SU1429280A1 - Generator - Google Patents
Generator Download PDFInfo
- Publication number
- SU1429280A1 SU1429280A1 SU864136832A SU4136832A SU1429280A1 SU 1429280 A1 SU1429280 A1 SU 1429280A1 SU 864136832 A SU864136832 A SU 864136832A SU 4136832 A SU4136832 A SU 4136832A SU 1429280 A1 SU1429280 A1 SU 1429280A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- slots
- slot
- short
- metal plate
- longitudinal axis
- Prior art date
Links
Abstract
Изобретение относитс к радиотехнике СВЧ и обеспечивает повышение стабильности и увеличение вькодной мощности, а также увеличение линейности перестройки частоты. Генератор представл ет собой короткозамкнутый отрезок пр моугольного волновода (ОПВ), в Е-Ш10СКОСТИ которого расположена металлическа пластина (МП) 2. В МП 2 вьшолнены щель 3 в виде конуса , сужанлдегос к короткозамкнутому концу ОПВ, и три щели 4,5,6, расположенные между короткозамкнутым концом ОПВ и щелью 2 параллельно между собой , перпендикул рна щели 3 и симметрично относительно ее продольной оси. Щели 5, 6 соединены между собой щелью 7. Между щел ми 4, 5 на Ш 2 расположены два полевых транзистора (ПТ), включенных противофазно и выполненных на одном кристалле 8 с объединенным истоком, подключенным непосредственно к МП 2. Другие электроды ПТ подключены через конденсаторы 9-12. На конденсаторах 10, 12 расположены варикапы 13, 14, включенные встречно- последовательно. Смещение на них подаетс через цепь питани 16. При подаче смещени на ПТ через цепи питани 15 в резонансной системе возбуждаютс СВЧ-колебани , частота которых определ етс параметрами кристалла 8, ПТ и параметрами резонансной системы, образованной щел ми 3-7. СВЧ-мощность выводитс через щель 3. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. .4г Uf tV/ § (Л 4: to со кэ оо ffm iin Ci flThe invention relates to microwave radio technology and provides increased stability and increase in output power, as well as an increase in frequency tuning linearity. The generator is a short-circuited segment of a rectangular waveguide (OPV), in the E-1010 of which a metal plate (MP) 2 is located. In MP 2, slot 3 is made in the form of a cone, similar to the short-circuited end of the OPV, and three slots 4,5,6 located between the short-circuited end of the OPV and the slit 2 parallel to each other, perpendicular to the slit 3 and symmetrically about its longitudinal axis. Slots 5, 6 are interconnected by a gap 7. Between slots 4, 5 on W 2 there are two field-effect transistors (PT) connected in antiphase and made on the same chip 8 with a combined source connected directly to MP 2. Other PT electrodes are connected through capacitors 9-12. On the capacitors 10, 12 are varicaps 13, 14, connected in series with each other. The bias is fed to them through the power supply circuit 16. When the bias is supplied to the PT, the power supply circuits 15 in the resonant system excite microwave oscillations, the frequency of which is determined by the parameters of the crystal 8, the PT and the parameters of the resonant system formed by gaps 3-7. The microwave power is output through slot 3. 1 c.p. f-ly, 2 ill. .4g Uf tV / § (L 4: to so ko oo ffm iin Ci fl
Description
Изобретение относитс к радиоэлек- тр|знике СВЧ и может быть использовано; дл генерировани колебаний.This invention relates to a microwave radio and can be used; to generate vibrations.
: Цель изобрететм - повышение ста- бильности, увеличение вькодной мощности и линейности перестройки частоты . : The goal of the invention is to increase the stability, increase the output power and frequency tuning linearity.
На фиг.1 изображена конструкци . ; гедаератора; на фиг.2 - разрез А-А на ФИГ.1.Figure 1 shows the structure. ; hegaerator; figure 2 - section aa in FIG.1.
I Генератор содержит короткозамкну- от|резок 1 пр моугольного волновода, в 1Е-Ш10СКОСТИ которого расположена металлическа пластина 2, в которой выполнены взаимно перпендикул рно , перва 3 и втора А щели, щель 4 сим- мфтрична относительно продольной оси щфли 3. Параллельно щели 4 выполнены треть 5 и четверта 6 щели симмет- рфчные относительно продольной оси 3 и расположенные между щелью 3 и1короткозамкнутой стенкой отрезка 1, и| соединенные п той щелью.7, продоль- н1а ось которой совпадает с осью ще- да 3.. .I The generator contains a short-cut from | a cutting edge 1 of a rectangular waveguide, in 1E-SH10SCOST of which a metal plate 2 is located, in which mutually perpendicular, first 3 and second A slits are made, the slit 4 is symmetric about the longitudinal axis of the slider 3. Parallel slits 4 the third 5 and the fourth 6 slots are symmetrical with respect to the longitudinal axis 3 and located between the slit 3 and 1 of the short-closed wall of segment 1, and | connected by a fifth slit. 7, the longitudinal axis of which coincides with the axis of slot 3 ...
: Первый и второй полевые транзнсто- pfci выполнены на одном кристалле.8с dбьeдинeнным истоком, установленном между щел ми 4 и 5. на пластине 2. : The first and second field transitions of pfci are made on a single crystal. With a d-shaped source installed between slots 4 and 5. on plate 2.
Сток первого транзистора соединен через первый конденсатор 9 с пластиной 2 в месте соединени щелей 3 и 4 фатвор первого транзистора соединен ijiepeB второй конденсатор 10, располо- Ценный между щел ми 5 и 6. ; Сток и затвор второго транзистора соединены с пластиной 2 через соот- 1ветственно третий 11 и четвертый 12 конденсаторы, расположенные симмет- рично конденсаторам 9 и 10 относи-, тельно продольной оси щели 3. На конденсаторах 10 и 12 расположены соответственно первый 13 и второй 14 варикапы , включенные между собой встречно-последовательно. Цепи 15 питани обеспечивают подачу на транзисторы смещени , а цепи 16 питани обеспечивают подачу смещени на варикапы 13 и 14.The drain of the first transistor is connected via the first capacitor 9 to the plate 2 at the junction of the slots 3 and 4; the first transistor is connected to the first transistor ijiepeB the second capacitor 10, located between slots 5 and 6.; The drain and the gate of the second transistor are connected to the plate 2 through respectively the third 11 and fourth 12 capacitors located symmetrically with the capacitors 9 and 10 relative to the longitudinal axis of the slot 3. The first 13 and second 14 varicaps are located on the capacitors 10 and 12 interconnected counter-sequentially. The supply circuits 15 supply the bias to the transistors, and the supply circuits 16 supply the bias to the varicaps 13 and 14.
Генератор работает следующим образом .The generator works as follows.
Через цепи 15 питани на первый и второй полевые транзисторы подаетс напр жение смещени , в результате чего в резонансной системе возбузкдаютс СВЧ-колебани , частота которых опре- дел етс параметрами кристалла 8 транзисторов и параметрами резонансной CHCTeN5)i, образованной щел ми 3-7 Щель 3 служит выводом СВЧ-мощности.Through the power supply circuit 15, the first and second field-effect transistors are applied to the bias voltage, which results in microwave oscillations in the resonant system, whose frequency is determined by the parameters of the crystal 8 of the transistors and the parameters of the resonant CHCTeN5) i formed by slots 3-7 Gap 3 serves as a microwave power output.
Выполнение транзисторов на одном кристалле 8 и их противофазное включение по отношению друг к другу позвол ют снизить высокочастотные составл ющие шумов., что улучшает спектр вьпсодного сигнала и тем самым повышает кратковременную стабильность,The implementation of transistors on a single chip 8 and their antiphase inclusion with respect to each other allows to reduce the high-frequency components of the noise, which improves the spectrum of the high-frequency signal and thereby increases the short-term stability
Встречно-последовательное включение варикапов 13 и 14 компенсирует нелинейный характер зависимости емкости при перестройке в диапазоне частот, что способствует снижению побочных составл кщих спектра гене- . рируемого сигнала.The successive switching on of the varicaps 13 and 14 compensates for the non-linear character of the dependence of the capacitance during the tuning in the frequency range, which helps to reduce the side components of the gene- spectrum. signal.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864136832A SU1429280A1 (en) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | Generator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864136832A SU1429280A1 (en) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | Generator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1429280A1 true SU1429280A1 (en) | 1988-10-07 |
Family
ID=21263653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864136832A SU1429280A1 (en) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | Generator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1429280A1 (en) |
-
1986
- 1986-10-20 SU SU864136832A patent/SU1429280A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент FR №.2502865, кп. Н 03 В 7/06, 1982. 13 European Microwave Conf., Microwave 83, Numberg, 1983, p. 306-308, * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4734591A (en) | Frequency doubler | |
KR100423502B1 (en) | Voltage controlled oscillator using an LC resonator and a differential amplifier | |
US4713632A (en) | Band reflection type FET dielectric resonator oscillator | |
JPS6248925B2 (en) | ||
US4783638A (en) | Frequency doubling oscillator working at ultra-high frequencies | |
US4376918A (en) | Overtone crystal oscillating circuit | |
US4539530A (en) | Transistorized microwave oscillator of oscillation frequency multiplying type | |
JPS62252206A (en) | Frequency multiplying voltage control oscillator | |
SU1429280A1 (en) | Generator | |
US4736168A (en) | Dielectric resonator controlled oscillator having a raised frequency multiplying efficiency | |
US4122414A (en) | CMOS negative resistance oscillator | |
SU1480086A1 (en) | Microwave oscillator | |
US6172577B1 (en) | Oscillator and oscillation apparatus using the oscillator | |
RU2068616C1 (en) | Low-noise microwave oscillator | |
RU2239938C1 (en) | Microwave transistor oscillator | |
SU1543532A1 (en) | Generator | |
US4600898A (en) | One-pin crystal oscillator | |
RU2727277C1 (en) | Transistor microwave generator with electronic frequency tuning | |
SU1197039A1 (en) | Self-excited crystal oscillator | |
SU1415404A1 (en) | Generator | |
SU1513613A1 (en) | Frequency divider | |
SU1312716A1 (en) | Generator | |
SU1478293A1 (en) | Amplifier | |
SU1425803A1 (en) | Generator | |
SU1672548A1 (en) | Quartz self-excited oscillator |