TH1801000299A

TH1801000299A - อ่างที่ใช้ชุบเคลือบฟอสฟอรัส-นิกเกิลแบบไม่ใช้ไฟฟ้าที่มีความเข้มข้นของไอออน ที่ลดลงและวิธีการใช้

Info

Publication number: TH1801000299A
Application number: TH1801000299A
Authority: TH
Inventors: รัฟฟินี; เจ อลัน; วอจคิก; เจ แมททิว; ลาแพลนเต; จีน; มิสตี้; ไนลีช
Original assignee: นางสาวรตินุช ก้าวหน้าชัยมงคล; นางสาวจุฑาจิต ศรีประสาธน์; นายรัชพงษ์ ทองดีแท้
Filing date: 2016-07-14
Publication date: 2019-03-22

Abstract

------17/04/2561------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ อ่างที่ใช้ชุบฟอสฟอรัส-นิกเกิลแบบไม่ใช้ไฟฟ้าที่มีนํ้าสำหรับทำการก่อรูปสารเคลือบ ฟอสฟอรัส-นิกเกิลแบบไม่ใช้ไฟฟ้าบนซับสเตรทที่ถูกเคลือบด้วยอัลคาไลน้ซินเคตรวมถึง Ni ประมาณ 1.0 ก./ลิตรถึงน้อยกว่า 5.0 ก./ลิตร, สารรติวซิ่งไฮโปฟอสฟอรัสประมาณ 25 ก./ลิตร ถึง ประมาณ 40 ก./ลิตร ; และผลพลอยได้ออร์โธฟอสไฟต์ 0 ถึง ประมาณ 120 ก./ลิตร อ่างนิกเกิล- ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าที่มีความเข้มข้นของออร์โธฟอสไฟต์ที่ไม่เกินประมาณ 120 ก./ลิตรจัดให้ มีสารเคลือบทับนิกเกิล-ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าบนซับสเตรทที่ถูกเคลือบชินเคตที่มีความเค้นจาก ภายในที่ชํ่งกดอัดมากกว่าสารเคลือบทับนิกเกิล-ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าที่ถูกจัดให้มีโดยการใช้ อ่างนิกเกิล-ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าแบบดั้งเติม ------------ หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ อ่างที่ใช้ชุบเคลือบฟอสฟอรัส-นิกเกิลแบบไม่ใช้ไฟฟ้าที่มีนํ้าสำหรับทำการก่อรูปสารเคลือบ ฟอสฟอรัส-นิกเกิลแบบไม่ใช้ไฟฟ้าบนซับสเตรทที่ถูกเคลือบด้วยอัลคาไลน์ซินเคตรวมถึง Ni ประมาณ 1.0 ก./ลิตรถึงน้อยกว่า 5.0 ก./ลิตร, สารรติวซิ่งไฮโปฟอสฟอรัสประมาณ 25 ก./ลิตร ถึง ประมาณ 40 ก./ลิตร ; และผลพลอยได้ออร์โธฟอสไฟต์ 0 ถึง ประมาณ 120 ก./ลิตร อ่างนิกเกิล- ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าที่มีความเข้มข้นของออร์โธฟอสไฟต์ที่ไม่เกินประมาณ 120 ก./ลิตรจัดให้ มีสารเคลือบทับนิกเกิล-ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าบนซับสเตรทที่ถูกเคลือบซินเคตที่มีความเค้นจาก ภายในที่ซึ่งกดอัดมากกว่าสารเคลือบทับนิกเกิล-ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าที่ถูกจัดให้มีโดยการใช้ อ่างนิกเกิล-ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าแบบดั้งเดิม

Claims

: ------17/04/2561------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ อ่างที่ใช้ชุบฟอสฟอรัส-นิกเกิลแบบไม่ใช้ไฟฟ้าที่มีนํ้าสำหรับทำการก่อรูปสารเคลือบ ฟอสฟอรัส-นิกเกิลแบบไม่ใช้ไฟฟ้าบนซับสเตรทที่ถูกเคลือบด้วยอัลคาไลน้ซินเคตรวมถึง Ni ประมาณ 1.0 ก./ลิตรถึงน้อยกว่า 5.0 ก./ลิตร, สารรติวซิ่งไฮโปฟอสฟอรัสประมาณ 25 ก./ลิตร ถึง ประมาณ 40 ก./ลิตร ; และผลพลอยได้ออร์โธฟอสไฟต์ 0 ถึง ประมาณ 120 ก./ลิตร อ่างนิกเกิล- ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าที่มีความเข้มข้นของออร์โธฟอสไฟต์ที่ไม่เกินประมาณ 120 ก./ลิตรจัดให้ มีสารเคลือบทับนิกเกิล-ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าบนซับสเตรทที่ถูกเคลือบชินเคตที่มีความเค้นจาก ภายในที่ชํ่งกดอัดมากกว่าสารเคลือบทับนิกเกิล-ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าที่ถูกจัดให้มีโดยการใช้ อ่างนิกเกิล-ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าแบบดั้งเติม ------------ หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ อ่างที่ใช้ชุบเคลือบฟอสฟอรัส-นิกเกิลแบบไม่ใช้ไฟฟ้าที่มีนํ้าสำหรับทำการก่อรูปสารเคลือบ ฟอสฟอรัส-นิกเกิลแบบไม่ใช้ไฟฟ้าบนซับสเตรทที่ถูกเคลือบด้วยอัลคาไลน์ซินเคตรวมถึง Ni ประมาณ 1.0 ก./ลิตรถึงน้อยกว่า 5.0 ก./ลิตร, สารรติวซิ่งไฮโปฟอสฟอรัสประมาณ 25 ก./ลิตร ถึง ประมาณ 40 ก./ลิตร ; และผลพลอยได้ออร์โธฟอสไฟต์ 0 ถึง ประมาณ 120 ก./ลิตร อ่างนิกเกิล- ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าที่มีความเข้มข้นของออร์โธฟอสไฟต์ที่ไม่เกินประมาณ 120 ก./ลิตรจัดให้ มีสารเคลือบทับนิกเกิล-ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าบนซับสเตรทที่ถูกเคลือบซินเคตที่มีความเค้นจาก ภายในที่ซึ่งกดอัดมากกว่าสารเคลือบทับนิกเกิล-ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าที่ถูกจัดให้มีโดยการใช้ อ่างนิกเกิล-ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าแบบดั้งเดิม ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : ------17/04/2561------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 4 หน้า ข้อถือสิทธิ

1. อ่างที่ใช้ชุบฟอสฟอรัส-นิกเกิลแบบไม่ใช้ไฟฟ้าที่มีนํ้าสำหรับทำการก่อรูปสารเคลือบ ฟอสฟอรัส-นิกเกิลแบบไม่ใช้ไฟฟ้าบนซับสเตรทที่ถูกเคลือบด้วยอัลคาไลน์ชินเคต, ซํ่งอ่างที่ใช้ชุบ ประกอบรวมด้วย: Ni ประมาณ 1.0 ก./ลิตรถึงน้อยกว่า 5.0 ก./ลิตร; สารรติวซ็่งไฮโปฟอสฟอรัสประมาณ 25 ก./ลิตรถึงประมาณ 40 ก./ลิตร; และผลพลอยได้ ออร์โธฟอสไฟต์ 0 ถึงประมาณ 120 ก./ลิตร; ที่ซํ่งอ่างนิกเกิล-ฟอสฟอรัสแบบไม่ใช้ไฟฟ้าที่มีความเข้มข้นของออร์โธฟอสไฟต์ที่ไม่เกิน ประมแท็ก :