TH15673B - ชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริกและวิธีการผลิตสิ่งดังกล่าว - Google Patents

Abstract

ในชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก (21) อิเล็กโทรดภายใน (31) ถูกฝังไว้ในส่วนลำตัวเซรามิก พิโซอิเล็กตริก (22) ให้ยื่นในทิศทางตามแนวยาวของมัน อิเล็กโทรดผิวหน้าอันที่หนึ่งถึงอันที่สาม (23 ถึง 25,27 ถึง 29) ถูกก่อรูปขึ้นบนผิวหน้าด้านบนและด้านล่างของส่วนลำตัว เซรามิกพิโซอิเล็กตริก (22) ในส่วนที่หนึ่งถึงส่วนที่สามไปตามทิศทางตามแนวยาว อิเล็กโทรดเชื่อมต่อ (26,30) ถูกก่อรูปขึ้นเพื่อเชื่อมต่ออิเล็กโทรดผิวหน้าอันที่หนึ่งถึงอันที่สาม (23 ถึง 25,27 ถึง 29)ซึ่งกันและกัน ส่วนที่หนึ่งถึงส่วนที่สามถูกโพลาไรซ์ในลักษณะที่ว่าส่วนที่สองถูกโพลาไรซ์แบบตรงกันข้ามกับส่วนที่หนึ่งถึงส่วนที่สาม และบริเวณที่จัดไว้เหนือและใต้อิเล็กโทรดภายในถูกโพลาไรซ์ในทิศทางตรงกันข้ามในส่วนที่หนึ่งถึงส่วนที่สามแต่ละส่วน

Claims (4)

1. ชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ประกอบด้วยส่วนลำตัวชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ซึ่งมีส่วนที่หนึ่ง ที่สอง และ ที่สาม ตามทิศทางตามแนวยาวของส่วนลำตัวชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก ซึ่งจะถูกโพลาไรซซ์ลักษณะที่ส่วนที่หนึ่ง และ ที่สามดังกล่าวจะถูกโพลาไรซ์ในทิศทางตรงข้ามกับทิศทางโพลาไรเซชันของส่วนที่สองดังกล่าวตามทิศทางของความหนาของส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก อิเล็กโทรดภายในที่หนึ่ง ที่สอง และ ที่สาม ซึ่งจะถูกตั้งอยู่ในด้านในของส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริกดังกล่าว เพื่อยื่นขยายในทิศทางตามแนวยาวดังกล่าวในส่วนที่หนึ่ง ส่วนที่สองและส่วนที่สาม ในขณะที่จะแยกออกจากกันและกัน และ อิเล็กโทรด ดูดสัญญาณที่หนึ่ง และ ที่สอง ถูกตั้งอยู่บนผิวหน้าด้านบน และด้านล่างของส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก ดังกล่าวาตามลำดับ 2. ชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ในความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง บริเวณที่ถูกตั้งอยู่เหนือและข้างล่าง อิเล็กโทรด ภายในดังกล่าว แต่ละอันจะถูกโพลาไรซ์ ในทิศทางตรงข้ามในแต่ละอันของส่วนที่หนึ่ง ส่วนที่สอง และ ส่วนที่สาม 3. ชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ในความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง ส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก ดังกล่าว ถูกทำด้วยเซรามิกพิโซอิเล็กตริก 4. ตัวตรวจรู้การเร่ง ซึ่งประกอบด้วย ส่วนลำตัวชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ซึ่งมีส่วนที่หนึ่ง ที่สอง และ ที่สาม ตามทิศทางตามแนวยาวของส่วนลำตัวชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก ซึ่งจะถูกโพลาไรซ์ลักษณะที่ส่วนที่หนึ่ง และ ที่สามดังกล่าวจะถูกโพลาไรซ์ในทิศทางตรงข้ามกับทิศทางโพลาไรเซชันของส่วนที่สองดังกล่าว ตามทิศทางของความหนาของส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก อิเล็กโทรดภายในที่หนึ่ง ที่สอง และ ที่สาม ซึ่งจะถูกตั้งอยู่ในด้านในของส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริกดังกล่าว เพื่อยื่นขยายในทิศทางตามแนวยาวดังกล่าวในส่วนที่หนึ่ง ส่วนที่สองและส่วนที่สาม ในขณะที่จะแยกออกจากกันและกัน และ อิเล็กโทรด ดูดสัญญาณที่หนึ่ง และ ที่สอง ถูกตั้งอยู่บนผิวหน้าด้านบน และด้านล่างของส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก ดังกล่าวาตามลำดับ 5. ชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ประกอบด้วย: ส่วนลำตัวชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ซึ่งมีส่วนที่หนึ่ง ที่สอง และ ที่สาม ตามทิศทางตามแนวยาวของส่วนลำตัวชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก ซึ่งจะถูกโพลาไรซ์ลักษณะที่ส่วนที่หนึ่ง และ ที่สามดังกล่าวจะถูกโพลาไรซ์ในทิศทางตรงข้ามกับทิศทาง โพลาไรเซชันของส่วนที่สองดังกล่าว ตามทิศทางของความหนาของส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก อิเล็กโทรด ภายนอกที่ถูกแยกออกที่หนึ่ง และที่สอง ซึ่งถูกตั้งอยู่ที่ปลายตรงข้ามของส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก ตามทิศทางตามแนวยาว อิเล็กโทรดภายในที่หนึ่ง ที่สอง และ ที่สาม ซึ่งจะถูกตั้งอยู่ในด้านในของส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริกดังกล่าว เพื่อยื่นขยายในทิศทางตามแนวยาวดังกล่าวในส่วนที่หนึ่ง ส่วนที่สองและส่วนที่สาม ในขณะที่จะแยกออกจากกันและกัน และ อิเล็กโทรดดูดสัญญาณที่หนึ่ง และ ที่สอง ถูกตั้งอยู่บนผิวหน้าด้านบน และด้านล่างของส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก ดังกล่าวาตามลำดับ อิเล็กโทรต ดูดสัญญาณที่หนึ่งดังกล่าว ซึ่งจะถูกเชื่อมต่อกับ อิเล็คตริก ดังกล่าวตามลำดับ อิเล็กโทรดดูดสัญญาณที่หนึ่งดังกล่าว ซึ่งจะถูกเชื่อมต่อกับ อิเล็กโทรดภายนอกที่หนึ่งดังกล่าว และ อิเล็กโทรดดูดสัญญาณที่สองดังกล่าว ซึ่งจะถูกเชื่อมต่อกับอิเล็กโทรดภายนอกที่สองดังกล่าว 6. วิธีการของการผลิตชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: การเตรียม ส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก ซึ่งรวมไปถึงอิเล็กโทรดภายในที่ถูกจัดวางเพื่อยืดขยายตามทิศทางตามแนวนายของของส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก การจ่ายเพสท์เชิงความนำ ไปยังผิวหน้าด้านบน และด้านล่างของส่วนลำตัว พิโซอิเล็กตริก ดังกล่าวในส่วนที่หนึ่ง ส่วนที่สอง และส่วนที่สาม ของแต่ละอันของผิวหน้าด้านบน และด้านล่างดังกล่าวตามทิศทางตามแนวยาวดังกล่าว และการอบเพสท์เชิงความนำ โดยวิธีนั้น ทำการขึ้นรูปอิเล็กโทรดของผิวหน้าที่หนึ่ง ที่สอง และ ที่สาม บนแต่ละอันของผิวหน้าด้านบนและด้านล่างดังกล่าว ตามลำดับ การโพลาไรซ์ชันส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก ผ่านอิเล็กโทรดภายในดังกล่าวและอิเล็กโทรดของผิวหน้าที่หนึ่ง ที่สอง และที่สามดังกล่าว ถูกตั้งอยู่บนผิวหน้าด้านบน และด้านล่างดังกล่าวของส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก ดังกล่าว เพื่อว่าส่วนที่หนึ่งและที่สาม ดังกล่าว และส่วนที่สองดังกล่าว ของส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก ดังกล่าว ถูกโพลาไรเซชัน อย่างตรงข้ามกันตามทิศทางของความหนาาของส่วนลำตัวของพิโซอิเล็กตริก ดังกล่าว และ การสร้าง อิเล็กโทรดสำหรับการเชื่อมต่อที่หนึ่ง ที่สองสำหรับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้า อิเล็กโทรดของผิวหน้าที่หนึ่ง ที่สอง และที่สามดังกล่าวถูกตั้งอยู่บนผิวหน้าด้านบน และด้านล่างดังกล่าวของส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก ดังกล่าว เพื่อว่าส่วนที่หนึ่งและที่สามดังกล่าว และส่วนที่สอง อย่างน้อยบางส่วนครอบคลุมอิเล็กโทรดของผิวหน้าที่หนึ่ง ที่สอง และที่สามดังกล่าวตามลำดับ 7. วิธีการของการผลิตชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 6 ในที่ซึ่ง บริเวณซึ่งจะถูกตั้งอยู่เหนือ และใต้อิเล็กโทรดภายในดังกล่าว ถูกโพลาไรซ์ในทิศทางที่ตรงข้าม ในแต่ละอันของส่วนที่หนึ่ง และที่สามดังกล่าว 8. วิธีการของการผลิตชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 6 ในที่ซึ่ง ขั้นตอนดังกล่าวของการเตรียม ส่วนของลำตัวพิโซอิเล็กตริก แบบแผ่นซึ่งจะถูกเตรียมพร้อมด้วยอิเล็กโทรดภายในดังกล่าว ถูกดำเนินการโดยการผ่านคู่ของแผ่นเซรามิก พิโซอิเล็กตริก ซึ่งกันและกันผ่าน ตำแหน่งระหว่างกันของอิเล็กโทรดภายในดังกล่าว ระหว่างสิ่งเหล่านั้น 9. วิธีการของการผลิตชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: การเตรียมคู่ของแผ่นเซรามิก พิโซอิเล็กตริก แต่ละอัน ซึ่งมีสองผิวหน้าหลัก การสร้างจำนวนหนึ่งของ อิเล็กโทรดภายในบนผิวหน้าหลักที่หนึ่ง ของแต่ละอันของ แผ่น พิโซอิเล็กตริก ดังกล่าว เพื่อที่ว่า แต่ละอันของอิเล็กโทรดภายในยืดขยายในทิศทางตามแนวยาวของแผ่น พิโซอิเล็กตริก ตามลำดับ โดยปราศจากการยืดขยายไปทางตามแนวยาวของแผ่นพิโซอิเล็กตริก การสร้างจำนวนหนึ่งของชุดของอิเล็กโทรดของผิวหน้าบน ผิวหน้ารองที่สองของแต่ละอัน ของแผ่น พิโซอิเล็กตริก ดังกล่าวแต่ละชุดของอิเล็กโทรดของผิวหน้า ซึ่งจะถูกจัดวางอยู่ตรงข้ามกับอันที่สอดคล้อง อิเล็กโทรดภายใน และซึ่งประกอบด้วยอิเล็กโทรดของผิวหน้าที่หนึ่งและที่สอง และที่สาม ซึ่งถูกจัดวางในส่วนที่หนึ่ง ที่สอง และที่สาม ตามลำดับ ของแผ่นเซรามิก พิโซอิเล็กตริก ดังกล่าว ซึ่งอิเล็กโทรดของผิวหน้าดังกล่าวถูกทำด้วยฟิล์มที่ค่อนข้างหนา ซึ่งจะถูกสร้างขึ้นโดยการทา และการอบเพสท์เชิงความนำ การโพลาไรซ์แผ่นเซรามิกพิโซอิเล็กตริก ดังกล่าว แต่ละอันถูกจัดเตรียมไว้ด้วยอีเล็กโทรดภายในดังกล่าว และอิเล็กโทรดของผิวหน้าที่หนึ่ง ที่สอง และที่สามดังกล่าว เพื่อที่ว่าส่วนที่หนึ่งและ ที่สามดังกล่าว ถูกโพลาไรซ์ในทิศทางที่ตรงข้ามกับทิศทางโพลาไรเซชันของส่วนที่สองดังกล่าว ตามทิศทางของความหนา ผ่านอิเล็กโทรดภายในดังกล่าว การสร้างอิเล็กโทรดสำหรับการเชื่อมต่อซึ่งรวมไปถึงฟิล์มที่ค่อนข้างบางบนผิวหน้าดังกล่าว ของแผ่นเซรามิก พิโซอิเล็กตริก ดังกล่าว ที่ถูกจัดเตรียมไว้ด้วยอิเล็กโทรดของผิวหน้าที่หนึ่งที่สอง และที่สามดังกล่าวเพื่อเชื่อมต่ออิเล็กโทรดของผิวหน้าที่หนึ่ง ที่สอง และที่สาม ดังกล่าวเชิงไฟฟ้าเข้าด้วยกันและกัน และอย่างน้อยเพื่อปกคลุมอิเล็กโทรดของผิวหน้าที่หนึ่ง ที่สอง และที่สามดังกล่าวบางส่วนตามลำดับแล้ว การยึดติดผิวหน้าดังกล่าวที่ถูกจัดเตรียมไว้ด้วยอิเล็กโทรดภายในดังกล่าว ซึ่งกันและกันคู่ดังกล่าวของแผ่นเซรามิก พิโซอิเล็กตริก ที่ถูกจัดเตรียมไว้ด้วย อิเล็คโทรดสำหรับการเชื่อมต่อดังกล่าว โดยวิธีนั้น โดยการสร้างส่วนลำตัวพิโซอิเล็กตริก 1 0. วิธีการของการผลิตชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 9 ในที่ซึ่ง บริเวณซึ่งจะถูกตั้งบอยู่เหนือ และใต้อิเล็กโทรดภายในดังกล่าว ถูกโพลาไรซ์ในทิศทางที่ตรงข้าม ในแต่ละอันของส่วนที่หนึ่ง และที่สามดังกล่าว 1

1. วิธีการของการผลิตชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: การจัดเตรียมแผ่นรูปสี่เหลี่ยมผืนผ้าถูกทำให้เป็นแผ่นสีเขียวที่หนึ่ง และที่สอง ซึ่ง ประกอบด้วย เซรามิก พิโซอิเล็กตริก การจ่ายเพสท์เชิงความนำ ไปยังผิวหน้าเดี่ยวของแผ่นสีเขียวที่หนึ่งดังกล่าว ในส่วนที่หนึ่งถึงที่สามตามทิศทางตามแนวยาวของมัน เพื่อสร้างรูปแบบของอิเล็กโทรดภายในที่หนึ่ง ถึงที่สามตมลำดับ การซ้อนแผ่นสีเขียวที่สองดังกล่าว บนผิวหน้าดังกล่าว ของแผ่นสีเขียวที่หนึ่งดังกล่าวจะถูกจัดเตรียมไว้ด้วยรูปแบบของอิเล็กโทรดภายในหนึ่ง ถึงที่สามดังกล่าว เพื่อที่จะได้รับแผ่นลามิเนต การเผาแผ่นลามิเนตดังกล่าว โดยวิธีนั้นจะทำการเผาเซรามิกดังกล่าว และ อิเล็กโทรด ภายในที่หนึ่ง ถึงที่สามดังกล่าวรวมกันเพื่อที่จะได้รับลำตัวที่ถูกเผา การสร้างอิเล็กโทรดดูดสัญญาณที่หนึ่ง และที่สองโดยการจ่ายเพสท์เชิงความนำ ไปยังผิวหน้าด้านบน และด้านล่างของลำตัวที่ถูกเผาดังกล่าว และการอบสิ่งเดียวกัน และ การโพลาไรซ์ ลำตัวที่ถูกเผาดังกล่าว ผ่านอิเล็กโทรดดูดสัญญาณที่หนึ่ง และที่สองดังกล่าว และอิเล็กโทรดภายในที่หนึ่ง ถึงที่สามดังกล่าวเพื่อที่ว่าส่วนที่หนึ่ง ถึงที่สามดังกล่าว และส่วนที่สองดังกล่าวของลำตัวที่ถูกเผาดังกล่าวตามทิศทางตามแนวยาวของมัน ถูกโพลาไรซ์อย่างตรงข้ามตามทิศทางของความหนาของมัน 1

2. วิธีการของการผลิตชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 11 ในที่ซึ่ง บริเวณซึ่งจะถูกตั้งอยู่เหนือ และใต้อิเล็กโทรดภายในดังกล่าว ถูกโพลาไรซ์ในทิศทางที่ตรงข้าม ในแต่ละอันของส่วนที่หนึ่ง และที่สามดังกล่าว 1

3. วิธีการของการผลิตชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: การเตรียม แผ่นเซรามิก พิโซอิเล็กตริก ที่หนึ่ง และที่สอง ที่เป็นสี่เหลี่ยมผืนผ้าที่ถูกเผา การจ่ายเพสท์เชิงความนำ ไปยังส่วนที่หนึ่งถึงส่วนที่สามตามทิศทางตามแนวยาวบนผิวหน้าเดี่ยวของ แผ่นเซรามิก พิโซตอิเล็กตริก ที่หนึ่ง และที่สองดังกล่าว โดยวิธีนั้นเป็นการสร้างรูปแบบของอิเล็กโทรดภายในที่หนึ่งถึงสามตามลำดับ การจ่ายเพสท์เชิงความนำ ไปยังผิวหน้าของ แผ่นเวรามิก พิโซอิเล็กตริก ที่หนึ่ง และที่สองดังกล่าวซึ่งอยู่ตรงข้ามกับสิ่งเหล่านั้นที่ถูกจัดเตรียมด้วยรูปแบบของอิเล็กโทรดภายในดังกล่าวสำหรับการสร้างรูปแบบของอิเล้กโทรดดูดสัญญารที่หนึ่ง และที่สองตามลำดับ การให้ความร้อนแผ่นเซรามิก พิโซอิเล็กตริก ที่หนึ่ง และที่สองดังกล่าวโดยวิธีนั้นเป็นการอบรูปแบบอิเล็กโทรดภยในดังกล่าว และ รูปแบบอิเล็กโทรดดูดสัญญาณดังกล่าวสำหรับการสร้างอิเล็กโทรดภายใน ที่หนึ่ง ถึงที่สาม และอิเล้กโทรดดูดสัญญาณตามลำดับ การโพลาไรซ์แผ่นเซรามิก พิโซอิเล็กตริก ที่หนึ่ง และที่สองดังกล่าว ผ่านอิเล็กโทรดดูดสัญญาณดังกล่าว และอิเล็กโทรดภายในที่หนึ่งถึงที่สามดังกล่าว เพื่อที่ว่าส่วนที่หนึ่ง และ ที่สามดังกล่าว และส่วนที่สองดังกล่าวของแผ่นเซรามิก พิโซอิเล็กตริก ดังกล่าว ถูกโพลาไรซ์อย่างตรงกันข้ามในทิศทางของความหนา และ การผ่านผิวหน้าดังกล่าว ซึ่งจะถูกจัดเตรียมไว้ด้วยอิเล็กโทรดภายในดังกล่าว ของแผ่นเซรามิก พิโซอิเล็กตริก ที่หนึ่งและที่สองดังกล่าว ซึ่งจะถูกจัดเตรียมไว้ด้วยอิเล็กโทรดภายในที่หนึ่ง ถึงที่สามดังกล่าวไปยัง ซึ่งกันและกัน โดยวิธีนั้นที่จะได้รับชิ้นส่วน พิโซอิเล็กตริก 1

4. วิธีการของการผลิตชิ้นส่วนพิโซอิเล็กตริก ตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 13 ในที่ซึ่ง บริเวณซึ่งจะถูกตั้งอยู่เหนือ และใต้อิเล็กโทรดภายในดังกล่าว ถูกโพลาไรซ์ในทิศทางที่ตรงข้าม ในแต่ละอันของส่วนที่หนึ่ง และที่สามดังกล่าว