TH13258C3 - หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา - Google Patents
หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมาInfo
- Publication number
- TH13258C3 TH13258C3 TH1603001067U TH1603001067U TH13258C3 TH 13258 C3 TH13258 C3 TH 13258C3 TH 1603001067 U TH1603001067 U TH 1603001067U TH 1603001067 U TH1603001067 U TH 1603001067U TH 13258 C3 TH13258 C3 TH 13258C3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- grid
- kinetic energy
- plasma
- energy probe
- ring
- Prior art date
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract 20
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 title claims abstract 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 2
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 claims 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract 2
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 abstract 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract 1
Abstract
หัววัดพลังงานจลน์ของไออนในพลาสมา (หรือหัววัดฯ) ถูกประดิษฐ์ขึ้นมาเพื่อใช้วิเคราะห์ ฟังก์ชันแจกแจงพลังงานจลน์และพลังงานจลน์เฉลี่ยของไอออนในพลาสมา หัววัดฯ ประกอบขึ้นจาก ขั้วกริดด้านนอก ขั้วกริดด้านใน และขั้วรับไอออน วางเรียงซ้อนกันตามลำดับอยู่ภายในโครง โดย ขั้วไฟฟ้าทั้งสามถูกแยกกั้นทางไฟฟ้าด้วยแหวนเว้นระยะ ถูกประคองให้มีแกนกลางร่วมกันด้วยแหวน ประคอง และถูกบีบอัดให้อยู่ร่วมกันด้วยฝาหลัง โดยหัววัดฯ ตามการประดิษฐ์นี้มีการนำ ทีอีเอ็มกริด ซึ่งเป็นกริดรับชิ้นงานตัวอย่างสำหรับการวิเคราะห์ด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน มา ประยุกต์ใช้เป็นกริดความละเอียดสูงของหัววัดฯ ให้รองรับปัญหาการพอกพูนของฟิล์มบางด้านนอก ในการประดิษฐ์ หัววัดฯ ยังได้รับการออกแบบให้มีความสามารถในการปรับเปลี่ยนตำแหน่งวัดและ มุมการวัด (เทียบตำแหน่งและมุมอ้างอิง) เมื่อใช้งานร่วมกับ vacuum fitting ที่เหมาะสม และหัววัดฯ สามารถใช้งานได้กับพลาสมาความหนาแน่นสูง เช่น พลาสมาที่มีความหยาแน่นสูงประมาณ 10^18 m^-3 เป็นต้น
Claims (8)
1. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ที่มีลักษณะเฉพาะคือ ประกอบด้วย ขั้วกริดด้าน นอก (2100) ประกบเข้ากับ แหวนเว้นระยะ (2500) ขั้วกริดด้านใน (2200) แหวนเว้นระยะ (2500) และขั้วรับไอออน (2300) ตามลำดับ โดยถูกเรียงซ้อนกันอยู่ภายในโครง (2400) และถูกประคองใน ลักษณะให้มีแกนกลางร่วมกันด้วยแหวนประคอง (2600) แบะยึดเข้าหากันด้วยวิถีทางการยึดติด โดย ขั้วกริดด้านนอก (2100) และขั้วกริดด้านใน (2200) ใช้อีเอ็มกริด (2120) เพื่อรองรับปัญหาการพอก พูนของฟิล์มบางด้านนอก
2. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งขั้วกริดด้านนอก (2100) ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยแหวนรับกริด (2110) โดยแหวนรับกริด (2110) ถูกประกบเข้ากับทีอีเอ็มกริด (2120) ในลักษณะที่มีแกนกลางร่วมกัน และยึดติดกันด้วยวิถีการยึดติด
3. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งขั้วกริบด้านใน (2200) ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยแหวนรับกริด (2210) โดยแหวนรับกริด (2210) ถูกประกบเข้ากับที อีเอ็มกริด (2220) ในลักษณะที่มีแกนกลางร่วมกัน และยึดติดกันด้วยวิถีทางการยึดติด
4. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง โครง (2400) ถูกขึ้นรูปจากโลหะและถูกออกแบบให้มีลักษณะเป็นทรงกระบอกที่มีบ่อด้านหน้า (2410) มีรูด้านข้าง (2420) และมีช่องเปิดด้านหลัง (2430)
5. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง โครง (2400) ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยท่อ (2800) สวมกับโครง (2400) โดยท่อ (2800) ทำหน้าที่สอด สายไฟ (2900) จำนวนสามเส้น สำหรับการไบแอสขั้วกริดด้านนอก (2100) ขั้วกริดด้านใน (2200) และขั้วรับไอออน (2300) ตามลำดับ
6. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนของพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 5 ที่ซึ่งท่อ (2800) เปลี่ยน ตำแหน่งโดยการเลื่อน (4200) ตามแนวแกนของท่อ (2800)
7. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 5 ถึง 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง มุมวัด โดยการหมุน (4100) รอบแก่นท่อ (2800)
8. หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่วึ่ง แหวนประคอง (2600) ถูกขึ้นรูปจากฉนวนแข็งและถูกออกแบบให้มีช่องเปิดด้านข้าง (2610)
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH13258A3 TH13258A3 (th) | 2017-11-10 |
| TH13258C3 true TH13258C3 (th) | 2017-11-10 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN206096275U (zh) | 一种用于含离子流直流电场测量的传感器装置 | |
| CN106249061B (zh) | 复合式独立电位传感器的直流合成场强测量装置及其方法 | |
| EP2816639A3 (en) | Protective coatings for conversion material cathodes | |
| WO2015100233A3 (en) | Atmospheric interface for electrically grounded electrospray | |
| WO2011009065A3 (en) | Charged-particle energy analyzer | |
| EP3682501A4 (en) | Electrolyte for a metal-ion battery cell with high-capacity, micron-scale, volume-changing anode particles | |
| EP2592438A3 (en) | Neutron Detector and Method for Detecting Neutrons | |
| Thomson | Cathode rays | |
| SG11202007421SA (en) | Device for electrically contacting a solar cell during the measurement of electrical characteristics of the solar cell, and method for measuring electrical characteristics of a solar cell | |
| TH13258C3 (th) | หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา | |
| CN103472475B (zh) | 一种适合于低能x射线测量的透射型监测电离室 | |
| TH13258A3 (th) | หัววัดพลังงานจลน์ของไอออนในพลาสมา | |
| EP2568057A3 (en) | Boron containing coating for neutron detection | |
| CN108344781B (zh) | 电池测试装置 | |
| US20140373602A1 (en) | Method Of Testing The Integrity Of A Second Seal Of An Electrical Insulator | |
| WO2014149847A3 (en) | Ionization within ion trap using photoionization and electron ionization | |
| HK1257300A1 (zh) | 包括三維電極基板的電化學裝置 | |
| US9276297B2 (en) | Lithium ion battery cell having a capacitance sensor and method for monitoring the condition of a lithium ion battery cell of this type | |
| CN203241541U (zh) | 一种气体中高浓度氚测量装置 | |
| EP2642526A3 (en) | Metal dentrite-free solar cell | |
| WO2017223254A8 (en) | Methods for cell proliferation and toxicity testing | |
| CN204302501U (zh) | 一种中子剂量监测仪 | |
| CN103576003B (zh) | 一种基于放射源的便携式空间电场检测仪及其测量方法 | |
| CA2898455C (en) | High pressure ion chamber enclosure support mount | |
| RU2465620C1 (ru) | Дрейфовая камера для работы в вакууме |