SU1429280A1 - Generator - Google Patents

Generator Download PDF

Info

Publication number
SU1429280A1
SU1429280A1 SU864136832A SU4136832A SU1429280A1 SU 1429280 A1 SU1429280 A1 SU 1429280A1 SU 864136832 A SU864136832 A SU 864136832A SU 4136832 A SU4136832 A SU 4136832A SU 1429280 A1 SU1429280 A1 SU 1429280A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
slots
slot
short
metal plate
longitudinal axis
Prior art date
Application number
SU864136832A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Сергей Федорович Каштанов
Григорий Николаевич Шеламов
Владимир Янович Ваксенбург
Александр Михайлович Лерер
Леонид Данилович Огарь
Original Assignee
Киевский Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Киевский Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции filed Critical Киевский Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции
Priority to SU864136832A priority Critical patent/SU1429280A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1429280A1 publication Critical patent/SU1429280A1/en

Links

Abstract

Изобретение относитс  к радиотехнике СВЧ и обеспечивает повышение стабильности и увеличение вькодной мощности, а также увеличение линейности перестройки частоты. Генератор представл ет собой короткозамкнутый отрезок пр моугольного волновода (ОПВ), в Е-Ш10СКОСТИ которого расположена металлическа  пластина (МП) 2. В МП 2 вьшолнены щель 3 в виде конуса , сужанлдегос  к короткозамкнутому концу ОПВ, и три щели 4,5,6, расположенные между короткозамкнутым концом ОПВ и щелью 2 параллельно между собой , перпендикул рна щели 3 и симметрично относительно ее продольной оси. Щели 5, 6 соединены между собой щелью 7. Между щел ми 4, 5 на Ш 2 расположены два полевых транзистора (ПТ), включенных противофазно и выполненных на одном кристалле 8 с объединенным истоком, подключенным непосредственно к МП 2. Другие электроды ПТ подключены через конденсаторы 9-12. На конденсаторах 10, 12 расположены варикапы 13, 14, включенные встречно- последовательно. Смещение на них подаетс  через цепь питани  16. При подаче смещени  на ПТ через цепи питани  15 в резонансной системе возбуждаютс  СВЧ-колебани , частота которых определ етс  параметрами кристалла 8, ПТ и параметрами резонансной системы, образованной щел ми 3-7. СВЧ-мощность выводитс  через щель 3. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. .4г Uf tV/ § (Л 4: to со кэ оо ffm iin Ci flThe invention relates to microwave radio technology and provides increased stability and increase in output power, as well as an increase in frequency tuning linearity. The generator is a short-circuited segment of a rectangular waveguide (OPV), in the E-1010 of which a metal plate (MP) 2 is located. In MP 2, slot 3 is made in the form of a cone, similar to the short-circuited end of the OPV, and three slots 4,5,6 located between the short-circuited end of the OPV and the slit 2 parallel to each other, perpendicular to the slit 3 and symmetrically about its longitudinal axis. Slots 5, 6 are interconnected by a gap 7. Between slots 4, 5 on W 2 there are two field-effect transistors (PT) connected in antiphase and made on the same chip 8 with a combined source connected directly to MP 2. Other PT electrodes are connected through capacitors 9-12. On the capacitors 10, 12 are varicaps 13, 14, connected in series with each other. The bias is fed to them through the power supply circuit 16. When the bias is supplied to the PT, the power supply circuits 15 in the resonant system excite microwave oscillations, the frequency of which is determined by the parameters of the crystal 8, the PT and the parameters of the resonant system formed by gaps 3-7. The microwave power is output through slot 3. 1 c.p. f-ly, 2 ill. .4g Uf tV / § (L 4: to so ko oo ffm iin Ci fl

Description

Изобретение относитс  к радиоэлек- тр|знике СВЧ и может быть использовано; дл  генерировани  колебаний.This invention relates to a microwave radio and can be used; to generate vibrations.

: Цель изобрететм - повышение ста- бильности, увеличение вькодной мощности и линейности перестройки частоты . : The goal of the invention is to increase the stability, increase the output power and frequency tuning linearity.

На фиг.1 изображена конструкци  . ; гедаератора; на фиг.2 - разрез А-А на ФИГ.1.Figure 1 shows the structure. ; hegaerator; figure 2 - section aa in FIG.1.

I Генератор содержит короткозамкну- от|резок 1 пр моугольного волновода, в 1Е-Ш10СКОСТИ которого расположена металлическа  пластина 2, в которой выполнены взаимно перпендикул рно , перва  3 и втора  А щели, щель 4 сим- мфтрична относительно продольной оси щфли 3. Параллельно щели 4 выполнены треть  5 и четверта  6 щели симмет- рфчные относительно продольной оси 3 и расположенные между щелью 3 и1короткозамкнутой стенкой отрезка 1, и| соединенные п той щелью.7, продоль- н1а  ось которой совпадает с осью ще- да 3.. .I The generator contains a short-cut from | a cutting edge 1 of a rectangular waveguide, in 1E-SH10SCOST of which a metal plate 2 is located, in which mutually perpendicular, first 3 and second A slits are made, the slit 4 is symmetric about the longitudinal axis of the slider 3. Parallel slits 4 the third 5 and the fourth 6 slots are symmetrical with respect to the longitudinal axis 3 and located between the slit 3 and 1 of the short-closed wall of segment 1, and | connected by a fifth slit. 7, the longitudinal axis of which coincides with the axis of slot 3 ...

: Первый и второй полевые транзнсто- pfci выполнены на одном кристалле.8с dбьeдинeнным истоком, установленном между щел ми 4 и 5. на пластине 2. : The first and second field transitions of pfci are made on a single crystal. With a d-shaped source installed between slots 4 and 5. on plate 2.

Сток первого транзистора соединен через первый конденсатор 9 с пластиной 2 в месте соединени  щелей 3 и 4 фатвор первого транзистора соединен ijiepeB второй конденсатор 10, располо- Ценный между щел ми 5 и 6. ; Сток и затвор второго транзистора соединены с пластиной 2 через соот- 1ветственно третий 11 и четвертый 12 конденсаторы, расположенные симмет- рично конденсаторам 9 и 10 относи-, тельно продольной оси щели 3. На конденсаторах 10 и 12 расположены соответственно первый 13 и второй 14 варикапы , включенные между собой встречно-последовательно. Цепи 15 питани  обеспечивают подачу на транзисторы смещени , а цепи 16 питани  обеспечивают подачу смещени  на варикапы 13 и 14.The drain of the first transistor is connected via the first capacitor 9 to the plate 2 at the junction of the slots 3 and 4; the first transistor is connected to the first transistor ijiepeB the second capacitor 10, located between slots 5 and 6.; The drain and the gate of the second transistor are connected to the plate 2 through respectively the third 11 and fourth 12 capacitors located symmetrically with the capacitors 9 and 10 relative to the longitudinal axis of the slot 3. The first 13 and second 14 varicaps are located on the capacitors 10 and 12 interconnected counter-sequentially. The supply circuits 15 supply the bias to the transistors, and the supply circuits 16 supply the bias to the varicaps 13 and 14.

Генератор работает следующим образом .The generator works as follows.

Через цепи 15 питани  на первый и второй полевые транзисторы подаетс  напр жение смещени , в результате чего в резонансной системе возбузкдаютс СВЧ-колебани , частота которых опре- дел етс  параметрами кристалла 8 транзисторов и параметрами резонансной CHCTeN5)i, образованной щел ми 3-7 Щель 3 служит выводом СВЧ-мощности.Through the power supply circuit 15, the first and second field-effect transistors are applied to the bias voltage, which results in microwave oscillations in the resonant system, whose frequency is determined by the parameters of the crystal 8 of the transistors and the parameters of the resonant CHCTeN5) i formed by slots 3-7 Gap 3 serves as a microwave power output.

Выполнение транзисторов на одном кристалле 8 и их противофазное включение по отношению друг к другу позвол ют снизить высокочастотные составл ющие шумов., что улучшает спектр вьпсодного сигнала и тем самым повышает кратковременную стабильность,The implementation of transistors on a single chip 8 and their antiphase inclusion with respect to each other allows to reduce the high-frequency components of the noise, which improves the spectrum of the high-frequency signal and thereby increases the short-term stability

Встречно-последовательное включение варикапов 13 и 14 компенсирует нелинейный характер зависимости емкости при перестройке в диапазоне частот, что способствует снижению побочных составл кщих спектра гене- . рируемого сигнала.The successive switching on of the varicaps 13 and 14 compensates for the non-linear character of the dependence of the capacitance during the tuning in the frequency range, which helps to reduce the side components of the gene- spectrum. signal.

Claims (2)

1. Генератор, содержалщй коротко-: замкнутый отрезок пр моугольного волновода , между широкими стенками которого в Е-Ш1ОСКОСТИ расположена металлическа  пластина, в которой взаимно перпендикул рно выполнены перва  и втора  щели, соединенные между собой при этом перва  щель выполнена в виде конуса, сужак цёгос  к короткозамк нутому концу отрезка пр моугольного волноводаj а втора  щель симметрична относительно продольной оси первой щели, первый полевой транзистор, исток которого соединен непосредственно с металлической пластиной, а сток соединен через первьй конденсатор с металлической пластиной в месте соединени  -первой и второй щелей, затвор соединен с металлической пластиной через второй конденсатор, о т - лнчающийс  тем, что, с целью повышени  стабильности и увеличени  выходной мощности, в металли-- ческой пластине выполнены треть  и четверта  щели, параллельные второй щели, размещенные между ней и короткозамкнутой стенкой отрезка пр моугольного волновода и соединенные п той щелью, продольна  ось которой совпадает с продольной осью первой щели и перпендикул рна продольным ос м третьей и четвертой щелей, при этом между второй и третьей щел ми установлены первый и введенный второй полевой транзисторы, причем первый и второй полевые транзисторы выполнены .на одном кристалле с объединенным истоком, второй конденсатор расположен между третьей и четвертой1. A generator containing a short-: closed segment of a rectangular waveguide, between the wide walls of which in E-S1OSCOSTI there is a metal plate, in which the first and second slots are mutually perpendicular, interconnected with each other in the first slot in the form of a cone, suzhak tsegos to the short-circuited end of a segment of a rectangular waveguide and the second slot is symmetrical about the longitudinal axis of the first slot, the first field-effect transistor, the source of which is connected directly to the metal plate, and st is connected via a first capacitor with a metal plate at the junction of the first and second slots, the shutter is connected to a metal plate through a second capacitor, which is made in order to increase stability and increase output power third and fourth slits parallel to the second slit, placed between it and the short-circuited wall of a segment of a rectangular waveguide and connected by a fifth slit, the longitudinal axis of which coincides with the longitudinal axis of the first slit and the perpendicular to the longitudinal axes of the third and fourth slits, while between the second and third slots are set the first and second field effect transistors are inserted, the first and second field effect transistors are .na single chip with a combined source, a second capacitor is located between the third and fourth 3 .Ц3 .C щел ми по одну сторону от продольной оси первой щели, сток второго транзистора через введенный третий конденсатор соединен с металлической пластиной в месте соединени  первой и второй щелей, а затвор через вве- денньй четвертый конденсатор соединен с металлической пластиной между третьей и четвертой щел ми, причем третий и четвертый конденсаторы расположены по другую сторону относиг- тельно продольной оси первой щели. slots on one side of the longitudinal axis of the first slot, the drain of the second transistor through the inserted third capacitor is connected to a metal plate at the junction of the first and second slots, and the gate through the inserted fourth capacitor is connected to a metal plate between the third and fourth slots The third and fourth capacitors are located on the other side of the longitudinal axis of the first slot. 2. Генератор по п.1, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  линейности перестройки частоты, в него введены первый и второй варикапы, размещенные соответственно на втором и четвертом конденсаторах и включенные между собой встречно-последовательно.2. The generator according to claim 1, characterized in that, in order to increase the linearity of the frequency tuning, the first and second varicaps, placed respectively on the second and fourth capacitors and interconnected in series, are introduced into it. /  / 9иг.19g.1
SU864136832A 1986-10-20 1986-10-20 Generator SU1429280A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864136832A SU1429280A1 (en) 1986-10-20 1986-10-20 Generator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864136832A SU1429280A1 (en) 1986-10-20 1986-10-20 Generator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1429280A1 true SU1429280A1 (en) 1988-10-07

Family

ID=21263653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864136832A SU1429280A1 (en) 1986-10-20 1986-10-20 Generator

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1429280A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент FR №.2502865, кп. Н 03 В 7/06, 1982. 13 European Microwave Conf., Microwave 83, Numberg, 1983, p. 306-308, *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4734591A (en) Frequency doubler
KR100423502B1 (en) Voltage controlled oscillator using an LC resonator and a differential amplifier
US4713632A (en) Band reflection type FET dielectric resonator oscillator
JPS6248925B2 (en)
US4783638A (en) Frequency doubling oscillator working at ultra-high frequencies
US4376918A (en) Overtone crystal oscillating circuit
US4539530A (en) Transistorized microwave oscillator of oscillation frequency multiplying type
JPS62252206A (en) Frequency multiplying voltage control oscillator
SU1429280A1 (en) Generator
US4736168A (en) Dielectric resonator controlled oscillator having a raised frequency multiplying efficiency
US4122414A (en) CMOS negative resistance oscillator
SU1480086A1 (en) Microwave oscillator
US6172577B1 (en) Oscillator and oscillation apparatus using the oscillator
RU2068616C1 (en) Low-noise microwave oscillator
RU2239938C1 (en) Microwave transistor oscillator
SU1543532A1 (en) Generator
US4600898A (en) One-pin crystal oscillator
RU2727277C1 (en) Transistor microwave generator with electronic frequency tuning
SU1197039A1 (en) Self-excited crystal oscillator
SU1415404A1 (en) Generator
SU1513613A1 (en) Frequency divider
SU1312716A1 (en) Generator
SU1478293A1 (en) Amplifier
SU1425803A1 (en) Generator
SU1672548A1 (en) Quartz self-excited oscillator