TH151859A - - Google Patents

Info

Publication number
TH151859A
TH151859A TH1401004918A TH1401004918A TH151859A TH 151859 A TH151859 A TH 151859A TH 1401004918 A TH1401004918 A TH 1401004918A TH 1401004918 A TH1401004918 A TH 1401004918A TH 151859 A TH151859 A TH 151859A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
less
equal
metal nitride
thermistor
film
Prior art date
Application number
TH1401004918A
Other languages
Thai (th)
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์ นายรุทร นพคุณ
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์ นายรุทร นพคุณ filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์ นายรุทร นพคุณ
Publication of TH151859A publication Critical patent/TH151859A/th

Links

Abstract

DC60 (21/11/57) ที่จัดเตรียมไว้ คือ วัสดุโลหะไนไตรด์สำหรับเทอร์มิสเตอร์ที่แสดงออกมาซึ่งความเชื่อถือ ได้สูง และความต้านทานความร้อนสูง และสามารถได้รับการพอกพูนอย่างโดยตรงบนฟิล์ม หรืออื่นๆ ในทำนองเดียวกัน โดยปราศจากการเผา, วิธีการสำหรับการผลิตวัสดุโลหะไนไตรด์สำหรับ เทอร์มิสเตอร์ และเซนเซอร์ของเทอร์มิสเตอร์แบบฟิล์ม วัสดุโลหะไนไตรด์สำหรับเทอร์มิสเตอร์นี้ ประกอบด้วยโลหะไนไตรด์ที่แสดงแทนโดยสูตรทั่วไป Tix AIyNz (โดยที่ 0.70 (น้อยกว่าหรือเท่ากับ) y / (x + y)(น้อยกว่าหรือเท่ากับ) 0.95, 0.4(น้อยกว่าหรือเท่ากับ) z (น้อยกว่าหรือเท่ากับ) 0.5 และ x + y + z เท่ากับ 1) และโครงสร้างผลึกของวัสดุนี้เป็นวัฏภาคเดี่ยวแบบเวิร์ตไซต์ รูปหกเหลี่ยม : The supplied DC60 (21/11/57) is a thermistor metal nitride material that exhibits high reliability and high thermal resistance. And can be adulterated directly onto film or similarly. Without sintering, a method for the production of metal nitride materials for Thermistor And sensors of film thermistors Metal nitride material for this thermistor. Contains metal nitrides represented by the general formula Tix AIyNz (where 0.70 (less than or equal) y / (x + y) (less than or equal to) 0.95, 0.4 (less than or equal to) z (less than or Equals) 0.5 and x + y + z equals 1), and the crystalline structure of this material is a hexagonal Wertzite single phase:

Claims (1)

: DC60 (21/11/57) ที่จัดเตรียมไว้ คือ วัสดุโลหะไนไตรด์สำหรับเทอร์มิสเตอร์ที่แสดงออกมาซึ่งความเชื่อถือ ได้สูง และความต้านทานความร้อนสูง และสามารถได้รับการพอกพูนอย่างโดยตรงบนฟิล์ม หรืออื่นๆ ในทำนองเดียวกัน โดยปราศจากการเผา, วิธีการสำหรับการผลิตวัสดุโลหะไนไตรด์สำหรับ เทอร์มิสเตอร์ และเซนเซอร์ของเทอร์มิสเตอร์แบบฟิล์ม วัสดุโลหะไนไตรด์สำหรับเทอร์มิสเตอร์นี้ ประกอบด้วยโลหะไนไตรด์ที่แสดงแทนโดยสูตรทั่วไป: Tix AIyNz (โดยที่ 0.70 (น้อยกว่าหรือเท่ากับ) y / (x + y)(น้อยกว่าหรือเท่ากับ) 0.95, 0.4(น้อยกว่าหรือเท่ากับ) z (น้อยกว่าหรือเท่ากับ) 0.5 และ x + y + z เท่ากับ 1) และโครงสร้างผลึกของวัสดุนี้เป็นวัฏภาคเดี่ยวแบบเวิร์ตไซต์ รูปหกเหลี่ยม ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : แท็ก :: The supplied DC60 (21/11/57) is a thermistor metal nitride material that exhibits high reliability and high thermal resistance. And can be adulterated directly onto film or similarly. Without sintering, a method for the production of metal nitride materials for Thermistor And sensors of film thermistors Metal nitride material for this thermistor. Contains metal nitride represented by the general formula: Tix AIyNz (where 0.70 (less than or equal) y / (x + y) (less than or equal to) 0.95, 0.4 (less than or equal to) z (less than Or equal to) 0.5 and x + y + z equal to 1), and the crystal structure of this material is a hexagonal Wertzite single phase clause (item one), which appears on the advertisement page: Tag:
TH1401004918A 2013-02-26 TH151859A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH151859A true TH151859A (en) 2016-06-22

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IN2014DN07102A (en)
IN2014DN07101A (en)
WO2014196827A3 (en) Novel amino-silyl amine compound, method for perparing the 'same and silicon-containing thin-film using the same
WO2015160093A3 (en) Memory element
WO2017058330A3 (en) Thermal event sensor
JP2017028803A5 (en)
TH151859A (en)
TH151860A (en)
TR201819670T4 (en) Coating metal strip production method.
WO2015160094A3 (en) Memory element
PL403550A1 (en) Method for reducing the thermal resistance of the power electronic devices, in particular laser diodes
TH166288A (en) Hard coating film and method for producing same
Takeya Effect of pressure on electronic charge coherence in organic semiconductor single crystals
Cobas Acosta et al. Magnetocaloric effect and temperature coefficient of resistance of La 0.85 Ag 0.15 MnO 3 epitaxial thin films obtained by polymer-assisted deposition
TH188175S (en) Place
SE1730229A1 (en) Set for box drink
TH176126S (en) Powder
UA102149C2 (en) Device for temperature measurement
TH150744A (en) Cold contact adhesives
TH155571S (en) pillow
TH159201S (en) Pipe locking device
TH141283S (en) Fastening device
TH165570S (en) Fastening device
TH144269S (en) Fastening device
RU2013134896A (en) TEMPERATURE CHANGE SPEED METER