TH118178A - อุปกรณ์กึ่งตัวนำบนชั้นฐานที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกันนี้ - Google Patents

อุปกรณ์กึ่งตัวนำบนชั้นฐานที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกันนี้

Info

Publication number
TH118178A
TH118178A TH1101003262A TH1101003262A TH118178A TH 118178 A TH118178 A TH 118178A TH 1101003262 A TH1101003262 A TH 1101003262A TH 1101003262 A TH1101003262 A TH 1101003262A TH 118178 A TH118178 A TH 118178A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
layer
diffusion barrier
base layer
metal base
semiconductor device
Prior art date
Application number
TH1101003262A
Other languages
English (en)
Inventor
แมน ทิง หว่อง นางสาวกลอเรีย
แมคคาร์ทที นายเควิน
คอคซิส นายไมเคิล
คาแมท นายอาร์วินด์
Original Assignee
โควิโอ้
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางสาวสนธยา สังขพงศ์
นายณัฐพล อร่ามเมือง
Filing date
Publication date
Application filed by โควิโอ้, นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางสาวสนธยา สังขพงศ์, นายณัฐพล อร่ามเมือง filed Critical โควิโอ้
Publication of TH118178A publication Critical patent/TH118178A/th

Links

Abstract

DC60 (23/11/54) อุปกรณ์กึ่งตัวนำบนชั้นฐานโลหะที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกัน นี้ได้ถูกเปิดเผยไว้ อุปกรณ์กึ่งตัวนำจะมีส่วนที่เป็นชั้นฐานโลหะ, ชั้นกั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐาน โลหะ, ชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจายและชั้นกึ่งตัวนำบนชั้นฉนวน วิธีการจะรวมถึงการสร้างชั้น กั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐานโลหะ, การสร้างชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจาย และการสร้างชั้นกึ่ง ตัวนำบนชั้นฉนวน ชั้นฐานที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายดังกล่าวจะป้องกันการแพร่กระจายของ อะตอมโลหะจากชั้นฐานโลหะเข้าไปยังอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่สร้างขึ้นบนนั้น อุปกรณ์กึ่งตัวนำบนชั้นฐานโลหะที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกัน นี้ได้ถูกเปิดเผยไว้ อุปกรณ์กึ่งตัวนำจะมีส่วนที่เป็นชั้นฐานโลหะ,ชั้นกั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐานฃ โลหะ,ชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจายและชั้นกึ่งตัวนำบนชั้นฉนวน วิธีการจะรวมถึงการสร้างชั้น กั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐานโลหะ,การสร้างชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจาย และการสร้างชั้นกึ่ง ตัวนำบนชั้นฉนวน ชั้นฐานที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายดังกล่าวจะป้องกันการแพร่กระจายของ อะตอมโลหะจากชั้นฐานโลหะเข้าไปยังอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่สร้างขึ้นบนนั้น

Claims (1)

1. : DC60 (23/11/54) อุปกรณ์กึ่งตัวนำบนชั้นฐานโลหะที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกัน นี้ได้ถูกเปิดเผยไว้ อุปกรณ์กึ่งตัวนำจะมีส่วนที่เป็นชั้นฐานโลหะ, ชั้นกั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐาน โลหะ, ชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจายและชั้นกึ่งตัวนำบนชั้นฉนวน วิธีการจะรวมถึงการสร้างชั้น กั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐานโลหะ, การสร้างชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจาย และการสร้างชั้นกึ่ง ตัวนำบนชั้นฉนวน ชั้นฐานที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายดังกล่าวจะป้องกันการแพร่กระจายของ อะตอมโลหะจากชั้นฐานโลหะเข้าไปยังอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่สร้างขึ้นบนนั้น อุปกรณ์กึ่งตัวนำบนชั้นฐานโลหะที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกัน นี้ได้ถูกเปิดเผยไว้ อุปกรณ์กึ่งตัวนำจะมีส่วนที่เป็นชั้นฐานโลหะ,ชั้นกั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐานฃ โลหะ,ชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจายและชั้นกึ่งตัวนำบนชั้นฉนวน วิธีการจะรวมถึงการสร้างชั้น กั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐานโลหะ,การสร้างชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจาย และการสร้างชั้นกึ่ง ตัวนำบนชั้นฉนวน ชั้นฐานที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายดังกล่าวจะป้องกันการแพร่กระจายของ อะตอมโลหะจากชั้นฐานโลหะเข้าไปยังอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่สร้างขึ้นบนนั้นข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : 1.อุปกรณ์ซึ่งประกอบด้วย a)ชั้นฐาน โลหะ b)ชั้นกั้นการแพร่กระจายหนึ่งชั้นหรือมากกว่านั้นบนชั้นฐานโลหะดังกล่าว c)ชั้นฉนวนหนึ่งชั้นหรือมากกว่านั้นบนชั้นกั้นการแพร่กระจายดังกล่าว และ d)ชั้นอุปกรณ์บนชั้นฉนวนดังกล่าวแท็ก :
TH1101003262A 2010-05-27 อุปกรณ์กึ่งตัวนำบนชั้นฐานที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกันนี้ TH118178A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH118178A true TH118178A (th) 2012-11-30

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2816604A3 (en) Array substrate and organic light-emitting display including the same
EP2860785A3 (en) Display devices and methods of manufacturing display devices
TW201130113A (en) System comprising a semiconductor device and structure
EP2770545A3 (en) Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same
TW200707754A (en) Wire structure, method of forming wire, thin film transistor substrate, and method of manufacturing thin film transistor substrate
WO2009084860A3 (en) Semiconductor light emitting device
EP2863446A3 (en) Flexible organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
JP2012134329A5 (th)
EP2819203A3 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
EP2161765A3 (en) Optical-semiconductor device and method for manufacturing the same
SG192320A1 (en) Semiconductor devices with copper interconnects and methods for fabricating same
SG10201911502WA (en) Conductive film coated substrate, multilayer reflective film coated substrate, reflective mask blank, reflective mask, and semiconductor device manufacturing method
TW201613049A (en) Semiconductor package and method of manufacture
WO2014088639A3 (en) Iii-n semiconductor-on-silicon structures and techniques
EP3796391A4 (en) OLED DISPLAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
GB201204670D0 (en) Optoelectronic device
SG11202005918UA (en) Substrate with conductive film, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and semiconductor device manufacturing method
EP3089234A3 (en) Flexible organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same
WO2014099864A3 (en) Light-emitting devices comprising emissive layer
TW200731537A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2017146968A5 (ja) 半導体装置、電子機器、半導体ウェハ
EP2752880A3 (en) Graphene electronic devices and methods of manufacturing the same
EP2495641A3 (en) Touch sensitive device and fabrication method thereof
SG161183A1 (en) Integrated circuit system employing stress-engineered layers
WO2018085715A3 (en) Method and apparatus for encapsulation of an organic light emitting diode