TH114885A - สารผสมกรดเพื่อการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีตัวทำลายอินทรีย์เป็นพื้นฐานแบบอเนกประสงค์ - Google Patents
สารผสมกรดเพื่อการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีตัวทำลายอินทรีย์เป็นพื้นฐานแบบอเนกประสงค์Info
- Publication number
- TH114885A TH114885A TH301001013A TH0301001013A TH114885A TH 114885 A TH114885 A TH 114885A TH 301001013 A TH301001013 A TH 301001013A TH 0301001013 A TH0301001013 A TH 0301001013A TH 114885 A TH114885 A TH 114885A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- cleaning
- solvent
- organic
- compound
- phosphonic acid
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (24/08/54) สารผสมเพื่อการทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดอุปกรณ์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ หรือนาโนอิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งสารผสมเพื่อการทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วย HF ที่เป็นกรด ชนิดเดียว และสารประกอบฟลูออไรด์ชนิดเดียวในสารผสม, ตัวทำละลายปฐมภูมิอย่างน้อยที่สุด หนึ่งชนิดซึ่งคัดเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยซัลโฟน และซีลีโนน, ตัวทำละลายร่วมพอลิไฮดรอกซิล- แอลคิล หรือแอริลแอลกอฮอล์อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดที่มีตำแหน่งเพื่อการเกิดสร้างสารเชิงซ้อน หรือ เพื่อการยึดเหนี่ยวกับไอออนโลหะ และน้ำ และอย่างเป็นทางเลือกแล้ว คือ สารประกอบสารยับยั้งการ กัดกร่อนชนิดกรดฟอสฟอนิกอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด และไร้ซึ่งอะมีน, เบส หรือเกลืออื่นๆ สารผสมเพื่อการทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดอุปกรณ์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ หรือนาโนอิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งสารผสมเพื่อการทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วย HF ที่เป็นกรด ชนิดเดียว และสารประกอบฟลูออไรด์ชนิดเดียวในสารผสม, ตัวทำละลายปฐมภูมิอย่างน้อยที่สุด หนึ่งชนิดซึ่งคัดเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยซัลโฟน และซีลีโนน, ตัวทำละลายร่วมพอลิไฮดรอกซิล- แอลคิล หรือแอริลแอลกอฮอล์อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดที่มีตำแหน่งเพื่อการเกิดสร้างสารเชิงซ้อน หรือ เพื่อการยึดเหนี่ยวกัยไอออนโลหะ และน้ำ และอย่างเป็นทางเลือกแล้ว คือ สารประกอบสารยับยั้งการ กัดกร่อนชนิดกรดฟอสฟอนิกอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด และไร้ซึ่งอะมีน, เบส หรือเกลืออื่นๆ
Claims (1)
1. สารผสมเพื่อการทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดอุปกรณ์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ หรือนาโนอิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งสารผสมเพื่อการทำความสะอาดนี้ประกอบรวมด้วย HF ที่เป็นกรดชนิดเดียวนอกเหนือจากสารยับยั้งการกัดกร่อนชนิดกรดฟอสฟอนิก และสารประกอบฟลูออไรด์ชนิดเดียวในสารผสม ตัวทำละลายปฐมภูมิอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งคัดเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ซัลโฟน และซีลีโนน ตัวทำลแท็ก :
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH95406A TH95406A (th) | 2009-04-30 |
| TH114885A true TH114885A (th) | 2012-07-11 |
| TH50407B TH50407B (th) | 2016-07-12 |
| TH95406B TH95406B (th) | 2023-08-18 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013539448A5 (th) | ||
| MY152051A (en) | Multipurpose acidic, organic solvent based microelectronic cleaning composition | |
| JP2012190791A5 (th) | ||
| JP2012530597A5 (th) | ||
| WO2011019189A3 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 | |
| DE502006004291D1 (de) | Rückgewinnung von Nitriersäuregemischen aus Nitrierprozessen | |
| BR112013001039A2 (pt) | método de limpeza dos cabelos | |
| SG168509A1 (en) | Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same | |
| WO2011025180A3 (en) | A photoresist stripping composition for manufacturing lcd | |
| TW200940706A (en) | Methods of cleaning semiconductor devices at the back end of line using amidoxime compositions | |
| WO2007110719A3 (en) | Improved alkaline solutions for post cmp cleaning processes | |
| JP2014047406A5 (th) | ||
| WO2011059280A3 (ko) | 비수계 레지스트 박리액 조성물 | |
| DE602005018075D1 (de) | Reinigungsmittel für mikroelektronik-substrate | |
| EP2344441A4 (en) | 4-HYDROXYDOCOSAHEXAENSÄUREVERBINDUNGEN | |
| JP2008509554A5 (th) | ||
| WO2011145880A3 (ko) | 전자재료용 세정액 조성물 | |
| JP2014527200A5 (th) | ||
| PL1994134T3 (pl) | Stabilizowana, niewodna kompozycja czyszcząca do mikroelektronicznych podłoży | |
| JP2013215640A5 (th) | ||
| JP2008537182A5 (th) | ||
| ATE533833T1 (de) | Wässrige reinigungszusammensetzung und verwendungsmethode | |
| JP2014067585A5 (th) | ||
| TH114885A (th) | สารผสมกรดเพื่อการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่มีตัวทำลายอินทรีย์เป็นพื้นฐานแบบอเนกประสงค์ | |
| WO2012093373A3 (en) | Acid cleaning and corrosion inhibiting compositions comprising a blend of nitric and sulfuric acid |