SU995260A1

SU995260A1 - High-frequency generator

Info

Publication number: SU995260A1
Application number: SU803220384A
Authority: SU
Inventors: Юрий Иванович Китаев
Original assignee: Воронежский Ордена Ленина Государственный Университет Им.Ленинского Комсомола
Priority date: 1980-12-15
Filing date: 1980-12-15
Publication date: 1983-02-07

Description

Изобретение относитс к адиотех-, нике и может быть использовано дл получени высокочастотных гармонических колебаний.The invention relates to an adiotech, nickname and can be used to produce high frequency harmonic oscillations.

Известен высокочастотный генератор , содержащий дифференциальный усилитель-ограничитель, два св занных с ним транзисторных усилительных каскада и последовательный колебательньЁй контур, подключаекий к зкюттерам транзисторов усилител Cl.3Недостатком этого высокочастотного генератора вл етс низка стабильность частоты, обусловленна набегом фазы в последовательно вклю-г ченных усилительных каскадах.A high-frequency generator is known, containing a differential limiting amplifier, two transistor amplifier stages connected with it, and a series oscillator circuit connected to the transistors of amplifier Cl.3. The disadvantage of this high-frequency generator is the low frequency stability caused by the phase shift in the sequentially switched amplifiers cascades.

Наиболее близким к предлагаемсму по технической сущности вл етс высокочастотный генератор, содержащий первый и второй двухзатворные полевые транзисторы, между стоками котоЕ ах включен параллельный LC-кон--тур , а истоки которых через соответствующие | езисторы подключены к общей шине, два диода, ка улаЛ из которых включен между стоком одного и одним из затворов другого двухзатворного полевого транзистора 23..The closest to the proposed technical essence is a high-frequency oscillator containing the first and second two-gate field-effect transistors, between the sinks of which the parallel LC circuit is switched on, and whose sources through the corresponding | The resistors are connected to a common bus, two diodes, each of which is connected between the drain of one and one of the gates of the other two-gate field-effect transistor 23.

Однако известный высокочастотный генератор также имеет невысокую ста-бильность частоты вследствие шунтировани параллельного контура выход ным .сопротивлением первого и второго f двухзаз ворных полевых транзисторов.However, the well-known high-frequency generator also has a low frequency stability due to the parallel circuit bypassing the output resistance of the first and second f duplex field-effect transistors.

Цель изобретени - повышение стабильности частоты колебаний.The purpose of the invention is to increase the stability of the oscillation frequency.

Дл достижени указанной цели в высокочастотном, генераторе, содержащем первый и второй двухзатворные полевые транзисторыг между стокгши включен параллельный LC-контур , а истоки которых через соответствунхоие резисторы подключены к общей {Нине, два диода, каждый из которых включен между стоксм одного и одним из затворов другого -двукзатвррного полевого транзистора, между истоками первого и второго двухзатворных полевых транзисторов включен последовательный ЛС-контур, при этом другие затворы и подложки первого и второго дву$затвориых полевых транзисторов объединены и подключены к общей шине.To achieve this goal, a high-frequency generator containing the first and second two-gate field effect transistors between the parallel circuit includes a parallel LC circuit, and the sources through which corresponding resistors are connected to a common {Nin, two diodes, each of which is connected between one hundred and one of the gates the other two-field-effect field-effect transistor, between the sources of the first and second two-gate field-effect transistors, a series LS circuit is switched on, while the other gates and substrates of the first and second two $ gate s field effect transistors integrated and connected to a common bus.

На чертеже представлена принципиальна электрическа схема предла-, гаемого высокочастотного генератора.The drawing shows a circuit diagram of the proposed high-frequency generator.

Высокочастотный генератор содержит первый двухзатворнь1й полевой .транзистор 1, второй двухзатворныйThe high-frequency generator contains the first two-gate field-effect transistor 1, the second two-gate

полевой транзистор 2, параллельный LC-контур 3, два щиода 4 и 5, последовательный LC-контур 6 и резисторы 7 и 8.A field-effect transistor 2, parallel to the LC-circuit 3, two schiodes 4 and 5, serial LC-circuit 6 and resistors 7 and 8.

Принцип работы высокочастотного генератора основан на двойном управлении тока в цепи стоков первого и второго двухзатворных полевых транзисторов 1 и 2 потенцисшами их затворов . При этом BTop:ie затворы первого и второго двухзатворных полевых транзисторов 1 и 2 св заны со стоками и паралледьньм LС-контуром 3 цепью положительной обратной св зи, содержащей два диода 4 и 5. Эта цепь обеспечивает самовозбуждение высокочастотного генератора. Действие последовательного LC-контура при совпадении его частоты настройки с частотой настройки параллельного LC-контура 3 практически не прю вл етс , поскольку в этом случае падение напр жени на нем близко к улю. Однако при наличии расстройки на последовательном LC-контуре выдел етс напр жение, которое оказываетс приложеннь2м между первыми затворами и нстоками первого и второго,двухзатворных полевых транзисторов 1 и 2. Указанное падение напр жени вызывает дополнительную модул цию тока первого и второго двухзатворных полевых транзисторов 1 и 2, причем фаза этой модул ции таКова, что преп тствует отклонению частоты колебаний от частоты настройки последовательного LC-контура б. При этом последовательный LC-контур б экранирован от параллельного LC-KOHT№a 3 общей подложкой и заземленными первыми затворами первого и второго . двухзатворных полевых транзисторовThe principle of operation of the high-frequency generator is based on the double current control in the drain circuit of the first and second two-gate field-effect transistors 1 and 2 of their gate potentials. At the same time, the BTop: i.e., the gates of the first and second double gate FETs 1 and 2 are connected to the drains and the parallel LC circuit 3 by a positive feedback circuit containing two diodes 4 and 5. This circuit provides self-excitation of the high-frequency generator. The action of a serial LC circuit when its tuning frequency coincides with the tuning frequency of a parallel LC circuit 3 is almost negligible, since in this case the voltage drop across it is close to the hive. However, if there is a detuning on the series LC circuit, there is a voltage that is applied between the first gates and the first and second two-gate field-effect transistors 1 and 2. This voltage drop causes an additional modulation of the current of the first and second two-gate field-effect transistors 1 and 2, with the phase of this modulation being similar, which prevents the oscillation frequency from deviating from the tuning frequency of the sequential LC circuit b. In this case, the serial LC-circuit b is shielded from a parallel LC-KOHT№a 3 common substrate and grounded first gates of the first and second. two gate field effect transistors

1 и 2, что обеспечивает повышение крутизны результирующей фазочастотной характеристики двухконтурной колебательной системы.1 and 2, which provides an increase in the steepness of the resulting phase-frequency characteristics of the dual-circuit oscillatory system.

Таким образом, предлагаемый высокочастотный генератор характеризуетс высокой стабильностью частоты генерируемых колебаний, что исключает необходимость применени сложных и дорогосто щих устройств стабилизации и фильтрации выходного сигнала.Thus, the proposed high-frequency oscillator is characterized by a high frequency stability of the generated oscillations, which eliminates the need to use complex and expensive devices for stabilizing and filtering the output signal.

Claims

1. US patent 3996530, cl. 331-116 R, 1975..

2. Patent SZOA 4063193, cl. 331-117 R, 1976 (prototype).