งทนทานต่อการกัดต่อกรดไนตริกที่เป็นควัน วิธีการเปิด ออกดังกล่าว รวมถึงขั้นตอน a) การขัดด้านบนของมอดูล จนกระทั่งตัวนำของ โครงขาต่อปรากฎออก b) การนำโครงขาต่อออก c) การขัดด้านบนของมอดูลแบบหยาบ จนกระทั่ง ผิวหน้าแบบพาสซีฟของชิปของซิลิคอน ปรากฎออกโดยประมาณ d) การให้ความร้อนต่อมอดูลที่ได้ จนมีอุณหภูมิประมาณ 50 ํC โดยปราศจากผลกระทบในด้านความเสียหายต่อ ความสามารถในการทำ หน้าที่ของชิป และเป็นช่วงเวลาที่กำหนดไว้ e) การทำให้มอดูลที่ได้ดังกล่าวเย็นตัวลงทันที เพื่อให้ เกิดแรงช็อคเชิงความร้อน โดยที่ส่วนที่เหลืออยู่ทั้งหมดของเรซินที่ใช้หุ้มที่เป็น พลาสติก ถูกขจัดออก ซึ่งจะเหลือชิปของซิลิคอนเปล่าที่ต้องการ

2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ยังรวมถึงขั้นตอน f) การนำลวดที่บริเวณใกล้เคียงของบริเวณหน้าสัมผัส ของชิปดังกล่าวออก

3. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ที่ซึ่ง ขั้นตอนการให้ ความร้อนต่อมอดูลที่ได้ในขั้นตอน d) ดังกล่าว ประกอบด้วย d1) การแช่มอดูลในอ่าง กรดไนตริกที่เป็นควันร้อนที่มี อุณหภูมิสูง อุณหภูมิหนึ่ง ที่อยู่ระหว่างประมาณ 80 และประมาณ 150 ํC เป็น เวลาหนึ่ง ที่อยู่ระหว่างประมาณ 4 และประมาณ 10 นาที

4. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 หรือ 3 ที่ซึ่งขั้นตอน การทำให้เกิดแรงช็อคเชิงความร้อนขั้นตอน 2) ดังกล่าว ประกอบด้วย d1) การเป่าอากาศอัดที่อุณหภูมิโดยรอบ

5. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น ที่ซึ่ง ขั้นตอน f) ประกอบด้วย การแช่ชิปในอ่างปรอทที่ปั่นป่วนเป็นเวลาประมาณ 45 นาที