TH114866A - ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสง วิธีการของการผลิตลีดเฟรมนั้น และอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสง - Google Patents

ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสง วิธีการของการผลิตลีดเฟรมนั้น และอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสง

Info

Publication number
TH114866A
TH114866A TH1101000869A TH1101000869A TH114866A TH 114866 A TH114866 A TH 114866A TH 1101000869 A TH1101000869 A TH 1101000869A TH 1101000869 A TH1101000869 A TH 1101000869A TH 114866 A TH114866 A TH 114866A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
silver
layer
optical semiconductor
alloy
surface layer
Prior art date
Application number
TH1101000869A
Other languages
English (en)
Other versions
TH59981B (th
Inventor
โคเซกิ นายคาซูฮิโร
คิคูชิ นายชิน
โคบายาชิ นายโยชิอากิ
Original Assignee
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายรุทร นพคุณ
ฟูรูคาวะ อีเลคทริค โก
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายรุทร นพคุณ, ฟูรูคาวะ อีเลคทริค โก filed Critical นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
Publication of TH114866A publication Critical patent/TH114866A/th
Publication of TH59981B publication Critical patent/TH59981B/th

Links

Abstract

DC60 (21/06/54) ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงซึ่งชั้น 2 ที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม ได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนซับสเตรตนำไฟฟ้า 1 ที่มีชั้นพื้นผิว 4 ที่ประกอบขึ้นมาด้วยโลหะหรือโลหะ ผสมของโลหะนั้นที่มีความต้านทานการกัดกร่อนที่ดีเลิศเป็นชั้นด้านนอกสุด ที่ซึ่งความเข้มข้นของ ส่วนประกอบโลหะที่มีความต้านทานการกัดกร่อนที่ดีเลิศของชั้นพื้นผิวคือ 50%โดยมวล หรือ มากกว่า ที่ส่วนด้านนอกสุดของชั้นพื้นผิว และที่ซึ่งชั้นสารละลายของแข็ง 3 ของเงินและวัสดุโลหะ ซึ่งเป็นส่วนประกอบหลักของชั้นพื้นผิวได้รับการก่อรูปขึ้นมาระหว่างชั้นพื้นผิวและชั้นที่ประกอบ ขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงซึ่งชั้น 2 ที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม ได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนซับสเตรตนำไฟฟ้า 1 ที่มีชั้นพื้นผิว 4 ที่ประกอบขึ้นมาด้วยโลหะหรือโลหะ ผสมของโลหะนั้นที่มีความต้านทานการกัดกร่อนที่ดีเลิศเป็นชั้นด้านนอกสุด ที่ซึ่งความเข้มข้นของ ส่วนประกอบโลหะที่มีความต้านทานการกัดกร่อนที่ดีเลิศของชั้นพื้นผิวคือ 50%โดยมวล หรือ มากกว่า ที่ส่วนด้านนอกสุดของชั้นพื้นผิว และที่ซึ่งชั้นสารละลายของแข็ง 3 ของเงินและวัสดุโลหะ ซึ่งเป็นส่วนประกอบหลักของชั้นพื้นผิวได้รับการก่อรูปขึ้นมาระหว่างชั้นพื้นผิวและชั้นที่ประกอบ ขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม

Claims (2)

ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงซึ่งชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม ได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนซับสเตรตนำไฟฟ้า ที่ประกอบรวมด้วย ชั้นพื้นผิวที่ประกอบขึ้นมาด้วยโลหะ หรือโลหะผสมของโลหะนั้นที่มีความต้านทานการกัดกร่อนที่ดีเลิศเป็นชั้นด้านนอกสุด ที่ซึ่งความ เข้มข้นของส่วนประกอบโลหะที่มีความต้านทานการกัดกร่อนที่ดีเลิศของชั้นพื้นผิวคือ 50%โดยมวล หรือมากกว่า ที่ส่วนด้านนอกสุดของชั้นพื้นผิว และความหนาชั้นของชั้นพื้นผิวนั้นคือจาก 0.001 ถึง 0.25 ไมโครเมตร และที่ซึ่งชั้นสารละลายของแข็งของเงินและวัสดุโลหะซึ่งเป็นส่วนประกอบหลัก ของชั้นพื้นผิวได้รับการก่อรูปขึ้นมาระหว่างชั้นพื้นผิวและชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม 2. ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งชั้นสารละลายของแข็ง มีส่วนประกอบโลหะซึ่งก่อรูปเป็นชั้นพื้นผิวอย่างเป็นหลัก และส่วนประกอบโลหะมีการกระจาย ความเข้มข้นจากด้านของชั้นพื้นผิวถึงด้านของชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม 3. ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ที่ซึ่งการกระจายความ เข้มข้นของส่วนประกอบโลหะในชั้นสารละลายของแข็งนั้นสูงที่ด้านของชั้นพื้นผิวและต่ำที่ด้านของ ชั้นพื้นผิวและชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม 4. ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง ซับสเตรตนำไฟฟ้านั้นประกอบขึ้นมาด้วยทองแดง ทองแดงผสม อะลูมินัม หรืออะลูมินัมผสม 5. ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยชั้นกลางอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยโลหะหรือโลหะผสม ที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย นิกเกิล นิกเกิลผสม โคบอลต์ โคบอลต์ผสม ทองแดง และ ทองแดงผสม ระหว่างซับสเตรตนำไฟฟ้าและชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม 6. ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 5 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งชั้น ที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสมมีความหนา 0.2 ถึง 5.0 ไมโครเมตร 7. ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งชั้น พื้นผิวได้รับการก่อรูปขึ้นมาจากวัสดุที่สามารถก่อรูปสารละลายของแข็งได้กับเงินหรือเงินผสม ณ อุณหภูมิปกติ 8. ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งได้ เลือกโลหะหรือโลหะผสมของโลหะนั้นที่มีความต้านทานการกัดกร่อนของชั้นพื้นผิวที่ดีเลิศมาก กลุ่มที่ประกอบด้วยทองคำ ทองคำผสม อินเดียม อินเดียมผสม แพลเลเดียม แพลเดียมผสม ดีบุก และดีบุกผสม 9. วิธีการของการผลิดลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 8 ข้อ ใดข้อหนึ่ง ที่ประกอบรวมด้วย การก่อรูปชั้นพื้นผิวขึ้นมาบนพื้นผิวของชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงิน หรือเงินผสม และการกระทำการปฏิบัติด้วยความร้อนที่อุณหภูมิ 100 องศาเซลเซียสหรือมากกว่า และ ภายในช่วงอุณหภูมิที่ไม่มากกว่าอุณหภูมิที่สามารถก่อรูปสารละลายของแข็งของวัสดุเพื่อการก่อรูป ชั้นพื้นผิวกับเงินหรือเงินผสมได้ เพื่อการทำให้วัสดุเพื่อการก่อรูปชั้นนพื้นผิวแผ่กระจายไปสู่ภายในของ ชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสม 1 0. วิธีการของการผลิดลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 8 ข้อ ใดข้อหนึ่ง ที่ประกอบรวมด้วยการก่อรูปชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสมขึ้นมาโดยอาศัยการ ชุบผิวใช้ไฟฟ้า 1
1. วิธีการของการผลิดลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่ ประกอบรวมด้วยการก่อรูปชั้นที่ประกอบขึ้นมาด้วยเงินหรือเงินผสมและชั้นกลางขึ้นมาโดย อาศัยการชุบผิวใช้ไฟฟ้า 1
2. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสง ที่ซึ่งลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสงตามข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่ง ได้รับการจัดให้มีไว้ที่อย่างน้อยที่สุดหนึ่งที่ได้ติดตั้งชิ้นส่วนสารกึ่ง ตัวนำเชิงแสงลงบนนั้น
TH1101000869A 2009-12-24 ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสง วิธีการของการผลิตลีดเฟรมนั้น และอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสง TH59981B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH114866A true TH114866A (th) 2012-07-11
TH59981B TH59981B (th) 2018-01-11

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010104274A3 (en) Lead frame and method for manufacturing the same
EP1947215A3 (en) Method for forming a displacement tin alloy plated film, displacement tin alloy plating bath and method for maintaining a plating performance
JP6324085B2 (ja) 電気接点用貴金属被覆板材およびその製造方法
MY169953A (en) Copper metal film, method for producing same, copper metal pattern, conductive wiring line using the copper metal pattern, copper metal bump, heat conduction path, bonding material, and liquid composition
JP2013030755A5 (th)
JP2011023721A5 (th)
TW200802773A (en) Semiconductor devices and electrical parts manufacturing using metal coated wires
JP2018115361A5 (th)
CN104889592B (zh) 一种用于太阳能电池组件互连条上的焊料
GB2478892A (en) Doping of lead-free solder alloys and structures formed thereby
EP2738795A3 (en) Electronic device with a mounting substrate with a roughened mounting surface and method for producing the same
KR20180015651A (ko) 복합 재료를 제조하기 위한 방법
EP2879173A3 (en) Electroplated silver alloy bump for a semiconductor structure
JP2013539241A5 (th)
JP2014526807A5 (th)
JP2010265540A5 (th)
WO2017077903A1 (ja) リードフレーム材およびその製造方法
WO2019011456A1 (de) Optoelektronische vorrichtung mit auf einer rahmen-tragstruktur oberflächenmontiertem bauelement sowie reflektierendes verbundmaterial für eine derartige vorrichtung
SG132658A1 (en) Leadframe comprising tin plating or an intermetallic layer formed therefrom
CN102489894A (zh) 一种新型复合焊料
CN106653910A (zh) 一种光伏焊带及其制备方法
RU2012144439A (ru) Фотоэлектрический модуль со стабилизированным полимером
JP2018538571A5 (th)
TH114866A (th) ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสง วิธีการของการผลิตลีดเฟรมนั้น และอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสง
TH59981B (th) ลีดเฟรมสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสง วิธีการของการผลิตลีดเฟรมนั้น และอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำเชิงแสง