TH127215B - การกระตุ้นต่อเนื่องของโครงสร้างอิเล็กโทรดโดยวิถีทางของการใช้เทคนิคการตกพอกพูนด้วยสุญญากาศ - Google Patents
การกระตุ้นต่อเนื่องของโครงสร้างอิเล็กโทรดโดยวิถีทางของการใช้เทคนิคการตกพอกพูนด้วยสุญญากาศInfo
- Publication number
- TH127215B TH127215B TH1201000912A TH1201000912A TH127215B TH 127215 B TH127215 B TH 127215B TH 1201000912 A TH1201000912 A TH 1201000912A TH 1201000912 A TH1201000912 A TH 1201000912A TH 127215 B TH127215 B TH 127215B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- deposition technique
- electrode structure
- vacuum deposition
- continuous stimulation
- vapor deposition
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 5
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 title 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 title 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
Abstract
การประดิษฐ์จะเกี่ยวข้องกับวิธีการของการผลิตอิเล็กโทรดโลหะสำหรับการประยุกต์ใช้ทาง อิเล็กโตรไลท์โดยอาศัยการใช้การตกพอกพูนต่อเนื่องของชั้นของโลหะมีตระกูลบนซับสเทรทโลหะ โดยเทคนิคการตกพอกพูนด้วยไอทางฟิสิกส์
Claims (2)
1. วิธีการสำหรับการผลิตอิเล็กโทรดสำหรับกระบวนการทางอิเล็กโตรไลท์, ที่ประกอบรวมด้วย การตกพอกพูนต่อเนื่องของชั้นกะทัดรัดของโลหะมีตระกูลหรือออกไซด์ของมันบน ซับสเทรทโลหะโดยอาศัยการใช้เทคนิคการตกพอกพูนด้วยไอทางเคมีหรือทางฟิสิกส์
2. วิธิการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ - การโหลดซับสเทรทโลหะดังกล่าวในชิ้นที่ก่อรูปล่วงหน้าเข้าไปในห้องปรับสภาพของ อุปกรณ์สำหรับการตกพอกพูนด้วยไอทางฟิลิกส์; :
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH127215A TH127215A (th) | 2013-09-20 |
| TH127215B true TH127215B (th) | 2013-09-20 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2007117998A3 (en) | Capacitor electrodes produced with atomic layer deposition for use in implantable medical devices | |
| JP2012146946A5 (th) | ||
| TW200940750A (en) | Manufacturing process of electrodes for electrolysis | |
| MY172449A (en) | Method for producing a substrate coated with a stack including a conductive transparent oxide film | |
| EA201391765A1 (ru) | Способ осаждения слоев на стеклянную подложку посредством пхо низкого давления | |
| JP2012019207A5 (ja) | 半導体装置 | |
| WO2012129554A3 (en) | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith | |
| JP2012033472A5 (th) | ||
| JP2012033476A5 (th) | ||
| EA201270197A1 (ru) | Электрод для электролитических применений | |
| GB201305722D0 (en) | Microbial fuel cell | |
| EP2765593A3 (en) | Plasma catalyst chemical reaction apparatus | |
| JP2012517690A5 (th) | ||
| FR2982422B1 (fr) | Substrat conducteur pour cellule photovoltaique | |
| FR2962598B1 (fr) | Procede d'implantation d'un materiau piezoelectrique | |
| JP2012142543A5 (th) | ||
| TW201129497A (en) | silicon substrate having nanostructures and method for producing the same and application thereof | |
| WO2012110875A3 (en) | Method of producing displacement plating precursor | |
| JP2014220180A5 (th) | ||
| JP2011119246A5 (ja) | 発光装置の作製方法、および発光装置 | |
| EP3214679A8 (en) | Electrode catalyst layer for fuel cell, manufacturing method for same, and membrane electrode assembly and fuel cell using same | |
| GB2514711A (en) | Power semiconductor device and method for manufacturing thereof | |
| WO2015025211A3 (en) | Film formation system and film formation method for forming metal film | |
| WO2009059915A3 (de) | Goldhaltige nickelschicht | |
| TW200942646A (en) | Manufacturing process of electrodes for electrolysis |