TH149885A

TH149885A - อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำและวิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ

Info

Publication number: TH149885A
Application number: TH1301005933A
Authority: TH
Inventors: ยามากามิ; ชิเกฮารุ; ฮายาชิ; เท็ตสึยะ; ชิโมมูระ; ทากุ
Original assignee: นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์; นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์; นายรุทร นพคุณ
Filing date: 2012-02-24
Publication date: 2016-05-10

Abstract

DC60 (16/10/56) บริเวณแอโนด 106 ก่อรูปไว้บนส่วนด้านล่างสุดของชั้นร่อง 105 ที่ซึ่งได้ก่อรูปขั้วเกต 108 ไว้ข้างใน หรือในบริเวณดริฟต์ 102 ข้างใต้ถัดไปทันทีจากชั้นร่อง 105 โฮลสัมผัส 110 ก่อรูปไว้ใน ชั้นร่อง 105 ที่ความลึกที่ลึกถึงบริเวณแอโนด 106 ขั้วซอร์ส 112 ได้ฝังไว้ในโฮลสัมผัส 110 ในขณะที่แทรกแผ่นฟิล์มที่เป็นฉนวนของผนังภายใน 111 ไว้ระหว่างกลาง บริเวณแอโนด 106 และ ขั้วซอร์ส 112 เชื่อมต่อกันเชิงไฟฟ้าในสถานะที่เป็นฉนวนจากขั้วเกต 108 โดยแผ่นฟิล์มที่เป็นฉนวน ของผนังภายใน 111 บริเวณแอโนด 106 ก่อรูปไว้บนส่วนด้านล่างสุดของชั้นร่อง 105 ที่ซึ่งได้ก่อรูปขั้วเกต 108 ไว้ข้างใน หรือในบริเวณคริฟต์ 102 ข้างใต้ถัดไปทันทีจากชั้นร่อง 105 โฮลสัมผัส 110 ก่อรูปไว้ใน ชั้นร่อง 105 ที่ความลึกที่ลึกถึงบริเวณแอโนด 106 ขั้วซอร์ส 112 ได้ฝังไว้ในโฮลสัมผัส 110 ในขณะที่แทรกแผ่นฟิล์มที่เป็นฉนวนของผนังภายใน 111 ไว้ระหว่างกลาง บริเวณแอโนด 106 และ ขั้วซอร์ส 112 เชื่อมต่อกันเชิงไฟฟ้าในสถานะที่เป็นฉนวนจากขั้วเกต 108 โดยแผ่นฟิล์มที่เป็นฉนวน ของผนังภายใน 111

Claims

: DC60 (16/10/56) บริเวณแอโนด 106 ก่อรูปไว้บนส่วนด้านล่างสุดของชั้นร่อง 105 ที่ซึ่งได้ก่อรูปขั้วเกต 108 ไว้ข้างใน หรือในบริเวณดริฟต์ 102 ข้างใต้ถัดไปทันทีจากชั้นร่อง 105 โฮลสัมผัส 110 ก่อรูปไว้ใน ชั้นร่อง 105 ที่ความลึกที่ลึกถึงบริเวณแอโนด 106 ขั้วซอร์ส 112 ได้ฝังไว้ในโฮลสัมผัส 110 ในขณะที่แทรกแผ่นฟิล์มที่เป็นฉนวนของผนังภายใน 111 ไว้ระหว่างกลาง บริเวณแอโนด 106 และ ขั้วซอร์ส 112 เชื่อมต่อกันเชิงไฟฟ้าในสถานะที่เป็นฉนวนจากขั้วเกต 108 โดยแผ่นฟิล์มที่เป็นฉนวน ของผนังภายใน 111 บริเวณแอโนด 106 ก่อรูปไว้บนส่วนด้านล่างสุดของชั้นร่อง 105 ที่ซึ่งได้ก่อรูปขั้วเกต 108 ไว้ข้างใน หรือในบริเวณคริฟต์ 102 ข้างใต้ถัดไปทันทีจากชั้นร่อง 105 โฮลสัมผัส 110 ก่อรูปไว้ใน ชั้นร่อง 105 ที่ความลึกที่ลึกถึงบริเวณแอโนด 106 ขั้วซอร์ส 112 ได้ฝังไว้ในโฮลสัมผัส 110 ในขณะที่แทรกแผ่นฟิล์มที่เป็นฉนวนของผนังภายใน 111 ไว้ระหว่างกลาง บริเวณแอโนด 106 และ ขั้วซอร์ส 112 เชื่อมต่อกันเชิงไฟฟ้าในสถานะที่เป็นฉนวนจากขั้วเกต 108 โดยแผ่นฟิล์มที่เป็นฉนวน ของผนังภายใน 111ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :

1. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบรวมด้วย : บริเวณซับสเตรตที่เป็นสารกึ่งตัวนำ ; บริเวณคริฟต์ชนิดนำไฟฟ้าชนิดที่หนึ่งที่ก่อรูปไว้บนพื้นผิวหนึ่งของพื้นผิวหลักของซับสเตรต ที่เป็นสารกึ่งตัวนำ; บริเวณบ่อชนิดนำไฟฟ้าชนิดที่สองที่ก่อรูปไว้ในบริเวณดริฟต์ บริเวณซอร์สชนิดนำไฟฟ้าที่หนึ่งที่ก่อรูปไว้ในบริเวณบ่อ ; ชั้นร่องที่มีความลึกทะลุผ่านบริเวณซอร์ส และบริเวณบ่อ และไปถึงบริเวณคริฟต์ ; ขั้วเกตที่ก่อรูปบนส่วนด้านข้างของชั้นร่องในขณะแท็ก :