TH14929EX - Lithography process - Google Patents

Lithography process

Info

Publication number
TH14929EX
TH14929EX TH9301000193A TH9301000193A TH14929EX TH 14929E X TH14929E X TH 14929EX TH 9301000193 A TH9301000193 A TH 9301000193A TH 9301000193 A TH9301000193 A TH 9301000193A TH 14929E X TH14929E X TH 14929EX
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
model
ch2ch2o
molecular weight
light
ch2o
Prior art date
Application number
TH9301000193A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH11904B (en
TH14929A (en
Inventor
นายฮิซายูกิ ชิมาดะ นายชิเกกิ ชิโมมูระ นายอากิโยชิ ซูซูกิ นายมาโมรุ มิยาวากิ นายมิโยโกะ โนกูชิ นายทาดาฮิโร โอห์มิ
Original Assignee
ทาดาฮิโร โอห์มิ แคนนอน คาบูชิกิ ไกชา
Filing date
Publication date
Application filed by ทาดาฮิโร โอห์มิ แคนนอน คาบูชิกิ ไกชา filed Critical ทาดาฮิโร โอห์มิ แคนนอน คาบูชิกิ ไกชา
Publication of TH14929EX publication Critical patent/TH14929EX/en
Publication of TH14929A publication Critical patent/TH14929A/en
Publication of TH11904B publication Critical patent/TH11904B/en

Links

Abstract

กรรมวิธีการพิมพ์หินสำหรับการเกิดแบบอย่างที่มีส่วนประกอบของแบบอย่างที่มีขนาดแตกต่างกัน หรือรูปร่างแตกต่างกันซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของการให้รีซิสท์เปิดรับแบบอย่างของแสงที่หาไว้ล่วงหน้าโดยความสว่างที่ดัดแปรแล้ว และการขจัดรีซิสท์หนึ่งบริเวณอย่างน้อยที่สุดหนึ่งขั้นตอนของการเกิดแบบอย่างรีซิสท์ โดยการใช้การพิมพ์หิน-สารละลายสร้างภาพที่มีสารลดแรงตึงผิว สารลดแรงตึงผิวสามารถส่งเสริมการละลายของส่วนประกอบของแบบอย่างที่เล็กกว่า ที่จะขจัดออกจากรีซิสท์ แทนสารลดแรงตึงผิวโดยสูตรทั่วไปข้างล่าง HO(CH2CH2O)a(CH(CH3)CH2O)b(CH2CH2O)oH ซึ่งแต่ละ a,b และ c คือเลขจำนวนเต็ม สารลดแรงตึงผิวเป็นไปตามความสัมพันธ์ (A + C) / (A+B +C) <_ 0.3 ซึ่ง A แทนน้ำหนักโมเลกุลของ HO(CH2CH2O)a B แทนน้ำหนักโมเลกุลของ (CH(CH3)CH2O)b และ C แทนน้ำหนักโมเลกุลของ (CH2CH2O)cH A lithography method for generating a model with different size model components. Or heterogeneous shape, which consists of a process of resisting exposure to a predetermined light model by modified brightness. And eliminating at least one area of resist precedence. By using lithography - visualization solution containing surfactants. Surfactants can promote the solubility of smaller sample components. To be eliminated from the reset Instead of surfactant by the general formula below HO (CH2CH2O) a (CH (CH3) CH2O) b (CH2CH2O) oH, where each a, b, and c is an integer. The surfactant conforms to (A + C) / (A + B + C) <_ 0.3, where A represents the molecular weight of HO (CH2CH2O) a B represents the molecular weight of (CH (CH3) CH2O) b and C represent the molecular weight of (CH2CH2O) cH.

Claims (1)

1. กรรมวิธีการพิมพ์หินสำหรับการเกิดแบบอย่างที่มีส่วนประกอบของแบบอย่างที่มีขนาดแตกต่างหรือรูปร่างแตกต่างกันซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของการใช้รีซิสท์เปิดรับแบบอย่างของแสงที่หาไว้ล่วงหน้าโดยส่องสว่างแบบอย่างชนิดอย่างละเอียดที่ประกอบด้วยส่วนประกอบของแบบอย่างซึ่งจัดแจงตามแนวตั้งและแนวข้างฉายแบบอย่างชนิดอย่างละเอียดโดยการเริ่มนำแสงที่เลี้ยวเบนโดยแบบอย่างชนิดละเอียดเข้าไปในรูม่านตา ของระบบการฉายแสง เกิดแหล่งแสงประสิทธิผลเพื่อให้มีการแจกแจงปริมาณแสงซึ่งความเข้มของแสงบนส่วนสูงกว่ายกเว้นศูนย์กล1.Lithography method for generating a model with a model composition of different sizes or different shapes, which consists of a process of using a resistor, exposure to a predetermined light model by illuminating the model. A detailed type consisting of model components arranged vertically and horizontally, subtly projecting a type subtly by introducing light that diffuses the specimen finely into the pupil. Of the optical system An effective light source was created so that the light quantity distribution, which the light intensity on the part was higher, except the mechanical center.
TH9301000193A 1993-02-09 Lithography process TH11904B (en)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH14929EX true TH14929EX (en) 1994-11-25
TH14929A TH14929A (en) 1994-11-25
TH11904B TH11904B (en) 2002-02-08

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200514133A (en) Exposure method and equipment, as well as component manufacture method
DE69726720D1 (en) DEVICE FOR HYPERPOLARIZATION OF SPIN-POLARIZED PRECIOUS GAS WITH HIGH CAPACITY
KR950033695A (en) Optical integrator and projection exposure apparatus using the same
ATE89671T1 (en) COMBINED BRIGHTFIELD-DARKFIELD RESPONSE ILLUMINATION DEVICE.
JPS54111832A (en) Exposure device
Björn et al. Imaging by delayed light emission (phytoluminography) as a method for detecting damage to the photosynthetic system
JPS5459951A (en) Transmission lighting device for microscopes
EP0834772A3 (en) Exposure apparatus
TH14929EX (en) Lithography process
DE69321627T2 (en) Lithographic process
JPS5493974A (en) Projection-system mask alignment unit
JPS52101883A (en) Illuminator
JPS51135529A (en) Ophthalmofundus photographing device with an anterior eye illumination system
MY119984A (en) Lithography process.
JPS5362387A (en) Illumination device for microscope
JPS5743420A (en) Mask alignment method
JPS52139381A (en) Electron beam exposure apparatus
JPS55164304A (en) Mirror surface check unit
JPS5282396A (en) Printing and inspecting apparatus of bar code
JPS57148718A (en) Illumination system of optical device
JPS6437837A (en) Semiconductor exposure device
KR970028856A (en) Projection Exposure Equipment and Exposure Method
KR950009364A (en) Panel exposure method and apparatus
JPS5385446A (en) Lighting method of optical microscope
JPS5646263A (en) Original lighting device of electronic copying machine