TH118178A - อุปกรณ์กึ่งตัวนำบนชั้นฐานที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกันนี้ - Google Patents
อุปกรณ์กึ่งตัวนำบนชั้นฐานที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกันนี้Info
- Publication number
- TH118178A TH118178A TH1101003262A TH1101003262A TH118178A TH 118178 A TH118178 A TH 118178A TH 1101003262 A TH1101003262 A TH 1101003262A TH 1101003262 A TH1101003262 A TH 1101003262A TH 118178 A TH118178 A TH 118178A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- layer
- diffusion barrier
- base layer
- metal base
- semiconductor device
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (23/11/54) อุปกรณ์กึ่งตัวนำบนชั้นฐานโลหะที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกัน นี้ได้ถูกเปิดเผยไว้ อุปกรณ์กึ่งตัวนำจะมีส่วนที่เป็นชั้นฐานโลหะ, ชั้นกั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐาน โลหะ, ชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจายและชั้นกึ่งตัวนำบนชั้นฉนวน วิธีการจะรวมถึงการสร้างชั้น กั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐานโลหะ, การสร้างชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจาย และการสร้างชั้นกึ่ง ตัวนำบนชั้นฉนวน ชั้นฐานที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายดังกล่าวจะป้องกันการแพร่กระจายของ อะตอมโลหะจากชั้นฐานโลหะเข้าไปยังอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่สร้างขึ้นบนนั้น อุปกรณ์กึ่งตัวนำบนชั้นฐานโลหะที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกัน นี้ได้ถูกเปิดเผยไว้ อุปกรณ์กึ่งตัวนำจะมีส่วนที่เป็นชั้นฐานโลหะ,ชั้นกั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐานฃ โลหะ,ชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจายและชั้นกึ่งตัวนำบนชั้นฉนวน วิธีการจะรวมถึงการสร้างชั้น กั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐานโลหะ,การสร้างชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจาย และการสร้างชั้นกึ่ง ตัวนำบนชั้นฉนวน ชั้นฐานที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายดังกล่าวจะป้องกันการแพร่กระจายของ อะตอมโลหะจากชั้นฐานโลหะเข้าไปยังอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่สร้างขึ้นบนนั้น
Claims (1)
1. : DC60 (23/11/54) อุปกรณ์กึ่งตัวนำบนชั้นฐานโลหะที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกัน นี้ได้ถูกเปิดเผยไว้ อุปกรณ์กึ่งตัวนำจะมีส่วนที่เป็นชั้นฐานโลหะ, ชั้นกั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐาน โลหะ, ชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจายและชั้นกึ่งตัวนำบนชั้นฉนวน วิธีการจะรวมถึงการสร้างชั้น กั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐานโลหะ, การสร้างชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจาย และการสร้างชั้นกึ่ง ตัวนำบนชั้นฉนวน ชั้นฐานที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายดังกล่าวจะป้องกันการแพร่กระจายของ อะตอมโลหะจากชั้นฐานโลหะเข้าไปยังอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่สร้างขึ้นบนนั้น อุปกรณ์กึ่งตัวนำบนชั้นฐานโลหะที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายและวิธีการผลิตสิ่งเดียวกัน นี้ได้ถูกเปิดเผยไว้ อุปกรณ์กึ่งตัวนำจะมีส่วนที่เป็นชั้นฐานโลหะ,ชั้นกั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐานฃ โลหะ,ชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจายและชั้นกึ่งตัวนำบนชั้นฉนวน วิธีการจะรวมถึงการสร้างชั้น กั้นการแพร่กระจายบนชั้นฐานโลหะ,การสร้างชั้นฉนวนบนชั้นกั้นการแพร่กระจาย และการสร้างชั้นกึ่ง ตัวนำบนชั้นฉนวน ชั้นฐานที่เคลือบด้วยตัวกั้นการแพร่กระจายดังกล่าวจะป้องกันการแพร่กระจายของ อะตอมโลหะจากชั้นฐานโลหะเข้าไปยังอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่สร้างขึ้นบนนั้นข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : 1.อุปกรณ์ซึ่งประกอบด้วย a)ชั้นฐาน โลหะ b)ชั้นกั้นการแพร่กระจายหนึ่งชั้นหรือมากกว่านั้นบนชั้นฐานโลหะดังกล่าว c)ชั้นฉนวนหนึ่งชั้นหรือมากกว่านั้นบนชั้นกั้นการแพร่กระจายดังกล่าว และ d)ชั้นอุปกรณ์บนชั้นฉนวนดังกล่าวแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH118178A true TH118178A (th) | 2012-11-30 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2816604A3 (en) | Array substrate and organic light-emitting display including the same | |
| EP2860785A3 (en) | Display devices and methods of manufacturing display devices | |
| TW201130113A (en) | System comprising a semiconductor device and structure | |
| EP2770545A3 (en) | Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| TW200707754A (en) | Wire structure, method of forming wire, thin film transistor substrate, and method of manufacturing thin film transistor substrate | |
| WO2009084860A3 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| EP2863446A3 (en) | Flexible organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
| JP2012134329A5 (th) | ||
| EP2819203A3 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| EP2161765A3 (en) | Optical-semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| SG192320A1 (en) | Semiconductor devices with copper interconnects and methods for fabricating same | |
| SG10201911502WA (en) | Conductive film coated substrate, multilayer reflective film coated substrate, reflective mask blank, reflective mask, and semiconductor device manufacturing method | |
| TW201613049A (en) | Semiconductor package and method of manufacture | |
| WO2014088639A3 (en) | Iii-n semiconductor-on-silicon structures and techniques | |
| EP3796391A4 (en) | OLED DISPLAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE | |
| GB201204670D0 (en) | Optoelectronic device | |
| SG11202005918UA (en) | Substrate with conductive film, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and semiconductor device manufacturing method | |
| EP3089234A3 (en) | Flexible organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same | |
| WO2014099864A3 (en) | Light-emitting devices comprising emissive layer | |
| TW200731537A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2017146968A5 (ja) | 半導体装置、電子機器、半導体ウェハ | |
| EP2752880A3 (en) | Graphene electronic devices and methods of manufacturing the same | |
| EP2495641A3 (en) | Touch sensitive device and fabrication method thereof | |
| SG161183A1 (en) | Integrated circuit system employing stress-engineered layers | |
| WO2018085715A3 (en) | Method and apparatus for encapsulation of an organic light emitting diode |