TH112987A - อุปกรณ์แรงดันเนื่องจากพลังแสงซึ่งมีฟิล์มสารกึ่งตัวนำเจือแมกนีเซียม - Google Patents

อุปกรณ์แรงดันเนื่องจากพลังแสงซึ่งมีฟิล์มสารกึ่งตัวนำเจือแมกนีเซียม

Info

Publication number
TH112987A
TH112987A TH901003350A TH0901003350A TH112987A TH 112987 A TH112987 A TH 112987A TH 901003350 A TH901003350 A TH 901003350A TH 0901003350 A TH0901003350 A TH 0901003350A TH 112987 A TH112987 A TH 112987A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
semiconductor film
doped semiconductor
semiconductor layer
devices containing
optical pressure
Prior art date
Application number
TH901003350A
Other languages
English (en)
Inventor
อีเกลแชม นายเดวิด
ซี เพาเวลล์ นายริค
กุปตา นายอัคเลช
Original Assignee
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางสาวสนธยา สังขพงศ์
เฟิร์สท โซลาร์
Filing date
Publication date
Application filed by นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางสาวสนธยา สังขพงศ์, เฟิร์สท โซลาร์ filed Critical นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
Publication of TH112987A publication Critical patent/TH112987A/th

Links

Abstract

DC60 (14/10/52) เซลล์แรงดันเนื่องจากพลังแสงอาจประกอบด้วยสารเจือปนที่มาสัมผัสกับชั้นสารกึ่งตัวนำ

Claims (3)

: DC60 (14/10/52) เซลล์แรงดันเนื่องจากพลังแสงอาจประกอบด้วยสารเจือปนที่มาสัมผัสกับชั้นสารกึ่งตัวนำ ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : แก้ไข 24/06/2558
1. เซลล์แรงดันเนื่องจากพลังแสงซึ่งประกอบรวมด้วย ชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใส และ ชั้นสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งซึ่งประกอบรวมด้วย CdS ที่มาสัมผัสกับชั้นที่เป็นตัวนำโปร่งใสทาง กายภาพโดยตรง, ชั้นสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งที่ถูกเจือสารด้วยแมกนีเซียม
2. เซลล์ของแรงดันเนื่องจากพลังแสงของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งมีความ หนาระหว่างประมาณ 200-3000 อังสตรอม
3. เซลล์ของแรงดันเนื่องจากพลังแสงของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ชั้นสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งถูก เจือสารด้วยแมกนีเซียม 1-20% แท็ก :
TH901003350A 2009-07-24 อุปกรณ์แรงดันเนื่องจากพลังแสงซึ่งมีฟิล์มสารกึ่งตัวนำเจือแมกนีเซียม TH112987A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH112987A true TH112987A (th) 2012-03-20

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2451966B1 (es) Aparato concentrador solar luminiscente, procedimiento y aplicaciones
WO2008156521A3 (en) Textured rear electrode structure for use in photovoltaic device such as cigs/cis solar cell
WO2011090706A3 (en) Hermetically sealed solar cells
TW201130148A (en) Solar battery cell, solar battery module, and solar battery system
WO2011121067A3 (en) Thin film photovoltaic device with enhanced light trapping scheme
MY162597A (en) Solar cell, method for manufacturing solar cell, and solar cell module
WO2008054542A3 (en) Hermetically sealed nonplanar solar cells
WO2010044847A3 (en) Nano-patterned active layers formed by nano-imprint lithography
WO2008093834A1 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
MX2012002156A (es) Oxido conductor transparente impurificado.
JP2013501967A5 (th)
WO2008096711A1 (ja) 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュール用波長変換型集光フィルム
TW200631171A (en) Photoelectric conversion device and manufacturing method of the same, and a semiconductor device
WO2009126010A3 (ko) 발광 소자
WO2009016581A3 (en) Light output device
WO2011151338A3 (fr) Composant photovoltaïque pour application sous flux solaire concentré
WO2013048006A8 (ko) 이중구조의 투명전도막 및 그 제조방법
WO2011029640A3 (en) Solar cell
TW200737535A (en) Photovoltaic power element, photovoltaic power module having the same and manufacturing method of photovoltaic power element
WO2009069544A1 (ja) シリコン系薄膜光電変換装置
KR20130056115A (ko) 태양전지 모듈
JP2009158288A5 (th)
TH112987A (th) อุปกรณ์แรงดันเนื่องจากพลังแสงซึ่งมีฟิล์มสารกึ่งตัวนำเจือแมกนีเซียม
JP2013143401A5 (ja) 太陽電池モジュール
TW200744199A (en) Novel nano-crystal device for image sensing