TH112105A - กระบวนการเพื่อการผลิตเซลล์สุริยะ - Google Patents

กระบวนการเพื่อการผลิตเซลล์สุริยะ

Info

Publication number
TH112105A
TH112105A TH901000238A TH0901000238A TH112105A TH 112105 A TH112105 A TH 112105A TH 901000238 A TH901000238 A TH 901000238A TH 0901000238 A TH0901000238 A TH 0901000238A TH 112105 A TH112105 A TH 112105A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
wafer
phosphorus
sawing
solar cells
page
Prior art date
Application number
TH901000238A
Other languages
English (en)
Inventor
รีวา มาร์เซลโล
Original Assignee
ซอลเวย์ ฟลูออร์ จีเอ็มบีเอช
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายบุญมา เตชะวณิช
Filing date
Publication date
Application filed by ซอลเวย์ ฟลูออร์ จีเอ็มบีเอช, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายบุญมา เตชะวณิช filed Critical ซอลเวย์ ฟลูออร์ จีเอ็มบีเอช
Publication of TH112105A publication Critical patent/TH112105A/th

Links

Abstract

------26/03/2562------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้าบทสรุปการประดิษฐ์ เซลล์สุริยะได้รับการผลิตขึ้นจากซิลิคอนแท่งแบบผลึกเดี่ยวหรือแบบหลายผลึกที่ได้รับการโดป (doped) ชนิด P โดยการเลื่อยเวเฟอร์และการใช้การโดปชนิด N เวเฟอร์สามารถที่จะได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นโดยการกัดขึ้นรอย โดยเฉพาะอย่างยิ่งในกระบวนการแบบอาศัยพลาสมาช่วยด้วยฟลูออริน คาร์บอนิลฟลูออไรด์ SF6 หรือ NF3 โดยการดำเนินการนี้ พื้นผิวได้รับการทำให้หยาบขึ้นเพื่อที่ว่าระดับของการสะท้อนแสงได้รับการทำให้ลดลง รอยแตกทีเกิดจากการเลื่อยได้รับการป้องกันจากการแพร่กระจาย และส่วนเคลือบออกไซด์ที่มีฟอสฟอรัสแบบคล้ายแก้วทีเกิดขึ้นการโดปด้วยฟอสฟอรัสได้รับการกำจัดออกไป ------------ DC60 (07/04/52) เซลล์สุริยะได้รับการผลิตขึ้นจากซิลิคอนแท่งแบบผลึกเดี่ยวหรือแบบผลึกที่มีการเจือ ชนิด P โดยการเลื่อยเวเฟอร์และการใช้การเจือชนิด N เวเฟอร์สามารถที่จะได้รับการปรับปรุงให้ดี ขึ้นโดยการกัดขึ้นรอย โดยเฉพาะอย่างยิ่งในกระบวนการแบบอาศัยพลาสมาช่วย ด้วยฟลูออรีน คาร์ บอนิลฟลูออไรด์ SF6 หรือ NF3 โดยการดำเนินการนี้ พื้นผิวได้รับการทำให้หยาบขึ้นเพื่อที่ว่า ระดับของการสะท้อนแสงได้รับการทำให้ลดลง รอยแตกที่เกิดจากการเลื่อยได้รับการป้องกันจากการ แพร่กระจาย และส่วนเคลือบออกไซด์ที่มีฟอสฟอรัสแบบคล้ายแก้วที่เกิดขึ้นการเจือฟอสฟอรัส ได้รับการกำจัดออกไป

Claims (3)

: ------26/03/2562------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้าบทสรุปการประดิษฐ์ เซลล์สุริยะได้รับการผลิตขึ้นจากซิลิคอนแท่งแบบผลึกเดี่ยวหรือแบบหลายผลึกที่ได้รับการโดป (doped) ชนิด P โดยการเลื่อยเวเฟอร์และการใช้การโดปชนิด N เวเฟอร์สามารถที่จะได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นโดยการกัดขึ้นรอย โดยเฉพาะอย่างยิ่งในกระบวนการแบบอาศัยพลาสมาช่วยด้วยฟลูออริน คาร์บอนิลฟลูออไรด์ SF6 หรือ NF3 โดยการดำเนินการนี้ พื้นผิวได้รับการทำให้หยาบขึ้นเพื่อที่ว่าระดับของการสะท้อนแสงได้รับการทำให้ลดลง รอยแตกทีเกิดจากการเลื่อยได้รับการป้องกันจากการแพร่กระจาย และส่วนเคลือบออกไซด์ที่มีฟอสฟอรัสแบบคล้ายแก้วทีเกิดขึ้นการโดปด้วยฟอสฟอรัสได้รับการกำจัดออกไป ------------ DC60 (07/04/52) เซลล์สุริยะได้รับการผลิตขึ้นจากซิลิคอนแท่งแบบผลึกเดี่ยวหรือแบบผลึกที่มีการเจือ ชนิด P โดยการเลื่อยเวเฟอร์และการใช้การเจือชนิด N เวเฟอร์สามารถที่จะได้รับการปรับปรุงให้ดี ขึ้นโดยการกัดขึ้นรอย โดยเฉพาะอย่างยิ่งในกระบวนการแบบอาศัยพลาสมาช่วย ด้วยฟลูออรีน คาร์ บอนิลฟลูออไรด์ SF6 หรือ NF3 โดยการดำเนินการนี้ พื้นผิวได้รับการทำให้หยาบขึ้นเพื่อที่ว่า ระดับของการสะท้อนแสงได้รับการทำให้ลดลง รอยแตกที่เกิดจากการเลื่อยได้รับการป้องกันจากการ แพร่กระจาย และส่วนเคลือบออกไซด์ที่มีฟอสฟอรัสแบบคล้ายแก้วที่เกิดขึ้นการเจือฟอสฟอรัส ได้รับการกำจัดออกไป ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : ------26/03/2562------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้าข้อถือสิทธิ
1. วิธีการเพื่อการผลิตเซลล์สุริยะจากซิลิคอนเวเฟอร์ ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของการกัดขึ้นรอยเวเฟอร์ที่ซึ่งพื้นผิวของเวเฟอร์จะได้รับการกัดขึ้นรอยเพื่อที่จะทำให้พื้นผิวหยาบขึ้นด้วยแก๊สเพื่อการกัดขึ้นรอยซึ่งประกอบด้วยฟลูออริน ในส่วนของผสมของไนโตรเจน ฮีเลียม และ/หรืออาร์กอน
2. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งเวเฟอร์แบบผลึกเดี่ยวได้รับการดำเนินกรรมวิธี
3. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ทีแท็ก :
TH901000238A 2009-01-21 กระบวนการเพื่อการผลิตเซลล์สุริยะ TH112105A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH112105A true TH112105A (th) 2012-02-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009092453A3 (en) Process for the manufacture of solar cells
WO2010012062A8 (en) Crystalline silicon pv cell with selective emitter produced with low temperature precision etch back and passivation process
EP2740149B1 (en) Method for forming patterns of differently doped regions
JP2011510501A5 (th)
TW201630203A (zh) 太陽電池之製造方法及太陽電池
US20200144441A1 (en) Method for manufacturing substrate for solar cell and substrate for solar cell
JP2013161847A (ja) 太陽電池
CN104480532B (zh) 一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法和制绒预处理硅片及其应用
JP6144778B2 (ja) 太陽電池の製造方法
Schmich et al. n‐Type emitter epitaxy for crystalline silicon thin‐film solar cells
WO2011032983A3 (en) Process for the manufacture of wafers for solar cells at ambient pressure
JP2013225619A (ja) 太陽電池用ウェーハの製造方法および太陽電池セルの製造方法
Hao et al. High efficiency solar cells on direct kerfless 156 mm mono crystalline Si wafers by high throughput epitaxial growth
CN103828064B (zh) 太阳能电池用晶片、太阳能电池用晶片的生产方法、太阳能电池的生产方法和太阳能电池模块的生产方法
TH112105A (th) กระบวนการเพื่อการผลิตเซลล์สุริยะ
Renevier et al. Lifetime degradation on n-type wafers with boron-diffused and SiO2/SiN-passivated surface
García-Tabarés et al. Impact of a metal–organic vapor phase epitaxy environment on silicon substrates for III–V-on-Si multijunction solar cells
JP5172993B2 (ja) テクスチャ構造の形成方法および太陽電池の製造方法
US12402434B2 (en) Solar cell and solar cell module
Beaucarne et al. Etching, texturing and surface decoupling for the next generation of Si solar cells
JP2011238846A (ja) 太陽電池セルの製造方法
Park et al. Effects of rapid thermal process on the junction properties of aluminum rear emitter solar cells
JP6092574B2 (ja) 太陽電池素子の製造方法
Janz et al. n-type and p-type silicon foils fabricated in a quasi-inline epi reactor with bulk lifetimes exceeding 500 µs
US10622495B2 (en) Method, process and fabrication technology for oxide layers