TH13258U - หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา - Google Patents

หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา

Info

Publication number
TH13258U
TH13258U TH1603001067U TH1603001067U TH13258U TH 13258 U TH13258 U TH 13258U TH 1603001067 U TH1603001067 U TH 1603001067U TH 1603001067 U TH1603001067 U TH 1603001067U TH 13258 U TH13258 U TH 13258U
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
grid
kinetic energy
ring
plasma ion
electrode
Prior art date
Application number
TH1603001067U
Other languages
English (en)
Other versions
TH13258A3 (th
TH13258Y (th
TH13258C3 (th
Inventor
พูลเจริญศิลป์ นายพิษณุ
Original Assignee
สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
Filing date
Publication date
Application filed by สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ filed Critical สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
Publication of TH13258A3 publication Critical patent/TH13258A3/th
Publication of TH13258Y publication Critical patent/TH13258Y/th
Publication of TH13258C3 publication Critical patent/TH13258C3/th
Publication of TH13258U publication Critical patent/TH13258U/th

Links

Abstract

หัววัดพลังงานจลน์ของไออนในพลาสมา (หรือหัววัดฯ) ถูกประดิษฐ์ขึ้นมาเพื่อใช้วิเคราะห์ ฟังก์ชันแจกแจงพลังงานจลน์และพลังงานจลน์เฉลี่ยของไอออนในพลาสมา หัววัดฯ ประกอบขึ้นจาก ขั้วกริดด้านนอก ขั้วกริดด้านใน และขั้วรับไอออน วางเรียงซ้อนกันตามลำดับอยู่ภายในโครง โดย ขั้วไฟฟ้าทั้งสามถูกแยกกั้นทางไฟฟ้าด้วยแหวนเว้นระยะ ถูกประคองให้มีแกนกลางร่วมกันด้วยแหวน ประคอง และถูกบีบอัดให้อยู่ร่วมกันด้วยฝาหลัง โดยหัววัดฯ ตามการประดิษฐ์นี้มีการนำ ทีอีเอ็มกริด ซึ่งเป็นกริดรับชิ้นงานตัวอย่างสำหรับการวิเคราะห์ด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน มา ประยุกต์ใช้เป็นกริดความละเอียดสูงของหัววัดฯ ให้รองรับปัญหาการพอกพูนของฟิล์มบางด้านนอก ในการประดิษฐ์ หัววัดฯ ยังได้รับการออกแบบให้มีความสามารถในการปรับเปลี่ยนตำแหน่งวัดและ มุมการวัด (เทียบตำแหน่งและมุมอ้างอิง) เมื่อใช้งานร่วมกับ vacuum fitting ที่เหมาะสม และหัววัดฯ สามารถใช้งานได้กับพลาสมาความหนาแน่นสูง เช่น พลาสมาที่มีความหยาแน่นสูงประมาณ 10^18 m^-3 เป็นต้น

Claims (8)

แก้ไข 26 พฤษภาคม 2560
1. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ที่มีลักษณะเฉพาะคือ ประกอบด้วย ขั้วกริดด้าน นอก (2100) ประกบเข้ากับ แหวนเว้นระยะ (2500) ขั้วกริดด้านใน (2200) แหวนเว้นระยะ (2500) และขั้วรับไอออน (2300) ตามลำดับ โดยถูกเรียงซ้อนกันอยู่ภายในโครงสร้าง (2400) และถูกประคองใน ลักษณะให้มีแกนกลางร่วมกันด้วยแหวนประคอง (2600) และยึดเข้าหากันด้วยวิถีทางการยึดติดโดย ขั้วกริดด้านนอก (2100) และขั้วกริดด้านใน (2200) ใช้ทีอีเอ็มกริด (2120) เพื่อรองรับปัญหาการพอก พูนของฟิล์มบางด้านนอก
2. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งขั้วกริดด้านนอก (2100) ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยแหวนรับกริด (2110) โดยแหวนรับกริด (2110) ถูกประกบเข้ากับทีอีเอ็มกริด (2120) ในลักษณะที่มีแกนกลางร่วมกัน และยึดติดกันด้วยวิถีทางการยึดติด
3. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งขั้วกริดด้านใน (2200) ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยแหวนรับกริด (2210) โดยแหวนรับกริด (2210) ถูกประกบเข้ากับที อีเอ็มกริด (2220) ในลักษณะที่มีแกนกลางร่วมกัน และยึดติดกันด้วยวิถีทางการยึดติด
4. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง โครง (2400) ถูกขึนโลหะและถูกออกแบบให้มีลักษณะเป็นทรงกระบอกที่มีบ่าด้านหน้า (2410) มีรูด้านข้าง (2420) และมีช่องเปิดด้านหลัง (2430)
5. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง โครง (2400) ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยท่อ (2800) สวมกับโครง (2400) โดยท่อ (2800) ทำหน้าที่สอด สายไฟ (2900) จำนวนสามเส้น สำหรับการไบแอสขั้วกริดด้านนอก (2100) ขั้วกริดด้านใน (2200) และขั้วรับไออน (2300) ตามลำดับ
6. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 5 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง แหวนประคอง (2600) ถูกขึ้นรูปจากฉนวนแข็งและถูกออกแบบให้มีช่องเปิดด้านข้าง (2610) หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ที่มีลักษณะเฉพาะคือ ประกอบด้วย ขั้วกริดด้าน นอก (2100) ประกบเข้ากับ แหวนเว้นระยะ (2500) ขั้วกริดด้านใน (2200) แหวนเว้นระยะ (2500) และขั้วรับไอออน (2300) ตามลำดับ โดยถูกเรียงซ้อนกันอยู่ภายในโครง (2400) และถูกประคองใน ลักษณะให้มีแกนกลางร่วมกันด้วยแหวนประคอง (2600) แบะยึดเข้าหากันด้วยวิถีทางการยึดติด โดย ขั้วกริดด้านนอก (2100) และขั้วกริดด้านใน (2200) ใช้อีเอ็มกริด (2120) เพื่อรองรับปัญหาการพอก พูนของฟิล์มบางด้านนอก หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งขั้วกริดด้านนอก (2100) ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยแหวนรับกริด (2110) โดยแหวนรับกริด (2110) ถูกประกบเข้ากับทีอีเอ็มกริด (2120) ในลักษณะที่มีแกนกลางร่วมกัน และยึดติดกันด้วยวิถีการยึดติด หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งขั้วกริบด้านใน (2200) ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยแหวนรับกริด (2210) โดยแหวนรับกริด (2210) ถูกประกบเข้ากับที อีเอ็มกริด (2220) ในลักษณะที่มีแกนกลางร่วมกัน และยึดติดกันด้วยวิถีทางการยึดติด หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง โครง (2400) ถูกขึ้นรูปจากโลหะและถูกออกแบบให้มีลักษณะเป็นทรงกระบอกที่มีบ่อด้านหน้า (2410) มีรูด้านข้าง (2420) และมีช่องเปิดด้านหลัง (2430) หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง โครง (2400) ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยท่อ (2800) สวมกับโครง (2400) โดยท่อ (2800) ทำหน้าที่สอด สายไฟ (2900) จำนวนสามเส้น สำหรับการไบแอสขั้วกริดด้านนอก (2100) ขั้วกริดด้านใน (2200) และขั้วรับไอออน (2300) ตามลำดับ หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนของพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 5 ที่ซึ่งท่อ (2800) เปลี่ยน ตำแหน่งโดยการเลื่อน (4200) ตามแนวแกนของท่อ (2800)
7. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 5 ถึง 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง มุมวัด โดยการหมุน (4100) รอบแก่นท่อ (2800)
8. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่วึ่ง แหวนประคอง (2600) ถูกขึ้นรูปจากฉนวนแข็งและถูกออกแบบให้มีช่องเปิดด้านข้าง (2610)
TH1603001067U 2016-06-17 หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา TH13258U (th)

Publications (4)

Publication Number Publication Date
TH13258A3 TH13258A3 (th) 2017-11-10
TH13258Y TH13258Y (th) 2017-11-10
TH13258C3 TH13258C3 (th) 2017-11-10
TH13258U true TH13258U (th) 2017-11-10

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2518756A3 (en) In-column detector for particle-optical column
CN103163116A (zh) 液体阴极辉光放电发射光谱检测金属离子装置
CN101937824A (zh) 离子迁移谱仪及利用离子迁移谱仪的检测方法
WO2012016198A3 (en) Electron detector including an intimately-coupled scintillator-photomultiplier combination, and electron microscope and x-ray detector employing same
EP2720250A3 (en) MCP unit, MCP detector, and time-of-flight mass spectrometer
JP2017172019A5 (th)
US8674298B2 (en) Quadrupole mass spectrometer
MX338219B (es) Amplificador de transimpedancia con condensador integrado.
MX2018011331A (es) Metodos para separacion y deteccion de un oxiesterol.
CN102967615B (zh) 二次电子发射角分布的测试系统
EP2959287A1 (en) Scanning electron microscope
EP2423945A3 (en) Drug detection equipment
TWI497102B (zh) 內建溫度感應器之空氣游離腔裝置
CN109011212B (zh) 用于医用加速器的宽能常压空气电离室
TH13258Y (th) หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา
WO2014149847A3 (en) Ionization within ion trap using photoionization and electron ionization
CN203241541U (zh) 一种气体中高浓度氚测量装置
CN106783502A (zh) 一种同步辐射软x射线无损实时位置分辨电离室
TWI434313B (zh) 球形電極空氣游離腔
JP2010232195A5 (th)
CN202661630U (zh) 一种适合于低能x射线测量的透射型监测电离室
TH13258C3 (th) หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา
WO2018151938A3 (en) Compositions and methods of determining a level of infection in a subject
TH13258A3 (th) หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา
Fang et al. Plasma measurements in the space plasma operation chamber (SPOC)