TH146773A - เซลล์แสงอาทิตย์ (Solar Cells) - Google Patents
เซลล์แสงอาทิตย์ (Solar Cells)Info
- Publication number
- TH146773A TH146773A TH1401007645A TH1401007645A TH146773A TH 146773 A TH146773 A TH 146773A TH 1401007645 A TH1401007645 A TH 1401007645A TH 1401007645 A TH1401007645 A TH 1401007645A TH 146773 A TH146773 A TH 146773A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- group
- type
- core
- nanowire
- compound
- Prior art date
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract 12
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 claims abstract 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract 7
Abstract
DC60 (11/03/58) องค์ประกอบของวัตถุ (composition of matter) โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เซลล์โฟโตโวลตาอิก (photovoltaic cell) ที่ประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนที่มีสารกึ่งตัวนำของแกนบนซับสเตรตที่เป็น กราไฟต์ ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ได้รับการปลูกโดยการสร้าง ชั้นเอพิแทกซีบน ซับสเตรตดังกล่าวที่ซึ่งลวดขนาดนาโนดังกล่าวประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่ง ชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ II-VI หรือ อย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV; ส่วนห่อหุ้มของสารกึ่งตัวนำที่ล้อมรอบลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ซึ่งส่วนห่อหุ้ม ดังกล่าวประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิด ของสารประกอบของหมู่ II-VI หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV เพื่อจะทำให้ลวดขนาด นาโนของแกนดังกล่าว และส่วนห่อหุ้มดังกล่าวเกิดเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n และสารกึ่งตัวนำชนิด p ตามลำดับหรือในทางตรงข้าม; และ สารเคลือบที่เป็นตัวนำที่อยู่ภายนอกที่ล้อมรอบ ส่วนห่อหุ้มดังกล่าวซึ่งจะเกิดเป็นส่วน สัมผัสอิเลคโทรด แก้ไข บทสรุป 11/03/2558 องค์ประกอบของวัตถุ (composition of matter) โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เซลล์โฟโตโวลตาอิก (photovoltaic cell) ที่ประกอบรวมด้วย: อย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนที่มีสารกึ่งตัวนำของแกนบนซับสเตรตที่เป็น กราไฟต์ ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ได้รับการปลูกโดยการสร้าง ชั้นเอพิแทกซีบน ซับสเตรตดังกล่าวที่ซึ่งลวดขนาดนาโนดังกล่าวประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่ง ชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ II-VI หรือ อย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV; ส่วนห่อหุ้มของสารกึ่งตัวนำที่ล้อมรอบลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ซึ่งส่วนห่อหุ้ม ดังกล่าวประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิด ของสารประกอบของหมู่ II-VI หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV เพื่อจะทำให้ลวดขนาด นาโนของแกนดังกล่าว และส่วนห่อหุ้มดังกล่าวเกิดเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n และสารกึ่งตัวนำชนิด p ตามลำดับหรือในทางตรงข้าม; และ สารเคลือบที่เป็นตัวนำที่อยู่ภายนอกที่ล้อมรอบ ส่วนห่อหุ้มดังกล่าวซึ่งจะเกิดเป็นส่วน สัมผัสอิเลคโทรด ------------------------ องค์ประกอบของวัตถุ (composition of matter) โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เซลล์โฟโตโวลตาอิก (photovoltaic cell) ที่ประกอบรวมด้วย: อย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนที่มีสารกึ่งตัวนำของแกนบนซับสเตรตที่เป็น กราไฟต์ ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ได้รับการปลูกโดยการสร้าง ชั้นเอพิแทกซีบน ซับสเตรตดังกล่าวที่ซึ่งลวดขนาดนาโนดังกล่าวประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่ง ชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ II-VI หรือ อย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV; ส่วนห่อหุ้มของสารกึ่งตัวนำที่ล้อมรอบลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ซึ่งส่วนห่อหุ้ม ดังกล่าวประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิด ของสารประกอบของหมู่ II-VI หรืออย่างน้อยหนึ่งชนิดของธาตุของหมู่ IV เพื่อจะทำให้ลวดขนาด นาโนของแกนดังกล่าว และส่วนห่อหุ้มดังกล่าวเกิดเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n และสารกึ่งตัวนำชนิด p ตามลำดับหรือในทางตรงข้าม; และ สารเคลือบที่เป็นตัวนำที่อยู่ภายนอกที่ล้อมรอบ ส่วนห่อหุ้มดังกล่าวซึ่งจะเกิดเป็นส่วน สัมผัสอิเลคโทรด:
Claims (1)
1. องค์ประกอบของวัตถุ (composition of matter) โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เซลล์โฟโตโวลตาอิก (photovoltaic cell), ที่ประกอบรวมด้วย: อย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนที่มีสารกึ่งตัวนำของแกน (core semiconductor nanowire) บนซับสเตรตที่เป็นกราไฟต์, ซึ่งอย่างน้อยหนึ่งชนิดของลวดขนาดนาโนของแกนดังกล่าว ได้รับการปลูกโดยการสร้างชั้นเอพิแทกซีบนซับสเตรตดังกล่าว ที่ซึ่งลวดขนาดนาโนดังกล่าว ประกอบรวมด้วยอย่างน้อยหนึ่งชนิดของสารประกอบของหแท็ก :
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH146773A true TH146773A (th) | 2016-03-04 |
TH1401007645A TH1401007645A (th) | 2016-03-04 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EA201492235A1 (ru) | Солнечные элементы | |
AU2019268163A1 (en) | Perovskite and other solar cell materials | |
CN107210368B (zh) | 钙钛矿太阳能电池模块 | |
MY190470A (en) | Main-gate-free and high-efficiency back-contact solar cell module, main-gate-free and high-efficiency back-contact assembly, and preparation process thereof | |
WO2012138930A3 (en) | Thick film paste containing bismuth-tellurium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices | |
EP2988336A3 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
WO2010030511A3 (en) | Solar cells and photodetectors with semiconducting nanostructures | |
MY186737A (en) | Enhanced adhesion of seed layer for solar cell conductive contact | |
EP2654090A3 (en) | Solar cell method for manufacturing the same | |
EP3018719A3 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
MY175405A (en) | Radial p-n junction nanowire solar cells | |
EP2506315A3 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
EA201290380A1 (ru) | Тонкопленочный фотогальванический элемент, способ его изготовления и его использование | |
EP2642525A3 (en) | Solar cell | |
EP2706576A3 (en) | Diode and power conversion system | |
EP2680313A3 (en) | Solar cell | |
MY184633A (en) | Titanate interfacial layers in perovskite material devices | |
WO2014044871A3 (fr) | Cellule photovoltaique a heterojonction et procede de fabrication d'une telle cellule | |
JP2013093543A5 (th) | ||
WO2015191955A3 (en) | Aluminum-tin paste and its use in manufacturing solderable electrical conductors | |
CN108963003A (zh) | 太阳能电池 | |
EP2806465A3 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
TH146773A (th) | เซลล์แสงอาทิตย์ (Solar Cells) | |
JP2017045933A5 (ja) | 半導体装置 | |
WO2015084801A3 (en) | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |