TH109852A - กระบวนการเคลือบฟิล์มบางไททาเนียมไนไตรด์ และไททาเนียมออกซิไนไตรด์บนแผ่นฐานรองด้วยเทคนิคสปัตเตอริงและการเผาในบรรยากาศปกติ - Google Patents
กระบวนการเคลือบฟิล์มบางไททาเนียมไนไตรด์ และไททาเนียมออกซิไนไตรด์บนแผ่นฐานรองด้วยเทคนิคสปัตเตอริงและการเผาในบรรยากาศปกติInfo
- Publication number
- TH109852A TH109852A TH701001915A TH0701001915A TH109852A TH 109852 A TH109852 A TH 109852A TH 701001915 A TH701001915 A TH 701001915A TH 0701001915 A TH0701001915 A TH 0701001915A TH 109852 A TH109852 A TH 109852A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- titanium
- film
- substrate
- sintering
- sputtering
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract 7
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 3
- 238000009501 film coating Methods 0.000 title claims 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 title claims 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract 7
- -1 titanium nitride compound Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (30/03/52) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับกระบวนการปลูกฟิล์มบางไททาเนียมไนไตรด์ และไททาเนียม ออกซิไนไตรด์บนแผ่นฐานรองด้วยเทคนิคสปัตเตอริงและการเผาในบรรยากาศปกติ ที่ ประกอบด้วยขั้นตอน การปลูกฟิล์มของโลหะไททาเนียมด้วยเทคนิคสปัตเตอริง บนแผ่นฐานรอง และการเผาแช่แผ่นฐานรองที่เคลือบฟิล์มไททาเนียมดังกล่าวในบรรยากาศปกติที่อุณหภูมิสูงในช่วง 300 - 600 องศาเซลเซียส ฟิล์มที่ได้จะมีโครงสร้างเป็นชั้นโลหะไททาเนียมเดิมติดกับแผ่นฐานรอง และด้านบนเคลือบด้วยฟิล์มของสารประกอบไททาเนียมไนไตรด์ หรือ ไททาเนียมออกซิไนไตรด์ โดยที่สัดส่วนของธาตุไททาเนียม ไนโตรเจน และออกซิเจนของฟิล์มชั้นบนนี้จะปรับได้ด้วยการ ควบคุมอุณหภูมิของการเผาแช่เป็นหลักเท่านั้น การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับกระบวนการปลูกฟิล์มบางไทเทเนียมไนไตรด์ และไทเทเนียม ออกซิไนไตรด์บนแผ่นฐานรองด้วยเทคนิคสปัตเตอริงและการเผาในบรรยากาศปกติ ที่ ประกอบด้วยขั้นตอน การปลูกฟิล์มของโลหะไทเทเนียมด้วยเทคนิคสปัตเตอริง บนแผ่นฐานรอง และการเผาแช่แผ่นฐานรองที่เคลือบฟิล์มไทเทเนียมดังกล่าวในบรรยากาศปกติที่อุณหภูมิสูงในช่วง 300 - 600 องศาเซลเซียส ฟิล์มที่ได้จะมีโครงสร้างเป็นชั้นโลหะะไทเทเนียมเดิมติดกับแผ่นฐานรอง และด้านบนเคลือบด้วยฟิล์มของสารประกอบไทเทเนียมไนไตรด์ หรือ ไทเทเนียมออกซิไนไตรด์ โดยที่สัดส่วนของธาตุไทเทเนียม ไนโตรเจน และออกซิเจนของฟิล์มชั้นบนนี้จะปรับได้ด้วยการ ควบคุมอุณหภูมิของการเผาแช่เป็นหลักเท่านั้น
Claims (2)
1. กระบวนการเคลือบฟิล์มบางไทเทเนียมไนไตรด์ และไทเทเนียมออกซิไนไตรด์บนแผ่นฐานรอง ด้วยเทคนิคสปัตเตอริงและการเผาในบรรยากาศปกติ ที่ประกอบด้วย -การไนไตรด์ด้วยทคนิคสปัตเตอริง บนแผ่นฐานรอง (substrate) ที่ ทำความสะอาดแล้ว -การเผาแช่แผ่นฐานรองที่เคลือบฟิล์มของไทเทเนียมดังกล่าว โดยมีลักษณะเฉพาะคือในขั้นตอนการเผาแช่ดังกล่าว กระทำในบรรยากาศปกติ ที่อุณหภูมิ สูงในช่วง300 - 600 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 0.5 ถึง 4 ชั่วโมง
2. กระบวนการเคลือบฟิล์มบางไทเทเนียมไนไตรด์ และไทเทเแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH109852A true TH109852A (th) | 2011-08-11 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Liang et al. | Structural and mechanical properties of multi-element (TiVCrZrHf) N coatings by reactive magnetron sputtering | |
| MX2012003610A (es) | Metodo de deposicion de pelicula delgada. | |
| WO2007040798A3 (en) | Method to improve transmittance of an encapsulating film | |
| EA200970668A1 (ru) | Способ нанесения тонкого слоя и полученный продукт | |
| ATE253533T1 (de) | Harte kratzfeste beschichtungen für substrate | |
| WO2006060466A3 (en) | Near single-crystalline, high-carrier-mobility silicon thin film on a polycrystalline/amorphous substrate | |
| TW200737400A (en) | Etch resistant wafer processing apparatus and method for producing the same | |
| FR2900417B1 (fr) | Film multicouche dur a base de carbone amorphe et element a surface dure ayant le film sur une surface | |
| TW200729343A (en) | Method for fabricating controlled stress silicon nitride films | |
| WO2006007077A3 (en) | Composition and method for low temperature chemical vapor deposition of silicon-containing films including silicon carbonitride and silicon oxycarbonitride films | |
| TW200501451A (en) | Growth of III-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers | |
| WO2012055737A3 (en) | Kesterite layer fabrication for thin film solar cells | |
| TW200746354A (en) | Multi-step anneal of thin films for film densification and improved gap-fill | |
| JP2008532260A5 (th) | ||
| WO2008102258A3 (en) | Substrate preparation for enhanced thin film fabrication from group iv semiconductor nanoparticles | |
| PL2074239T3 (pl) | Niskotemperaturowy sposób wytwarzania produktu pokrytego tlenkiem cynku | |
| RU2012148723A (ru) | Способ изготовления покрытого изделия, имеющего антибактериальное и/или противогрибковое покрытие, и конечный продукт | |
| CA2577304A1 (en) | Atmospheric pressure chemical vapor deposition | |
| MY159272A (en) | Silicon thin film solar cell having improved haze and methods of making the same | |
| RU2014152989A (ru) | Способ изготовления термически обработанного покрытого изделия с использованием покрытия на основе углерода и защитной пленки | |
| TWI372140B (en) | Method of producing transparent titanium oxide coatings having a rutile structure | |
| TH109852A (th) | กระบวนการเคลือบฟิล์มบางไททาเนียมไนไตรด์ และไททาเนียมออกซิไนไตรด์บนแผ่นฐานรองด้วยเทคนิคสปัตเตอริงและการเผาในบรรยากาศปกติ | |
| ATE489343T1 (de) | Dünnfilmbeschichtung und technologie zum zeitweiligen schutz, isolierverglasungseinheiten und dazugehörige verfahren | |
| JP2007258634A5 (th) | ||
| WO2009095380A8 (en) | Method for manufacturing heterostructures |