TH13040C3 - "เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiO - Google Patents

"เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiO

Info

Publication number
TH13040C3
TH13040C3 TH1603001427U TH1603001427U TH13040C3 TH 13040 C3 TH13040 C3 TH 13040C3 TH 1603001427 U TH1603001427 U TH 1603001427U TH 1603001427 U TH1603001427 U TH 1603001427U TH 13040 C3 TH13040 C3 TH 13040C3
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
layer
sige
sio
solar cells
cell
Prior art date
Application number
TH1603001427U
Other languages
English (en)
Other versions
TH13040A3 (th
Inventor
ศรีประภา นายกอบศักดิ์
เจริญเสถียรโชค นายสุทธินันท์
อินธิแสง นายสรพงศ์
ทวีวัฒน์ กระจ่างสังข์ นาย
ทรงเกียรติ กิตติสนธิรักษ์ นาย
อมรรัตน์ ลิ้มมณี นางสาว
อภิชาญ มูลละคร นาย
จรัญ ศรีธาราธิคุณ นาย
ปฏิภาณ กรุดตาด นาย
อัศวิน หงษ์สิงห์ทอง นาย
Original Assignee
นางสาว อรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล
นาง รัชดา เรืองสิน
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาว อรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล, นาง รัชดา เรืองสิน filed Critical นางสาว อรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล
Publication of TH13040C3 publication Critical patent/TH13040C3/th
Publication of TH13040A3 publication Critical patent/TH13040A3/th

Links

Abstract

แก้ไข 28/04/2560 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiOH/a- SiGe:H ที่ประกอบด้วย ชั้นวัสดุฐานรอง,เซลล์บน, ชั้นขั้นกลาง, เซลล์ล่าง, ชั้นขั้วโลหะโปร่งแสง และ ชั้นขั้วโลหะ โดยที่ในกรณีที่เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนมีโครงสร้างซ้อนสองชั้น จะมีชั้น ดูดกลืนแสงของเซลล์บนและเซลล์ล่างดังกล่าว ที่สร้างจากวัสดุ a-SiO:H และวัสดุ a-SiGe:H ตามลำดับ และในกรณีที่เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนมีโครงสร้างซ้อนมากกว่าสองชั้น จะมี ชั้นดูดกลืนแสงของเซลล์บน ที่สร้างจากวัสดุ a-SiO:H และชั้นดูดกลืนแสงสำหรับชั้นขั้นกลางหรือ เซลล์ล่าง ที่สร้างจากวัสดุ a-SiGe:H เพื่อทำให้เซลล์แสงอาทิตย์ดังกล่าวมีค่าสัมประสิทธิ์ทางอุณหภูมิ ต่ำ ------ การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiO:H/a- SiGe:H ที่ประกอบด้วย ชั้นวัสดุฐานรอง,เซลล์บน, ชั้นขั้นกลาง, เซลล์ล่าง, ชั้นขั้วโลหะ โปร่งแสง และ ชั้นขั้วโลหะ โดยที่ในกรณีที่เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนมีโครงสร้างซ้อนสองชั้น จะมีชั้น ดูดกลืนแสงของเซลล์บนและเซลล์ล่างดังกล่าว ที่สร้างจากวัสดุ a-SiO:H และวัสดุ a-SiGe:H ตามลำดับ และในกรณีที่เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนมีโครงสร้างซ้อนมากกว่าสองชั้น จะมี ชั้นดูดกลืนแสงของเซลล์บน ที่สร้างจากวัสดุ a-SiO:H และชั้นดูดกลืนแสงสำหรับชั้นขั้นกลางหรือ เซลล์ล่าง ที่สร้างจากวัสดุ a-SiGe:H เพื่อทำให้เซลล์แสงอาทิตย์ดังกล่าวมีค่าสัมประสิทธิ์ทางอุณหภูมิ ต่ำ:

Claims (8)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :แก้ไข 28/04/2560 1. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiO:H/a-SiGe:H ที่ประกอบด้วย ชั้นวัสดุฐานรอง ที่เชื่อมต่ออยู่กับเซลล์บน ทำหน้าที่ให้แสงและกระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ เซลล์บน ที่เชื่อมต่ออยู่กับชั้นวัสดุแผ่นฐานหลักและชั้นขั้นกลาง โดยที่เซลล์ชั้นบนดังกล่าว ประกอบด้วย ชั้นรับแสงหรือชั้นพี (p), ชั้นบัฟเฟอร์, ชั้นดูดกลืนแสง และ ชั้นเอ็น (n) ชั้นขั้นกลาง ที่เชื่อมต่ออยู่ระหว่างเซลล์บนและเซลล์ล่าง เซลล์ล่าง ที่เชื่อมต่ออยู่กับชั้นขั้นกลางและชั้นขั้วโลหะโปร่งแสง โดยที่เซลล์ชั้นล่าง ดังกล่าวประกอบด้วย ชั้นรับแสงหรือชั้นพี (p), ชั้นบัฟเฟอร์, ชั้นดูดกลืนแสง และ ชั้นเอ็น (n) ชั้นขั้วโลหะโปร่งแสง ที่เชื่อมต่ออยู่กับเซลล์ล่างและชั้นขั้วโลหะ ทำหน้าที่ในการสะท้อน แสงด้านหลัง เพื่อให้กระแสไฟฟ้าสูงขึ้น และ ชั้นขั้วโลหะ ที่เชื่อมต่ออยู่กับชั้นขั้วโลหะโปร่งแสง ทำหน้าที่ในการสะท้อนแสงด้านหลัง เพื่อให้กระแสไฟฟ้าสูงขึ้น และเป็นส่วนที่เชื่อมต่อ เพื่อจ่ายกระแสไฟฟ้าให้กับอุปกรณ์ ภายนอก ที่มีลักษณะเฉพาะ คือ ในกรณีที่เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนมีโครงสร้างซ้อน สองชั้น จะมีชั้นดูดกลืนแสงของเซลล์บนและเซลล์ล่างดังกล่าว ที่สร้างจากวัสดุอะมอร์ฟัสซิลิคอน ออกไซด์ (a-SiO:H) และวัสดุอะมอร์ฟัสซิลิคอนเจอร์เมนเนียม (a-SiGe:H) ตามลำดับ และในกรณีที่ เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนมีโครงสร้างซ้อนมากกว่าสองชั้น จะมีชั้นดูดกลืนแสงของ เซลล์บน ที่สร้างจากวัสดุ วัสดุอะมอร์ฟัสซิลิคอนออกไซด์ (a-SiO:H) และชั้นดูดกลืนแสงสำหรับ ชั้นขั้นกลางหรือเซลล์ล่าง ที่สร้างจากวัสดุวัสดุอะมอร์ฟัสซิลิคอนเจอร์เมนเนียม (a-SiGe:H) เพื่อทำ ให้เซลล์แสงอาทิตย์ดังกล่าวมีค่าสัมประสิทธิ์ทางอุณหภูมิต่ำ 2. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiO:H/a-SiGe:H ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นวัสดุฐานรองดังกล่าว เป็นกระจกโปร่งแสงนำไฟฟ้า (Transparent conductive oxide) หรือ พลาสติก 3. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiO:H/a-SiGe:H ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นรับแสงหรือชั้นพี (p) ของเซลล์บนและเซลล์ล่างดังกล่าว เป็นไมโครคริสตัลไลน์ซิลิกอน ออกไซด์ (p-(สูตร)c-SiO:H) 4. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiO:H/a-SiGe:H ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นบัฟเฟอร์ ของเซลล์บนดังกล่าว เป็นอินทรินสิกอะมอร์ฟัสซิลิคอนออกไซด์ (i-a-SiO:H buffer layer) และชั้นบัฟเฟอร์ ของเซลล์ล่างดังกล่าว เป็นอินทรินสิกอะมอร์ฟัสซิลิคอน (i-a-Si:H buffer layer) 5. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiO:H/a-SiGe:H ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นเอ็น (n) ของเซลล์บนและเซลล์ล่างดังกล่าว เป็นไมโครคริสตัลไลน์ซิลิคอน (n-(สูตร)c-Si:H) 6. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiO:H/a-SiGe:H ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นขั้นกลางดังกล่าว เป็นซิ้งออกไซด์ (ZnO:Al intermediate layer) 7. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiO:H/a-SiGe:H ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นขั้วโลหะโปร่งแสงดังกล่าว เป็นซิ้งออกไซด์ (ZnO:Al back reflector layer) 8. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiO:H/a-SiGe:H ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นขั้วโลหะดังกล่าว เป็นเงิน (Ag) หรือ อลูมินัม (Al) ------
1. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiO:H/a-SiGe:H ที่ประกอบด้วย ชั้นวัสดุฐานรอง ที่เชื่อมต่ออยู่กับเซลล์บน ทำหน้าที่ให้แสงและกระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ เซลล์บน ที่เชื่อมต่ออยู่กับชั้นวัสดุแผ่นฐานหลักและชั้นขั้นกลาง โดยที่เซลล์ชั้นบนดังกล่าว ประกอบด้วย ชั้นรับแสงหรือชั้นพี (p), ชั้นบัฟเฟอร์, ชั้นดูดกลืนแสง และ ชั้นเอ็น (n) ชั้นขั้นกลาง ที่เชื่อมต่ออยู่ระหว่างเซลล์บนและเซลล์ล่าง เซลล์ล่าง ที่เชื่อมต่ออยู่กับชั้นขั้นกลางและชั้นขั้วโลหะโปร่งแสง โดยที่เซลล์ชั้นล่าง ดังกล่าวประกอบด้วย ชั้นรับแสงหรือชั้นพี (p), ชั้นบัฟเฟอร์, ชั้นดูดกลืนแสง และ ชั้นเอ็น (n) ชั้นขั้วโลหะโปร่งแสง ที่เชื่อมต่ออยู่กับเซลล์ล่างและชั้นขั้วโลหะ ทำหน้าที่ในการสะท้อน แสงด้านหลัง เพื่อให้กระแสไฟฟ้าสูงขึ้น และ ชั้นขั้วโลหะ ที่เชื่อมต่ออยู่กับชั้นขั้วโลหะโปร่งแสง ทำหน้าที่ในการสะท้อนแสงด้านหลัง เพื่อให้กระแสไฟฟ้าสูงขึ้น และเป็นส่วนที่เชื่อมต่อ เพื่อจ่ายกระแสไฟฟ้าให้กับอุปกรณ์ ภายนอก ที่มีลักษณะเฉพาะ คือ ในกรณีที่เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนมีโครงสร้างซ้อน สองชั้น จะมีชั้นดูดกลืนแสงของเซลล์บนและเซลล์ล่างดังกล่าว ที่สร้างจากวัสดุอะมอร์ฟัสซิลิคอน ออกไซด์ (a-SiO:H) และวัสดุอะมอร์ฟัสซิลิคอนเจอร์เมนเนียม (a-SiGe:H) ตามลำดับ และในกรณีที่ เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนมีโครงสร้างซ้อนมากกว่าสองชั้น จะมีชั้นดูดกลืนแสงของ เซลล์บน ที่สร้างจากวัสดุ วัสดุอะมอร์ฟัสซิลิคอนออกไซด์ (a-SiO:H) และชั้นดูดกลืนแสงสำหรับ ชั้นขั้นกลางหรือเซลล์ล่าง ที่สร้างจากวัสดุวัสดุอะมอร์ฟัสซิลิคอนเจอร์เมนเนียม (a-SiGe:H) เพื่อทำ ให้เซลล์แสงอาทิตย์ดังกล่าวมีค่าสัมประสิทธิ์ทางอุณหภูมิต่ำ
2. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiOe:H/a-SiGe:H ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นวัสดุฐานรองดังกล่าว เป็นกระจกโปร่งแสงนำไฟฟ้า (Transparent conductive oxide) หรือ พลาสติก
3. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiOe:Ha-SiGe:H ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นรับแสงหรือชั้นพี (p) ของเซลล์บนและเซลล์ล่างดังกล่าว เป็นไมโครคริสตัลไลน์ซิลิกอน ออกไซด์ (p-(สูตร)c-SiO:H)
4. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiOe:Ha-SiGe:H ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นบัฟเฟอร์ ของเซลล์บนดังกล่าว เป็นอินทรินสิกอะมอร์ฟัสซิลิคอนออกไซด์ (i-a-SiO:H buffer layer) และชั้นบัฟเฟอร์ ของเซลล์ล่างดังกล่าว เป็นอินทรินสิกอะมอร์ฟัสซิลิคอน (i-a-Si:H buffer layer)
5. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiOe:Ha-SiGe:H ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นเอ็น (n) ของเซลล์บนและเซลล์ล่างดังกล่าว เป็นไมโครคริสตัลไลน์ซิลิคอน (n-(สูตร)c-Si:H)
6. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiOe:Ha-SiGe:H ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นขั้นกลางดังกล่าว เป็นซิ้งออกไซด์ (ZnO:Al intermediate layer)
7. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiOe:Ha-SiGe:H ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นขั้วโลหะโปร่งแสงดังกล่าว เป็นซิ้งออกไซด์ (ZnO:al back reflector layer)
8. เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiOe:Ha-SiGe:H ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นขั้วโลหะดังกล่าว เป็นเงิน (Ag) หรือ อลูมินัม (Al)
TH1603001427U 2016-08-11 "เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiO TH13040A3 (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH13040C3 true TH13040C3 (th) 2017-09-01
TH13040A3 TH13040A3 (th) 2017-09-01

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5178705B2 (ja) 内部間隔を有する非平面状ソーラーユニットの組立品
KR101292061B1 (ko) 박막 태양전지
US20090084439A1 (en) TCO-based hybrid solar photovoltaic energy conversion apparatus
RU2009110482A (ru) Лицевой контакт с промежуточным слоем (слоями) смежными с ним для использования в фотоэлектрических устройствах и способ его производства
CN111048603B (zh) 一种彩色铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
JP2004531902A5 (th)
CN109087959B (zh) 太阳能电池封装结构
TH13040A3 (th) "เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiO
TH13040C3 (th) "เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางซิลิคอนโครงสร้างซ้อน a-SiO
CN105226126A (zh) 一种太阳能电池结构
CN205264730U (zh) 一种适于沙漠及干热地区的光伏组件
KR101645532B1 (ko) 표면에 다층막을 형성하여 효율을 향상시킨 태양 전지 모듈
CN204243051U (zh) 一种多层膜太阳能电池
CN208111457U (zh) 一种带陷光结构的光伏组件
CN105449022A (zh) 一种适于沙漠及干热地区的光伏组件
KR101866309B1 (ko) 메탈 웰딩 태양전지
CN207637817U (zh) 一种封装光伏电池组件
CN204230255U (zh) 一种双面太阳电池结构
CN209434201U (zh) 柔性光伏组件
CN103606576B (zh) 一种太阳能电池
CN109301000B (zh) 薄膜太阳能电池及其制备方法
CN106847961B (zh) 一种太阳能电池封装结构以及太阳能电池
JP2018174263A (ja) 光電変換装置
Welser et al. Flexible, high-efficiency solar cells: approaches and advanced design concepts
CN206041916U (zh) 一种高效率防折射多晶硅太阳能电池