TH132073ATH1201005896ATH1201005896ATH132073ATH 132073 ATH132073 ATH 132073ATH 1201005896 ATH1201005896 ATH 1201005896ATH 1201005896 ATH1201005896 ATH 1201005896ATH 132073 ATH132073 ATH 132073A
DC60 (15/11/60) หนึ่งแง่มุมของของคอปเปอร์ แอลลอย (copper alloy) นี้สำหรับอุปกรณ์อิเล็กโทรนิก ประกอบด้วยไบนารี แอลลอย (binary alloy) ของ Cu และ Mg ซึ่งรวมถึง Mg ที่ปริมาณ 3.3 ถึง 6.9 อะตอมมิก% ด้วยส่วนที่เหลือที่เป็น Cu และ สิ่งปนเปื้อนที่หลีกเลี่ยงไม่ได้ และ สภาพนำไฟฟ้า ซิกมา (%IACS) มีค่าภายในช่วงต่อไปนี้เมื่อปริมาณของ Mg ถูกให้ไว้เป็น A อะตอมมิก% ซิกมา น้อยกว่าหรือเท่ากับ {1.7241/(-0.0347XA2+0.6569XA+1.7)}x100 หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ หนึ่งแง่มุมของของคอปเปอร์ แอลลอย (copper alloy) นี้สำหรับอุปกรณ์อิเล็กโทรนิก ประกอบด้วยไบนารี แอลลอย (binary alloy) ของ Cu และ Mg ซึ่งรวมถึง Mg ที่ปริมาณ 3.3 ถึง 6.9 อะตอมมิก% ด้วยส่วนที่เหลือที่เป็น Cu และ สิ่งปนเปื้อนที่หลีกเลี่ยงไม่ได้ และ สภาพนำไฟฟ้า (สูตร) (%IACS) มีค่าภายในช่วงต่อไปนี้เมื่อปริมาณของ Mg ถูกให้ไว้เป็น A อะตอมมิก% (สูตร) สูตร {1,7241/(-0.0347XA2+0.6569XA+1.7)}x 100 DC60 (15/11/60) One aspect of this copper alloy is for electronic devices. Contains Cu and Mg binary alloys, including Mg at 3.3 to 6.9% atoms with Cu residue, and inevitable contaminants and sigma conductivity ( % IACS) has a value within the following range when the amount of Mg is given as A,% sigma atomic is less than or equal to. {1.7241 / (- 0.0347XA2 + 0.6569XA + 1.7)} x100 page 1 of the number 1 page. Invention summary. One aspect of this copper alloy is for electronic devices. Contains Cu and Mg binary alloys, including Mg at 3.3 to 6.9% atoms, with Cu residue and inevitable impurities and conductivity (formula). (% IACS) has a value within the following range when the quantity of Mg is given as% A atomic (formula) formula {1,7241 / (- 0.0347XA2 + 0.6569XA + 1.7)} x 100.
Claims (1)
: DC60 (15/11/60) หนึ่งแง่มุมของของคอปเปอร์ แอลลอย (copper alloy) นี้สำหรับอุปกรณ์อิเล็กโทรนิก ประกอบด้วยไบนารี แอลลอย (binary alloy) ของ Cu และ Mg ซึ่งรวมถึง Mg ที่ปริมาณ 3.3 ถึง 6.9 อะตอมมิก% ด้วยส่วนที่เหลือที่เป็น Cu และ สิ่งปนเปื้อนที่หลีกเลี่ยงไม่ได้ และ สภาพนำไฟฟ้า ซิกมา (%IACS) มีค่าภายในช่วงต่อไปนี้เมื่อปริมาณของ Mg ถูกให้ไว้เป็น A อะตอมมิก% ซิกมา น้อยกว่าหรือเท่ากับ {1.7241/(-0.0347XA2+0.6569XA+1.7)}x100 หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ หนึ่งแง่มุมของของคอปเปอร์ แอลลอย (copper alloy) นี้สำหรับอุปกรณ์อิเล็กโทรนิก ประกอบด้วยไบนารี แอลลอย (binary alloy) ของ Cu และ Mg ซึ่งรวมถึง Mg ที่ปริมาณ 3.3 ถึง 6.9 อะตอมมิก% ด้วยส่วนที่เหลือที่เป็น Cu และ สิ่งปนเปื้อนที่หลีกเลี่ยงไม่ได้ และ สภาพนำไฟฟ้า (สูตร) (%IACS) มีค่าภายในช่วงต่อไปนี้เมื่อปริมาณของ Mg ถูกให้ไว้เป็น A อะตอมมิก% (สูตร) สูตร {1,7241/(-0.0347XA2+0.6569XA+1.7)}x 100 ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : หน้า 1 ของจำนวน 2 หน้า ข้อถือสิทธิ: DC60 (15/11/60) One aspect of this copper alloy is for electronic devices. Contains Cu and Mg binary alloys, including Mg at 3.3 to 6.9% atoms with Cu residue, and inevitable contaminants and sigma conductivity ( % IACS) has a value within the following range when the amount of Mg is given as A,% sigma atomic is less than or equal to. {1.7241 / (- 0.0347XA2 + 0.6569XA + 1.7)} x100 page 1 of the number 1 page. Invention summary. One aspect of this copper alloy is for electronic devices. Contains Cu and Mg binary alloys, including Mg at 3.3 to 6.9% atoms, with Cu residue and inevitable impurities and conductivity (formula). (% IACS) has a value within the following range when the quantity of Mg is given as A atomic% (formula), the formula {1,7241 / (- 0.0347XA2 + 0.6569XA + 1.7)) x 100. The first) which will appear on the advertisement page: page 1 of the number 2 pages.1. คอปเปอร์ อัลลอย (copper alloy) สำหรับอุปกรณ์อิเล็กโทรนิก โดยที่ คอปเปอร์ อัลลอยนั้น ประกอบด้วยไบนารี อัลลอยของ Cu และ Mg ไบนารี อัลลอยประกอบด้วย Mg ที่ปริมาณในช่วง 3.3 ถึง 6.9 อะตอมมิก% ด้วยส่วนที่ เหลือที่เป็น Cu และ สิ่งปนเปื้อนที่หลีกเลี่ยงไม่ได้ สภาพนำไฟฟ้า (สูตร) (%IACS) มีค่าภายในช่วงต่อไปนี่เมื่อปริมาณของ Mg ถูกให้ไว้เป็น A อะตอมมิก % และ คอปเปอร์อัลลอยนั้นถูกนำเข้าสู่การแท็ก :1. Copper alloy for electronic devices where copper alloys are made up of Cu and Mg binary alloys. Binary alloys contain Mg at quantities in the range 3.3 to 6.9% atoms with the remainder of Cu and Inevitable contaminants, the conductivity (formula) (% IACS) is valued within the following range, when the amount of Mg is given as A, the atomic%, and the copper alloy is tagged. :
TH1201005896A2011-05-13
Copper alloys for electronic devices, a method for copper production Alloys for electronic devices and rolling materials; copper alloys for electronic devices.
TH132073B
(en)
Copper alloy for electronic/electrical device, copper alloy plastically worked material for electronic/electrical device, component for electronic/electrical device, terminal, and busbar.
Copper alloy for electronic and electrical equipment, copper alloy plate strip for electronic and electrical equipment, component for electronic and electrical equipment, terminal, busbar, and movable piece for relays.
Copper alloys for electronic / electrical equipment, plastic-processed copper alloys for electronic / electrical equipment, electronic / electrical components, terminal equipment and large current probes.
Copper alloys for electrical and electronic equipment, copper alloy sheets for electrical and electronic equipment, conductor components for electrical and electronic equipment, and terminals.