TH102041A - อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิก - Google Patents

อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิก

Info

Publication number
TH102041A
TH102041A TH901000093A TH0901000093A TH102041A TH 102041 A TH102041 A TH 102041A TH 901000093 A TH901000093 A TH 901000093A TH 0901000093 A TH0901000093 A TH 0901000093A TH 102041 A TH102041 A TH 102041A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
less
electrode layer
transparent electrode
layer
transparent
Prior art date
Application number
TH901000093A
Other languages
English (en)
Other versions
TH102041B (th
Inventor
ซาคาอิ นายซาโตชิ
อาซาฮาระ นายยูจิ
โคบายาชิ นายยาซูยูกิ
โมริ นายมาซาฟูมิ
สึรูกะ นายชิเกโนริ
ยามาชิตะ นายโนบูกิ
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายบุญมา เตชะวณิช
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายบุญมา เตชะวณิช, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH102041A publication Critical patent/TH102041A/th
Publication of TH102041B publication Critical patent/TH102041B/th

Links

Abstract

DC60 กระแสลัดวงจรของอุปกรณ์ไฟโตวอลเทอิกได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นโดยการทำให้มี ความเหมาะสมที่สุดสำหรับชั้นที่มีสภาพนำชนิดโปร่งใส อุปกรณ์ไฟโตวอลเทอิก 100 ซึ่ง ประกอบรวมด้วยชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่หนึ่ง 2, ชั้นก่อกำเนิดกำลังไฟฟ้า 3, ชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใส ที่สอง 6 และชั้นอิเล็กโทรดหลัง 4 บนซับสเทรท 1 โดยที่ความหนาฟิล์มของชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใส ที่สอง 6 ไม่น้อยกว่า 80 นาโนเมตรและไม่มากกว่า 100 นาโนเมตร และความดูดกลืนแสงสำหรับชั้น อิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 ในย่านความยาวคลื่นจากไม่น้อยกว่า 600 นาโนเมตรถึงไม่มากกว่า 1,000 นาโนเมตรนี้้ไม่มากกว่า 1.5 เปอร์เซ็นต์ เช่นเดียวกันนั้น อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิก 100 ที่ซึ่งความหนา ฟิล์มของชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 ไม่น้อยกว่า 80 นาโนเมตรและไม่มากกว่า 100 นาโนเมตร และความสะท้อนสำหรับแสงสะท้อนที่ชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 และชั้นอิเล็กโทรดหลัง 4 นี้ไม่ น้อยกว่า 91 เปอร์เซ็นต์ในย่านความยาวคลื่นจากไม่น้อยกว่า 600 นาโนเมตรถึงไม่มากกว่า 1,000 นาโนเมตร

Claims (1)

  1. : DC60 กระแสลัดวงจรของอุปกรณ์ไฟโตวอลเทอิกได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นโดยการทำให้มี ความเหมาะสมที่สุดสำหรับชั้นที่มีสภาพนำชนิดโปร่งใส อุปกรณ์ไฟโตวอลเทอิก 100 ซึ่ง ประกอบรวมด้วยชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่หนึ่ง 2, ชั้นก่อกำเนิดกำลังไฟฟ้า 3, ชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใส ที่สอง 6 และชั้นอิเล็กโทรดหลัง 4 บนซับสเทรท 1 โดยที่ความหนาฟิล์มของชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใส ที่สอง 6 ไม่น้อยกว่า 80 นาโนเมตรและไม่มากกว่า 100 นาโนเมตร และความดูดกลืนแสงสำหรับชั้น อิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 ในย่านความยาวคลื่นจากไม่น้อยกว่า 600 นาโนเมตรถึงไม่มากกว่า 1,000 นาโนเมตรนี้้ไม่มากกว่า 1.5 เปอร์เซ็นต์ เช่นเดียวกันนั้น อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิก 100 ที่ซึ่งความหนา ฟิล์มของชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 ไม่น้อยกว่า 80 นาโนเมตรและไม่มากกว่า 100 นาโนเมตร และความสะท้อนสำหรับแสงสะท้อนที่ชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 และชั้นอิเล็กโทรดหลัง 4 นี้ไม่ น้อยกว่า 91 เปอร์เซ็นต์ในย่านความยาวคลื่นจากไม่น้อยกว่า 600 นาโนเมตรถึงไม่มากกว่า 1,000 นาโนเมตร ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : แท็ก :
TH901000093A 2009-01-12 อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิก TH102041B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH102041A true TH102041A (th) 2010-06-25
TH102041B TH102041B (th) 2010-06-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008096711A1 (ja) 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュール用波長変換型集光フィルム
WO2010132401A3 (en) Integrated solar cell nanoarray layers and light concentrating device
WO2009057698A1 (ja) 薄膜光電変換装置
EP2365546A3 (en) Light emitting device and light emitting device package
WO2009069582A1 (ja) Cis系太陽電池の積層構造、cis系薄膜太陽電池の集積構造及び製造方法
EP2590223A3 (en) Solar cell
WO2009072592A1 (ja) 集積型薄膜光電変換装置とその製造方法
WO2012154803A3 (en) Photovoltaic module
JP2013501967A5 (th)
WO2010044847A3 (en) Nano-patterned active layers formed by nano-imprint lithography
WO2007065039A3 (en) Nanocrystal solar cells processed from solution
JP2014503127A5 (th)
JP2009283854A5 (th)
US20210408304A1 (en) Thin-film photovoltaic cell with high photoelectric conversion rate and preparation process thereof
WO2012123645A9 (en) Thin film photovoltaic cell structure, nanoantenna, and method for manufacturing
WO2009119161A3 (en) Solar cell and method for manufacturing metal electrode layer to be used in the solar cell
TWI531079B (zh) 太陽能電池及其製作方法
JP2009158288A5 (th)
WO2010141145A3 (en) Pseudo-periodic structure for use in thin film solar cells
Kettle et al. Low-temperature thermal nanoimprint lithography of anti-reflective structures for flexible low band gap organic solar cells
KR20110071660A (ko) 투명전극 및 그를 이용한 광 소자
TW201519573A (zh) 具多重擷取光源發電之疊組整合式發電裝置
TH102041A (th) อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิก
WO2012099816A3 (en) Photovoltaic devices and methods of forming the same
US20180366605A1 (en) Solar power sunroof device having low reflectance and manufacturing method thereof