RU2239938C1 - Microwave transistor oscillator - Google Patents
Microwave transistor oscillator Download PDFInfo
- Publication number
- RU2239938C1 RU2239938C1 RU2003106818/09A RU2003106818A RU2239938C1 RU 2239938 C1 RU2239938 C1 RU 2239938C1 RU 2003106818/09 A RU2003106818/09 A RU 2003106818/09A RU 2003106818 A RU2003106818 A RU 2003106818A RU 2239938 C1 RU2239938 C1 RU 2239938C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- waveguide
- transistor
- conductive
- frequency
- concentrated
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1817—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a cavity resonator
- H03B5/1823—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a cavity resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1829—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a cavity resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
Landscapes
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области генерирования электрических колебаний, в частности к транзисторным генераторам преимущественно миллиметрового диапазона длин волн, и может быть использовано в приемопередающих устройствах СВЧ, медицинских приборах КВЧ-терапии, радиолокационных датчиках.The invention relates to the field of generation of electrical oscillations, in particular to transistor generators of predominantly millimeter wavelength range, and can be used in microwave transceivers, medical EHF-therapy devices, and radar sensors.
Известны транзисторные генераторы СВЧ на GaAs полевых транзисторах, работающие как на основной частоте, так и на гармониках. При этом в одних конструкциях [1, 4, 9, 10] в качестве реактивных элементов в цепях обратной связи и согласования используются отрезки длинных волноводных линий, в том числе и волноводно-щелевых, в других [2, 3, 5, 6] - сосредоточенные L- и С-элементы.Known transistor microwave generators based on GaAs field-effect transistors operating both at the fundamental frequency and at harmonics. Moreover, in some designs [1, 4, 9, 10], segments of long waveguide lines, including slotted waveguide lines, in others [2, 3, 5, 6], are used as reactive elements in feedback and matching circuits, concentrated L- and C-elements.
Генераторы, описанные в [3, 5, 6], имеют резонансные и согласующие цепи, выполненные на сосредоточенных элементах, а выходные цепи, выполненные на микрополосковых линиях. При этом частоты их выходных колебаний не превышают 40 ГГц, поскольку использование микрополосковых линий неэффективно на таких частотах. При создании транзисторных генераторов СВЧ с частотами выходных колебаний более 40 ГГц (миллиметровый и субмиллиметровый диапазон длин волн) резко растут трудности реализации как распределенных, так и сосредоточенных элементов, тем более таких, которые допускают в процессе изготовления генератора оптимальные регулировки, в том числе установку частоты генерации, уровня регенерации в цепи обратной связи и достижения максимальной выходной мощности.The generators described in [3, 5, 6] have resonant and matching circuits made on lumped elements, and output circuits made on microstrip lines. Moreover, the frequencies of their output oscillations do not exceed 40 GHz, since the use of microstrip lines is inefficient at such frequencies. When creating microwave transistor generators with output frequencies of more than 40 GHz (millimeter and submillimeter wavelength ranges), the difficulties of realizing both distributed and concentrated elements, especially those that allow optimal adjustments during generator manufacturing, including setting the frequency generation, regeneration level in the feedback circuit and achieve maximum output power.
Известно использование дорогостоящей технологии монолитных интегральных схем для достижения более высоких частот. Так в работе [2] на основе известной схемы генератора Колпитца создан генератор на частоты 64-69 ГГц. Сосредоточенные L-элементы схемы генератора выполнены в виде планарных проводников, а С-элементами схемы являются межэлектродные емкости транзистора, что ставит в зависимость от точности технологии изготовления значение частоты генерации и уровень выходной мощности, а оба эти параметра в сильной степени зависят от температуры окружающей среды. Кроме того, для достижения высоких частот выходных колебаний требуемые межэлектродные емкости транзистора должны быть минимальными, что достигается только при сокращении ширины его затвора, что усложняет и соответственно удорожает технологию его изготовления и ограничивает максимальную мощность генератора. Стабильная работа такого генератора при изменении коэффициента стоячей волны нагрузки возможна только при наличии в его выходной цепи развязывающего элемента, создание которого является самостоятельной сложной задачей, а его использование снижает выходную мощность, то есть КПД генератора.It is known to use the expensive technology of monolithic integrated circuits to achieve higher frequencies. So in [2], based on the well-known Kolpitz oscillator circuit, a generator at a frequency of 64-69 GHz was created. The concentrated L-elements of the generator circuit are made in the form of planar conductors, and the C-elements of the circuit are the interelectrode capacitances of the transistor, which makes the generation frequency and output power level dependent on the precision of the manufacturing technology, and both of these parameters strongly depend on the ambient temperature . In addition, to achieve high frequencies of output oscillations, the required interelectrode capacitances of the transistor should be minimal, which is achieved only by reducing the width of its gate, which complicates and accordingly increases the cost of its manufacturing technology and limits the maximum generator power. Stable operation of such a generator when changing the coefficient of the standing wave of the load is possible only if there is a decoupling element in its output circuit, the creation of which is an independent complex task, and its use reduces the output power, i.e. the generator efficiency.
Указанные трудности частично преодолеваются в конструкциях транзисторных генераторов СВЧ, работающих на второй гармонике [4] или использующих двухтактную схему включения транзисторов, работающих совместно с диэлектрическим резонатором на первой гармонике [7, 8, 9].These difficulties are partially overcome in the designs of microwave transistor generators operating at the second harmonic [4] or using a push-pull switching circuit of transistors working in conjunction with the first harmonic dielectric resonator [7, 8, 9].
Конструкция генератора второй гармоники на волноводно-щелевых линиях [4] выполнена таким образом, что отрезок регулярного волновода между выходным согласующим трансформатором и нагрузкой сделан запредельным для волн с частотой f1 и прозрачным для волн с частотой 2f1. При этом волны с частотой f1 отражаются к генератору, что увеличивает коэффициент обратной связи (уровень регенерации) на частоте f1, за счет этого уровень гармоники на частоте 2f1 возрастает, а выходная цепь генератора оказывается подключенной к нагрузке на частоте 2f1. Цепь обратной связи генератора выполнена в виде микрополоскового резонатора, магнитно-связанного со щелевыми линиями цепей стока и затвора транзистора, при этом она задает частоту генерации f1. Таким образом, генератор генерирует частоту 2f1, при этом влияние изменения коэффициента стоячей волны нагрузки на значение частоты 2f1 минимально, так как связь нагрузки с частотно-задающей цепью генератора осуществляется через отрезок запредельного для волн f1 отрезка волновода. Верхняя (максимальная) частота выходных колебаний генератора [4], работающего на второй гармонике, ограничена прежде всего геометрией и реализуемостью цепи ОС и не превышает 44 ГГц.The design of the second harmonic generator on the slotted waveguide lines [4] is made in such a way that the length of the regular waveguide between the output matching transformer and the load is made prohibitive for waves with a frequency f 1 and transparent for waves with a frequency 2f 1 . In this case, waves with a frequency of f 1 are reflected to the generator, which increases the feedback coefficient (regeneration level) at a frequency of f 1 , due to this, the harmonic level at a frequency of 2f 1 increases, and the output circuit of the generator is connected to a load at a frequency of 2f 1 . The generator feedback loop is made in the form of a microstrip resonator magnetically coupled to the slotted lines of the drain and transistor gates, and it sets the generation frequency f 1 . Thus, the generator generates a frequency of 2f 1 , while the influence of a change in the coefficient of a standing wave of the load on the frequency 2f 1 is minimal, since the connection of the load with the frequency-defining circuit of the generator is carried out through a segment of a segment of the waveguide that is beyond the reach of f 1 waves. The upper (maximum) frequency of the output oscillations of a generator [4] operating at the second harmonic is limited primarily by the geometry and feasibility of the OS circuit and does not exceed 44 GHz.
Из известных транзисторных генераторов (ТГ) СВЧ наиболее близким по технической сущности является ТГ, описанный в [1], который принят за прототип. Указанный ТГ СВЧ выполнен на полевом СВЧ-транзисторе, подключенном к цепям на основе волноводно-щелевых линий. При этом исток, затвор и сток транзистора соединены соответственно с первой, второй и третьей проводящими поверхностями, расположенными на диэлектрической подложке, помещенной в волновод по середине его широких стенок. Щели между проводящими поверхностями совместно с короткозамыкателями СВЧ в цепях затвор - исток и сток - затвор образуют волноводно-щелевые резонаторы. К цепи сток - исток подключен трансформатор, выполненный на отрезках волноводно-щелевой линии и согласующий импеданс транзистора с нагрузкой, подключенной к трансформатору через отрезок регулярного волновода. При подаче через развязывающие цепи на сток и затвор транзистора соответствующих напряжений за счет положительной обратной связи в цепи сток - затвор в волноводно-щелевом резонаторе, подключенном к цепи затвор - исток, возникают автоколебания с частотой, определяемой длиной этого резонатора. При этом частота автоколебаний определяется положением короткозамыкателя щелевой линии в цепи затвор - исток, а коэффициент обратной связи в цепи сток - затвор определяется положением короткозамыкателя щелевой линии в цепи сток - затвор. Волны с частотой колебаний f1 и частотами гармоник 2f1, 3f1 и т.д. распространяются от точки присоединения стока транзистора по волноводно-щелевой линии и отрезку регулярного волновода к согласованной нагрузке.Of the known microwave transistor generators (TG), the closest in technical essence is the TG described in [1], which is adopted as a prototype. The specified microwave TG is made on a microwave field-effect transistor connected to circuits based on slotted waveguide lines. In this case, the source, gate, and drain of the transistor are connected respectively to the first, second, and third conductive surfaces located on a dielectric substrate placed in the waveguide in the middle of its wide walls. The gaps between the conductive surfaces together with the microwave short-circuit in the gate – source and drain – gate circuits form waveguide-slot resonators. A transformer is connected to the drain-source circuit, made on segments of the slot-guide wave line and matching the impedance of the transistor with the load connected to the transformer through a section of a regular waveguide. When the corresponding voltages are supplied through the decoupling circuits to the drain and gate of the transistor due to the positive feedback in the drain - gate circuit in the waveguide-slot resonator connected to the gate - source circuit, self-oscillations arise with a frequency determined by the length of this resonator. In this case, the self-oscillation frequency is determined by the position of the gap line short circuit in the gate – source circuit, and the feedback coefficient in the drain – gate circuit is determined by the position of the gap line short circuit in the drain – gate circuit. Waves with an oscillation frequency f 1 and harmonic frequencies 2f 1 , 3f 1 , etc. propagate from the point of attachment of the drain of the transistor along the slotted waveguide line and a segment of a regular waveguide to a matched load.
Недостатком прототипа является то, что верхняя (максимальная) частота выходных колебаний генератора ограничена геометрией отрезков волноводно-щелевых линий, параметрами эквивалентной схемы транзистора и его частотными свойствами и не превышает 30 ГГц. Наряду с тем, что цепи, выполненные на волноводно-щелевых линиях, конструктивно применимы вплоть до 100 ГГц и выше, генератор-прототип [1], построенный на их основе, требует применения транзистора с низкими межэлектродными емкостями, развязывающего элемента (ферритового вентиля) в выходной цепи, специальных короткозамыкателей щелевых линий, что ограничивает возможность его реализации частотами, не превышающими 30 ГГц.The disadvantage of the prototype is that the upper (maximum) frequency of the output oscillations of the generator is limited by the geometry of the segments of the waveguide-slotted lines, the parameters of the equivalent circuit of the transistor and its frequency properties and does not exceed 30 GHz. Along with the fact that circuits made on waveguide-slotted lines are structurally applicable up to 100 GHz and higher, the prototype generator [1], built on their basis, requires the use of a transistor with low interelectrode capacitances, an isolating element (ferrite gate) in output circuit, special short-circuits of slotted lines, which limits the possibility of its implementation by frequencies not exceeding 30 GHz.
В силу того, что цепь обратной связи (ОС) в генераторе-прототипе [1] принципиально отличается от цепи ОС генератора [4], вариант подключения нагрузки через волновод, запредельный на f1, и реализации его работы на частоте 2f1 для генератора [1] неприменим.Due to the fact that the feedback circuit (OS) in the prototype generator [1] is fundamentally different from the generator OS circuit [4], the option of connecting a load through a waveguide beyond the limits of f 1 and realizing its operation at a frequency of 2f 1 for the generator [ 1] not applicable.
Задачей, на решение которой направлено предлагаемое изобретение, является разработка конструкции недорогого транзисторного генератора СВЧ, обеспечивающего достаточно высокую частоту выходных колебаний в миллиметровом диапазоне свыше 40 ГГц с наибольшей эффективностью.The problem to which the invention is directed is the development of the design of an inexpensive microwave transistor generator that provides a sufficiently high frequency of output oscillations in the millimeter range above 40 GHz with the greatest efficiency.
Технический результат, обеспечиваемый данным изобретением, достигается тем, что разработанный транзисторный генератор СВЧ так же, как и генератор-прототип, содержит транзистор, например полевой транзистор, исток, затвор и сток которого соединены соответственно с первой, второй и третьей проводящими поверхностями, расположенными на диэлектрической подложке, помещенной в волновод посередине его широких стенок, при этом первая проводящая поверхность присоединена к одной широкой стенке волновода, а вторая и третья проводящие поверхности соединены посредством блокировочных микрополосковых LC-элементов с другой широкой со стенкой волновода и изолированы от стенки по постоянному току. Щели между упомянутыми тремя проводящими поверхностями и часть объема окружающего их волновода образуют волноводно-щелевые линии, отрезки которых являются резонансными и согласующими цепями, а именно в цепи затвор - исток образован волноводно-щелевой резонатор, в цепи затвор - сток на отрезках волноводно-щелевой линии выполнена резонансная цепь, а в цепи сток - исток волноводно-щелевая линия выполняет функцию трансформатора, согласующего импеданс транзистора с импедансом нагрузки, при этом первая, вторая и третья проводящие поверхности через LC-фильтры соединены с клеммами, к которым подключаются соответствующие полюса первого и второго источников напряжения.The technical result provided by this invention is achieved by the fact that the developed microwave transistor generator, like the prototype generator, contains a transistor, for example, a field effect transistor, the source, gate and drain of which are connected respectively to the first, second and third conductive surfaces located on a dielectric substrate placed in the waveguide in the middle of its wide walls, with the first conductive surface attached to one wide wall of the waveguide, and the second and third conductive surfaces connected by means of interlocking microstrip LC elements with another wide to the waveguide wall and isolated from the wall by direct current. The gaps between the three conducting surfaces and part of the volume of the waveguide surrounding them form waveguide-slit lines, the segments of which are resonant and matching chains, namely, in the gate-source circuit, a waveguide-cavity resonator is formed, and in the gate circuit, there is a drain on segments of the waveguide-slit line a resonant circuit is made, and in the drain-source circuit, the waveguide-slot line functions as a transformer matching the impedance of the transistor with the load impedance, while the first, second, and third conductive surfaces through LC filters are connected to the terminals to which the corresponding poles of the first and second voltage sources are connected.
Новым в разработанном транзисторном генераторе СВЧ является то, что в него дополнительно введены первый и второй сосредоточенные емкостные элементы, сосредоточенный индуктивный элемент, две резистивные поверхности и короткозамкнутый отрезок регулярного волновода, при этом первый и второй сосредоточенные емкостные элементы расположены на противолежащих краях упомянутых второй и третьей проводящих поверхностей на расстоянии вдоль щели порядка λ/4 от точек присоединения затвора и стока транзистора ко второй и третьей проводящим поверхностям, где λ - длина волны колебаний на выходе генератора с частотой 2f1. Первый и второй сосредоточенные емкостные элементы соединены между собой сосредоточенным индуктивным элементом с образованием последовательной CLC-цепи, а другая часть щели между второй и третьей проводящими поверхностями от места расположения упомянутой последовательной CLC-цепи до широкой стенки волновода образована краями упомянутых введенных двух резистивных поверхностей, другие края которых соединены со второй и третьей проводящими поверхностями, которые в свою очередь соединены с корпусом волновода через распределенную емкость упомянутых блокировочных микрополосковых LC-элементов на частоте f1. При этом блокировочные микрополосковые LC-элементы выполнены таким образом, что замыкают накоротко эти поверхности на стенку волновода на частоте выходных колебаний 2f1. Отрезок регулярного волновода, запредельный для волн с частотой f1, замкнутый на конце поперечной проводящей стенкой, разомкнутым концом подключен к волноводно-щелевому резонатору в цепи затвор - исток транзистора.New in the developed microwave transistor generator is that it additionally introduces the first and second lumped capacitive elements, a lumped inductive element, two resistive surfaces and a short-circuited section of a regular waveguide, while the first and second lumped capacitive elements are located on the opposite edges of the second and third conductive surfaces at a distance along the slit of the order of λ / 4 from the attachment points of the gate and drain of the transistor to the second and third conductive turns where λ is the wavelength of the oscillations at the output of the generator with a frequency of 2f 1 . The first and second concentrated capacitive elements are interconnected by a concentrated inductive element to form a sequential CLC circuit, and the other part of the gap between the second and third conductive surfaces from the location of said serial CLC circuit to the wide waveguide wall is formed by the edges of the two introduced resistive surfaces, others the edges of which are connected to the second and third conductive surfaces, which in turn are connected to the waveguide body through a distributed capacitance l the said locking microstrip LC elements at a frequency f 1 . In this case, the locking microstrip LC elements are made in such a way that they short-circuit these surfaces on the waveguide wall at a frequency of output oscillations of 2f 1 . A segment of a regular waveguide, prohibitive for waves with a frequency f 1 , closed at the end of a transverse conductive wall, with an open end, is connected to a waveguide-slot resonator in the gate-source circuit of the transistor.
Целесообразно в одном частном случае сосредоточенный индуктивный элемент выполнить в виде нескольких пространственно разнесенных проводников, концы которых следует соединить с первым и вторым сосредоточенными емкостными элементами.It is advisable in one particular case, the concentrated inductive element is made in the form of several spatially spaced conductors, the ends of which should be connected to the first and second concentrated capacitive elements.
Целесообразно в другом частном случае сосредоточенные емкостные элементы, а также сосредоточенный индуктивный элемент выполнить совместно методами стандартной тонкопленочной технологии на диэлектрической пластине с двухсторонней металлизацией, при этом на первой стороне пластины выполнить полоску сплошной металлизации в средней части и металлизацию, разделенную на секции, по краям, а на второй стороне пластины выполнить площадки металлизации по краям и участок поверхности без металлизации в средней части пластины, причем площадки металлизации второй стороны пластины присоединить к противолежащим краям второй и третьей проводящих поверхностей.It is advisable in another particular case, the concentrated capacitive elements, as well as the concentrated inductive element, can be performed together using standard thin-film technology on a dielectric plate with double-sided metallization, while on the first side of the plate to perform a strip of continuous metallization in the middle part and metallization divided into sections at the edges, and on the second side of the plate, perform metallization pads at the edges and a surface area without metallization in the middle part of the plate, and the pads metallization of the second side of the plate to attach to the opposite edges of the second and third conductive surfaces.
Целесообразно в третьем частном случае дополнительно ввести пространственно разнесенные проводники, например проволочные, концы которых присоединить к краям полоски сплошной металлизации на первой стороне диэлектрической пластины.It is advisable in the third particular case to additionally introduce spatially spaced conductors, for example wire, whose ends are connected to the edges of the solid metallization strip on the first side of the dielectric plate.
Целесообразно в четвертом частном случае щель между второй и третьей проводящими поверхностями выполнить со скачком ширины, при этом большую ширину имеет часть щели, которая образована краями непосредственно второй и третьей проводящих поверхностей, а меньшую ширину имеет другая часть щели, образованная краями резистивных поверхностей.In the fourth particular case, it is advisable to make the gap between the second and third conductive surfaces with a jump in width, with the part of the gap that is formed by the edges of the second and third conductive surfaces having a wider width, and the other part of the gap formed by the edges of the resistive surfaces has a smaller width.
Целесообразно в пятом частном случае в конструкцию генератора дополнительно ввести третий сосредоточенный емкостной элемент, первый варикап и третью клемму для подключения третьего источника напряжения, при этом третий сосредоточенный емкостной элемент соединить первым выводом со второй проводящей поверхностью, вторым выводом соединить с первым выводом первого варикапа и первым полюсом третьего источника напряжения, а второй вывод первого варикапа соединить с корпусом волновода и вторым полюсом третьего источника напряжения.It is advisable in the fifth particular case in the generator design to additionally introduce a third concentrated capacitive element, a first varicap and a third terminal for connecting a third voltage source, while the third concentrated capacitive element is connected with the first terminal to the second conductive surface, the second terminal is connected to the first terminal of the first varicap and the first the pole of the third voltage source, and connect the second output of the first varicap to the waveguide body and the second pole of the third voltage source.
Целесообразно в шестом частном случае дополнительно ввести четвертый сосредоточенный емкостной элемент, второй варикап и четвертую клемму для подключения четвертого источника напряжения, при этом четвертый сосредоточенный емкостной элемент соединить первым выводом с третьей проводящей поверхностью, вторым выводом соединить с первым выводом второго варикапа и первым полюсом четвертого источника напряжения, а второй вывод второго варикапа соединить с корпусом волновода и вторым полюсом четвертого источника напряжения.It is advisable in the sixth particular case to additionally introduce the fourth concentrated capacitive element, the second varicap and the fourth terminal for connecting the fourth voltage source, while the fourth concentrated capacitive element is connected by the first terminal to the third conductive surface, and the second terminal is connected to the first terminal of the second varicap and the first pole of the fourth source voltage, and the second output of the second varicap to connect with the body of the waveguide and the second pole of the fourth voltage source.
Целесообразно в седьмом частном случае в поперечной проводящей стенке, замыкающей отрезок регулярного волновода, выполнить щель, связывающую волноводно-щелевой резонатор, подключенный к цепи затвор - исток транзистора, с дополнительным внешним высокодобротным, например объемным, резонатором, настроенным на частоту 2f1.It is advisable in the seventh particular case in the transverse conducting wall that closes the segment of the regular waveguide to make a slot connecting the slotted waveguide resonator connected to the gate-source transistor circuit with an additional external high-quality, for example, volume resonator tuned to a frequency of 2f 1 .
В восьмом частном случае в качестве транзистора возможно использовать биполярный транзистор, при этом выводы его эмиттера, базы и коллектора следует соединить соответственно с первой, второй и третьей проводящими поверхностями.In the eighth particular case, it is possible to use a bipolar transistor as a transistor, while the terminals of its emitter, base, and collector should be connected to the first, second, and third conductive surfaces, respectively.
На фиг.1 представлена в разрезе конструкция разработанного транзисторного генератора СВЧ в соответствии с п.1 формулы изобретения.Figure 1 presents in section the design of the developed transistor microwave generator in accordance with claim 1.
На фиг.2 представлена эквивалентная схема генератора на частоте f1, выполненного на сосредоточенных элементах.Figure 2 presents the equivalent circuit of the generator at a frequency f 1 made on lumped elements.
На фиг.3 представлен в разрезе фрагмент конструкции разработанного транзисторного генератора СВЧ в соответствии с п.2 формулы изобретения.Figure 3 presents in section a fragment of the design of the developed transistor microwave generator in accordance with
На фиг.4 представлен в аксонометрической проекции интегрированный LC-элемент, выполненный на диэлектрической подложке в соответствии с п.3 формулы изобретения.Figure 4 presents in axonometric projection an integrated LC element made on a dielectric substrate in accordance with
На фиг.5 представлен вид сверху того же интегрированного LC-элемента в соответствии с п.3 формулы изобретения.Figure 5 presents a top view of the same integrated LC-element in accordance with
На фиг.6 представлен вид снизу того же интегрированного LC-элемента в соответствии с п.3 формулы изобретения.Figure 6 presents a bottom view of the same integrated LC-element in accordance with
На фиг.7 представлен вид сверху интегрированного LC-элемента, снабженного дополнительными пространственно разнесенными проводниками, например проволочными, в соответствии с п.4 формулы изобретения.7 is a top view of an integrated LC element provided with additional spatially spaced conductors, for example wire, in accordance with
На фиг.8 представлен в разрезе фрагмент конструкции разработанного транзисторного генератора СВЧ с дополнительно введенными третьим и четвертым сосредоточенными емкостными элементами, первым и вторым варикапами, третьим и четвертым источниками напряжения в соответствии с п.6 и п.7 формулы изобретения.Fig. 8 is a sectional view of a structure of the developed microwave transistor generator with additionally introduced third and fourth concentrated capacitive elements, first and second varicaps, third and fourth voltage sources in accordance with
На фиг.9 представлен в разрезе разработанный транзисторный генератор СВЧ, снабженный высокодобротным объемным резонатором в соответствии с п.8 формулы изобретения.Figure 9 presents in section a developed transistor microwave generator, equipped with a high-Q cavity resonator in accordance with
Разработанный транзисторный генератор СВЧ, представленный на фиг.1, содержит транзистор 1, например полевой, исток, затвор и сток которого соединены соответственно с первой 2, второй 3 и третьей 4 проводящими поверхностями, расположенными на диэлектрической подложке 5. Подложка 5 установлена посередине широких стенок волновода 6 и сопряженных с ним отрезков 8 и 14 регулярного волновода (симметричные половины волноводов на фиг.1 не показаны). Первая проводящая поверхность 2 присоединена к одной широкой стенке волновода 6, а вторая 3 и третья 4 проводящие поверхности соединены посредством блокировочных микрополосковых LC-элементов 12 с другой широкой стенкой волновода 6. Щели между тремя проводящими поверхностями 2, 3 и 4 и часть объема окружающего их волновода 6 образуют волноводно-щелевые линии, отрезки которых являются резонансными и согласующими цепями. Так в цепи затвор - исток образован волноводно-щелевой резонатор, в цепи затвор - сток на отрезках волноводно-щелевой линии выполнена резонансная цепь, а в цепи сток - исток волноводно-щелевая линия выполняет функцию трансформатора, согласующего импеданс транзистора 1 с импедансом нагрузки, присоединяемой к фланцу 7 отрезка 8 регулярного волновода. Вторая 3 и третья 4 проводящие поверхности снабжены резистивными поверхностями 11, расположенными симметрично вдоль щели, разделяющей поверхности 3 и 4.The developed microwave transistor generator, shown in figure 1, contains a transistor 1, for example field, source, gate and drain of which are connected respectively to the first 2, second 3 and third 4 conductive surfaces located on the
Противолежащие края резистивных поверхностей 11 (см. фиг.1) участвуют в образовании щели между проводящими поверхностями 3 и 4, а другие края каждой из резистивных поверхностей 11 соединены с соответствующей проводящей поверхностью 3 или 4. Противолежащие края проводящих поверхностей 3 и 4, а также двух резистивных поверхностей 11 образуют упомянутую резонансная цепь, к концу которой подключены выводы затвора и стока транзистора 1. На расстоянии порядка λ/4 вдоль указанной щели от точек присоединения затвора и стока транзистора 1, где λ - длина волны колебаний на выходе генератора с частотой 2f1, расположены первый и второй сосредоточенные емкостные элементы 9, соединенные между собой сосредоточенным индуктивным элементом 10 с образованием последовательной CLC-цепи. При этом первый вывод первого сосредоточенного емкостного элемента 9 соединен с проводящей поверхностью 3, а второй вывод соединен с первым выводом сосредоточенного индуктивного элемента 10, второй вывод которого соединен со вторым выводом второго сосредоточенного емкостного элемента 9, который своим первым выводом соединен с проводящей поверхностью 4.The opposite edges of the resistive surfaces 11 (see FIG. 1) are involved in the formation of a gap between the
Отрезок регулярного волновода 14, запредельный для волн с частотой f1, замкнутый на конце поперечной проводящей стенкой 15, разомкнутым концом подключен к волноводно-щелевому резонатору в цепи затвор - исток транзистора 1. К первой 2, второй 3 и третьей 4 проводящим поверхностям через LC-фильтры 16 присоединены соответствующие полюса первого и второго источников 17 напряжения. Блокировочные микрополосковые LC-элементы 12, соединяющие вторую 3 и третью 4 проводящие поверхности с корпусом волновода 6, выполнены таким образом, что для СВЧ-сигнала на частоте f1 соединяют эти проводящие поверхности 3 и 4 с корпусом волновода через свою распределенную емкость 13, а для СВЧ-сигнала на частоте выходных колебаний 2f1 элементы 12 замыкают эти поверхности 3 и 4 с корпусом волновода 6 накоротко.A segment of a regular waveguide 14, which is prohibitive for waves with a frequency f 1 , closed at the end by a transverse conducting
Сосредоточенный индуктивный элемент 10 может быть выполнен в виде нескольких пространственно разнесенных проводников, например проволочных (см. фиг.3), концы которых соединяют с первым и вторым сосредоточенными емкостными элементами 9.The focused
Сосредоточенные емкостные элементы 9, а также сосредоточенный индуктивный элемент 10 могут быть в частном случае выполнены совместно методами стандартной тонкопленочной технологии на одной диэлектрической пластине 18 (см. фиг.4, 5, 6) с двухсторонней металлизацией. При этом на первой стороне пластины 18 может быть выполнена полоска 19 сплошной металлизации в средней части и металлизация, разделенная на секции 20, по краям (см. фиг.5). На второй стороне пластины 18 (см. фиг.6) следует при этом выполнить площадки 21 металлизации по краям и участок поверхности без металлизации в средней части пластины 18, причем площадки 21 металлизации второй стороны пластины следует присоединить к противолежащим краям второй 3 и третьей 4 проводящих поверхностей, выполненных на диэлектрической подложке 5.The focused
В этом же частном случае изготовления разработанного транзисторного генератора СВЧ целесообразно дополнительно ввести пространственно разнесенные проводники 22, например проволочные (см. фиг.7). Концы пространственно разнесенных проводников 22 следует присоединить к краям полоски 19 сплошной металлизации на первой стороне диэлектрической пластины 18.In the same particular case of manufacturing the developed microwave transistor generator, it is advisable to additionally introduce spatially spaced
В четвертом частном случае изготовления генератора возможно щель между второй 3 и третьей 4 проводящими поверхностями выполнить со скачком ширины, при этом большую ширину имеет часть щели, которая образована краями непосредственно второй 3 и третьей 4 проводящих поверхностей, а меньшую ширину имеет другая часть щели, образованная краями резистивных поверхностей 11 (см. фиг.9).In the fourth particular case of the manufacture of the generator, it is possible to make a gap between the second 3 and third 4 conductive surfaces with a jump in width, while the part of the gap that is formed by the edges directly of the second 3 and third 4 conductive surfaces has a greater width, and the other part of the gap formed by the smaller width the edges of the resistive surfaces 11 (see Fig.9).
В пятом частном случае изготовления генератора возможно в его конструкцию дополнительно ввести третий сосредоточенный емкостной элемент 23, первый варикап 24 и третью клемму 25 для подключения третьего источника напряжения (не показан), при этом третий сосредоточенный емкостной элемент 23 необходимо соединить первым выводом со второй проводящей поверхностью 3, вторым выводом соединить с первым выводом первого варикапа 24 и первым полюсом третьего источника напряжения, а второй вывод первого варикапа 24 соединить с корпусом волновода 6 и вторым полюсом третьего источника напряжения (см. фиг.8).In the fifth particular case of manufacturing the generator, it is possible to additionally introduce a third
В шестом частном случае изготовления генератора возможно в его конструкцию дополнительно ввести четвертый сосредоточенный емкостной элемент 26, второй варикап 27 и четвертую клемму 28 для подключения четвертого источника напряжения (не показан), при этом четвертый сосредоточенный емкостной элемент 26 соединить первым выводом с третьей проводящей поверхностью 4, вторым выводом соединить с первым выводом второго варикапа 27 и первым полюсом четвертого источника напряжения, а второй вывод второго варикапа соединить с корпусом волновода 6 и вторым полюсом четвертого источника напряжения (см. фиг.8).In the sixth particular case of manufacturing the generator, it is possible to additionally introduce a fourth
Целесообразно в седьмом частном случае в поперечной проводящей стенке 15, замыкающей отрезок 14 регулярного волновода, выполнить щель 29, связывающую волноводно-щелевой резонатор, подключенный к цепи затвор - исток транзистора 1, с дополнительным внешним высокодобротным объемным резонатором 30, настроенным на частоту 2f1 (см. фиг.9).It is advisable in the seventh particular case in the transverse
В восьмом частном случае изготовления генератора возможно в качестве транзистора 1 использовать биполярный транзистор, при этом выводы его эмиттера, базы и коллектора следует соединить соответственно с первой 2, второй 3 и третьей 4 проводящими поверхностями.In the eighth particular case of manufacturing the generator, it is possible to use a bipolar transistor as transistor 1, while the conclusions of its emitter, base, and collector should be connected to the first 2, second 3, and third 4 conductive surfaces, respectively.
В реально изготовленном варианте разработанного транзисторного генератора СВЧ в качестве транзистора 1 использован полевой транзистор Filtronic FPDA 200 V. На диэлектрической подложке 5 из лейкосапфира с размерами 2×3,8×0,2 мм сформированы стандартными методами тонкопленочной технологии первая 2, вторая 3 и третья 4 проводящие поверхности и две резистивные поверхности 11. Подложка 5 размещена в канале волновода 6 сечением 2,6×1,3 мм посередине его широких стенок (см. фиг.1). Короткозамкнутые отрезки 8 и 14 регулярного волновода имеют сечение 5,2×2,6 мм. Два сосредоточенных емкостных элемента 9 и индуктивный элемент 10 выполнены совместно в соответствии с п.3 и п.4 формулы изобретения (см. фиг.4, 5, 6, 7) с двумя дополнительными пространственно разнесенными проводниками 22 методами обычной тонкопленочной технологии. Диэлектрическая пластина 18 (см. фиг.4, 5, 6) имеет размеры 0,3×0,9×0,15 мм. Емкости сосредоточенных элементов 9 составляют 0,3 пФ, распределенные емкости 13 (фиг.2) блокировочных элементов 12 составляют 0,8 пФ. При этом получены следующие параметры генератора:In the actually manufactured version of the developed microwave transistor generator, the Filtronic FPDA 200 V transistor 1 was used. On a
Частота 2f1 на выходе генератора 53,37 ГГцFrequency 2f 1 at the output of the generator 53.37 GHz
Мощность на выходе сигнала 10,2 мВтPower output 10.2 mW
Напряжение питания сток - исток транзистора 4,7 ВSupply voltage drain - source of transistor 4.7 V
Ток стока транзистора 27 мАTransistor drain current 27 mA
Коэффициент полезного действия 8%Coefficient of
Разработанный транзисторный генератор СВЧ, представленный на фиг.1, работает следующим образом. При подаче от двух внешних источников питания (не показаны) через клеммы 17 и фильтры 16 на электроды транзистора 1 соответствующих напряжений в цепях стока и затвора возникают автоколебания электромагнитного поля. Генератор на частоте колебаний f1 построен по известной схеме генератора Колпитца [2], в котором транзистор 1 включен по схеме с общим истоком (см. фиг.2). Частота f1 генерируемых колебаний и уровень регенерации в цепи положительной обратной связи определяются сочетанием величин сосредоточенных LC-элементов 9, 10 и величинами распределенных емкостей 13, кроме того, в LC-цепь элементов 9 и 10 включена реактивность щели между второй 3 и третьей 4 проводящими поверхностями. Так как на частоте f1 блокировочные элементы 12 не замыкают на широкую стенку волновода 6 проводящие поверхности 3 и 4, то волноводно-щелевые линии вдоль оси волновода 6 колебаниями с частотой f1 в цепи стока не возбуждаются и волны с частотой колебаний f1 по ним не распространяются.The developed microwave transistor generator, shown in figure 1, operates as follows. When applied from two external power sources (not shown) through
Таким образом, энергия колебаний с частотой f1 локализована в сосредоточенных элементах 9 и 10 и в распределенных емкостях 13 блокировочных элементов 12. В то же время генерируемые на нелинейностях транзистора 1 высшие гармоники колебаний частоты f1 могут возбуждать упомянутые волноводно-щелевые линии. В частности, при условии того, что на частоте 2f1 блокировочные элементы 12 замыкают проводящие поверхности 3 и 4 на широкую стенку волновода 6 накоротко и поскольку волновод 6 в сочетании с подложкой 5 не является запредельным для волн с частотой колебаний 2f1, то вдоль оси волновода 6 от точки подключения стока транзистора 1 к проводящей поверхности 4 волна с частотой колебаний 2f1 будет распространяться в обе стороны по волноводно-щелевой линии. В одну сторону от точки подключения стока по волноводно-щелевому трансформатору (см. фиг.1) к отрезку 8 регулярного волновода до нагрузки, подключенной к фланцу 7.Thus, the oscillation energy with a frequency f 1 is localized in the lumped
В другую сторону от точки подключения стока волна с частотой колебаний 2f1 будет распространяться к точке подключения затвора транзистора 1 к проводящей поверхности 3. При этом реактивность щелевой линии, подключенной к выводам затвора и стока, обусловленная скачком проводимости резистивных поверхностей 11, образует между стоком и затвором цепь положительной обратной связи на частоте 2f1.To the other side of the drain connection point, a wave with an oscillation frequency of 2f 1 will propagate to the connection point of the gate of the transistor 1 to the
При настройке волноводно-щелевого резонатора в цепи затвор - исток в резонанс с колебаниями частоты 2f1 путем перемещения поперечной проводящей стенки 15 вдоль отрезка 14 регулярного волновода возникает и поддерживается режим регенеративного усиления транзистором 1 генерируемых им же колебаний гармоники с частотой 2f1. При этом значение частоты 2f1 может быть близким к предельной частоте fт генерации транзистора 1. Вместе с тем на нелинейностях р-n перехода затвор - исток происходит преобразование колебаний волноводно-щелевого резонатора с частотой 2f1 и колебаний генератора на сосредоточенных элементах с частотой f1 по закону 2f1-f1=f1 таким образом, что колебания в указанном резонаторе с частотой 2f1 и колебания в указанном генераторе с частотой f1 синхронизируются. Это обеспечивает стабильность режима регенеративного усиления транзистором 1 колебаний с частотой 2f1.When tuning the waveguide-slot resonator in the gate-source circuit to resonance with frequency fluctuations 2f 1 by moving the transverse
Следует отметить, что рассогласование полного сопротивления нагрузки, подключенной к фланцу 7 на частоте 2f1, мало смещает частоту f1 (а следовательно, и 2f1), так как реактивность нагрузки не связана с эквивалентной схемой генератора на сосредоточенных элементах на частоте f1. При этом смещение частоты 2f1 происходит лишь за счет изменения нелинейных параметров транзистора 1 (естественно входящих в эквивалентную схему генератора f1), наступающего при изменении на его электродах уровня мощности колебаний с частотой 2f1, обусловленного изменением условий согласования выходной цепи генератора с нагрузкой. Паразитные полосы регенеративного усиления транзистора 1 исключаются введением в цепь обратной связи сток - затвор транзистора 1 цепи селективного поглощения, выполненной на щели, образованной краями двух резистивных поверхностей 11. К резистивным поверхностям 11 подведено напряжение от клемм 17 двух внешних источников постоянного напряжения (не показаны). Образованные при этом резистивные R-элементы, соединенные с LC-элементами фильтров 16 цепей питания, исключают возникновение в генераторе на сосредоточенных элементах паразитных колебаний на низких частотах. Таким образом, в разработанном транзисторном генераторе СВЧ в отличие от прототипа, во-первых, частота колебаний на выходе генератора может быть близка к предельной частоте fт генерации транзистора при высокой эффективности (выходной мощности) за счет регенеративного усиления транзистором колебаний с частотой 2f1, во-вторых, элементы 9 и 10 установки частоты имеют приемлемую для обычной тонкопленочной технологии геометрию и, в-третьих, достигнуто уменьшение смещения частоты выходных колебаний 2f1 от уровня рассогласования нагрузки. Следовательно, разработанная конструкция транзисторного генератора СВЧ позволяет решить поставленную задачу.It should be noted that the mismatch in the load impedance connected to the flange 7 at a frequency of 2f 1 slightly shifts the frequency f 1 (and therefore, 2f 1 ), since the load reactivity is not related to the equivalent circuit of the generator on lumped elements at a frequency f 1 . In this case, the frequency shift 2f 1 occurs only due to a change in the nonlinear parameters of transistor 1 (naturally included in the equivalent circuit of the generator f 1 ), which occurs when the oscillation power level changes at its electrodes with a frequency of 2f 1 , due to a change in the conditions for matching the generator output circuit with the load. The stray bands of the regenerative amplification of transistor 1 are eliminated by introducing into the feedback loop of the drain - gate of transistor 1 a selective absorption circuit formed on a slit formed by the edges of two
В частных случаях реализации разработанного транзисторного генератора СВЧ в соответствии с зависимыми пунктами 2-9 формулы изобретения принцип работы разработанного генератора не меняется, но к указанному выше основному техническому результату добавляются частные технические результаты.In special cases of the implementation of the developed microwave transistor generator in accordance with dependent paragraphs 2-9 of the claims, the principle of operation of the developed generator does not change, but private technical results are added to the above main technical result.
Так для обеспечения возможности точной установки частоты f1 генератора целесообразно выполнить сосредоточенный индуктивный элемент 10 (см. фиг.3) в виде нескольких пространственно разнесенных проводников в соответствии с п.2 формулы изобретения. При этом установка частоты f1 осуществляется за счет изменения индуктивности элемента 10 и производится путем изменения числа пространственно разнесенных проводников и их взаимного расположения.So to enable accurate setting of the frequency f 1 of the generator, it is advisable to perform a concentrated inductive element 10 (see figure 3) in the form of several spatially spaced conductors in accordance with
Для достижения предельно высоких значений частоты колебаний f1 и частоты выходных колебаний 2f1 в разработанном генераторе два сосредоточенных элемента 9 и сосредоточенный индуктивный элемент 10 целесообразно выполнить совместно методами обычной тонкопленочной технологии на диэлектрической пластине 18, имеющей двухстороннюю металлизацию в соответствии с п.3 формулы изобретения (см. фиг.4, 5, 6). При этом первая сторона пластины 18 имеет полоску 19 сплошной металлизации в средней части и металлизацию, разделенную щелями на секции 20 по краям (фиг.4, 5). Вторая сторона пластины 18 имеет площадки 21 металлизации по краям и участок без металлизации в средней части (фиг.6). Пластинка 18 устанавливается вместо элементов 9 и 10 на фиг.1 таким образом, что к проводящим поверхностям 3 и 4 присоединяются площадки 21 металлизации второй стороны пластины 18. Установка частоты колебаний f1 генератора производится соединением секций 20 с полоской 19 сплошной металлизации (см. фиг.5, 6). При этом сосредоточенная индуктивность увеличивается, растет и емкость между краями полоски 19 металлизации на первой стороне пластины 18 и площадками 21 металлизации на второй стороне пластины 18.To achieve extremely high values of the oscillation frequency f 1 and the frequency of the output oscillations 2f 1 in the developed generator, two
В результате частота колебаний f1 генератора уменьшается. С целью увеличения частоты колебаний f1 генератора следует уменьшить индуктивность полоски 19 сплошной металлизации на первой стороне пластины 18, для чего вводятся пространственно разнесенные проводники 22, например проволочные (см. фиг.7), присоединенные к краям полоски 19 металлизации в соответствии с п.4 формулы изобретения.As a result, the oscillation frequency f 1 of the generator decreases. In order to increase the oscillation frequency f 1 of the generator, the inductance of the
Результирующая индуктивность, а следовательно, и частота колебаний f1 определяется числом и взаимным расположением проволочных проводников 22.The resulting inductance, and therefore the oscillation frequency f 1 is determined by the number and relative position of the
Для обеспечения большей величины коэффициента положительной обратной связи в цепи сток - затвор транзистора 1 (что обеспечивает рост мощности колебаний частоты 2f1 на выходе генератора) к скачку проводимости поверхностей 3, 4 и резистивных поверхностей 11, образующих своими краями упомянутую щелевую линию, соединенную с затвором и стоком транзистора 1, добавляется скачок ширины (скачок волнового сопротивления) упомянутой щели. При этом скачок проводимости поверхностей 3, 4 и 11 и скачок ширины щели пространственно совмещены (см. фиг.9), причем большую ширину имеет щель между проводящими поверхностями 3 и 4, а меньшую ширину - между резистивными поверхностями 11.To ensure a larger positive feedback coefficient in the drain-gate circuit of transistor 1 (which ensures an increase in the power of oscillations of frequency 2f 1 at the output of the generator) to a jump in the conductivity of
Введение сосредоточенного емкостного элемента 23 и варикапа 24 в схему генератора на сосредоточенных элементах в соответствии с п.6 формулы изобретения (см. фиг.8) позволяет при изменении напряжения подключенного к ним через клеммы 25 третьего внешнего дополнительного источника осуществлять электронную перестройку частоты f1, а следовательно, и частоты выходных колебаний 2f1. При этом результирующая емкость варикапа 24 и сосредоточенного емкостного элемента 23 подключается параллельно распределенной емкости 13, включенной между затвором и истоком транзистора 1 (см. фиг.2).The introduction of a
При введении в конструкцию генератора сосредоточенного емкостного элемента 26 и варикапа 27 в соответствии с п.7 формулы изобретения (см. фиг.8) возможно расширить диапазон электронной перестройки частоты выходных колебаний 2f1 генератора путем изменения напряжения подключенного через клеммы 28 четвертого внешнего источника. Одновременно с этим обеспечивается необходимое для сохранения постоянной выходной мощности изменение коэффициента положительной обратной связи генератора частоты f1 на сосредоточенных элементах. В этом случае результирующая емкость сосредоточенного емкостного элемента 26 и варикапа 27 подключается параллельно распределенной емкости 13, включенной между стоком и истоком транзистора 1.With the introduction of a
С целью стабилизации частоты выходных колебаний 2f1 разработанного генератора и снижения уровня его амплитудных и фазовых шумов в поперечной проводящей стенке 15, замыкающей отрезок 14 регулярного волновода, подключенного к волноводно-щелевому резонатору в цепи затвор - исток, выполняется щель 29, связывающая указанный волноводно-щелевой резонатор с дополнительным высокодобротным, например, объемным резонатором 30, настроенным на частоту 2f1 (см. фиг.9). При этом в рассмотренных выше процессах регенеративного усиления и синхронизации, колебания с частотой 2f1 цепи затвор - исток формируются высокодобротным объемным резонатором 30, что и обеспечивает достижение технического результата в восьмом частном случае изготовления генератора.In order to stabilize the frequency of the output oscillations 2f 1 of the developed generator and reduce the level of its amplitude and phase noise in the transverse
При необходимости создания транзисторного генератора СВЧ с предельно низким уровнем амплитудных и фазовых шумов при невысоких требованиях к максимальной частоте выходных колебаний 2f1 в разработанной конструкции транзисторного генератора целесообразно в качестве транзистора 1 использовать биполярный транзистор в соответствии с п.9 формулы изобретения, поскольку вносимые им шумы ниже, чем у полевых транзисторов.If it is necessary to create a microwave transistor generator with an extremely low level of amplitude and phase noise with low requirements for the maximum frequency of output oscillations 2f 1 in the developed transistor generator design, it is advisable to use a bipolar transistor 1 in accordance with
Источники информацииSources of information
1. H. Meinel "A30GHz FET oscillator using fin line circuitry", in 11th European Microwave Conf. Dig. (Amsterdam), Sept. 1981, pp. 297-300.1. H. Meinel "A30GHz FET oscillator using fin line circuitry", in 11 th European Microwave Conf. Dig. (Amsterdam), Sept. 1981, pp. 297-300.
2. D.W. Maki, J.M. Schellenberg, H. Yamasaki and L.C.T. Liu "A69GHz monolithic FET oscillator" IEEE microwave and millimeter-wave monolithic symposium, 29 - 30 May, 1984, pp. 62-66.2. D.W. Maki, J.M. Schellenberg, H. Yamasaki and L.C.T. Liu "A69GHz monolithic FET oscillator" IEEE microwave and millimeter-wave monolithic symposium, 29 - 30 May, 1984, pp. 62-66.
3. Ashok К. Talwar "Ka-Band FET Oscillator". IEEE Transactions on microwave theory and techniques, vol. MTT-33, No.8, August 1985, pp. 731-734.3. Ashok K. Talwar "Ka-Band FET Oscillator". IEEE Transactions on microwave theory and techniques, vol. MTT-33, No.8, August 1985, pp. 731-734.
4. A. Jacob and C. Ansorge "Stabilized fin-line FET oscillators" in 13th European Microwave Conf. Dig. (Nuernberg) Sept. 1983, pp.303-307.4. A. Jacob and C. Ansorge "Stabilized fin-line FET oscillators" in 13 th European Microwave Conf. Dig. (Nuernberg) Sept. 1983, pp. 303-307.
5. H.Q. Tserhg, B. Kim "Q-band Ga As MES FET oscillator with 30% efficiency". Electronics Letters IEE 21 January, 1988, Vol.24, № 2, pp.83, 84.5. H.Q. Tserhg, B. Kim "Q-band Ga As MES FET oscillator with 30% efficiency".
6. H.Q. Tserhg, B. Kim "Q-band Ga As FET oscillator". Electronics Letters 29 March 1984, Vol.20, № 7, pp. 297-298.6. H.Q. Tserhg, B. Kim "Q-band Ga As FET oscillator". Electronics Letters 29 March 1984, Vol.20, No. 7, pp. 297-298.
7. Franz X. Sinnesbichler, Bemhard Hautz and Gerhard R. Olbrich. "A Si/SiGe Oscillator at 58GHz" IEEE Microwave and guarded wave letters. Vol.10, № 4, April 2000.7. Franz X. Sinnesbichler, Bemhard Hautz and Gerhard R. Olbrich. "A Si / SiGe Oscillator at 58GHz" IEEE Microwave and guarded wave letters. Vol. 10, No. 4, April 2000.
8. European Patent заявка 0250301, опубл. 23.12.87.8. European Patent Application 0250301, publ. 12/23/87.
9. SU 1376214, М.кл. Н 03 В 5/18, опубл. 23.02.88. С.Ф. Каштанов, Л.Ф. Ольшанский, Г.Н. Шеламов. Генератор.9. SU 1376214, M.C. H 03
10. JP заявка №61-19126, приор. 20.08.79, опубл. 15.05.86. Транзисторный генератор.10. JP application No. 61-19126, prior. 08/20/79, publ. 05/15/86. Transistor generator.
Claims (8)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2003106818/09A RU2239938C1 (en) | 2003-03-13 | 2003-03-13 | Microwave transistor oscillator |
PCT/RU2004/000090 WO2004082128A1 (en) | 2003-03-13 | 2004-03-11 | Transistor uhf generator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2003106818/09A RU2239938C1 (en) | 2003-03-13 | 2003-03-13 | Microwave transistor oscillator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2239938C1 true RU2239938C1 (en) | 2004-11-10 |
RU2003106818A RU2003106818A (en) | 2004-12-10 |
Family
ID=32986100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2003106818/09A RU2239938C1 (en) | 2003-03-13 | 2003-03-13 | Microwave transistor oscillator |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2239938C1 (en) |
WO (1) | WO2004082128A1 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2614570C1 (en) * | 2016-01-19 | 2017-03-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" | Transistor generator |
CN106653525A (en) * | 2017-01-16 | 2017-05-10 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | Millimeter waveband transition time oscillator based on high order mode working mechanism |
RU2727277C1 (en) * | 2020-02-25 | 2020-07-21 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Салют" | Transistor microwave generator with electronic frequency tuning |
RU2776421C1 (en) * | 2022-01-28 | 2022-07-19 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Салют" | Stabilized transistor uhf generator |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4425549A (en) * | 1981-07-27 | 1984-01-10 | Sperry Corporation | Fin line circuit for detecting R.F. wave signals |
US4521747A (en) * | 1983-10-11 | 1985-06-04 | Trw Inc. | Suspended stripline varactor-tuned Gunn oscillator |
SU1376214A1 (en) * | 1986-09-29 | 1988-02-23 | Предприятие П/Я В-8117 | Generator |
RU2183045C1 (en) * | 2001-01-09 | 2002-05-27 | Перфильев Виктор Иванович | Oscillator |
-
2003
- 2003-03-13 RU RU2003106818/09A patent/RU2239938C1/en not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-03-11 WO PCT/RU2004/000090 patent/WO2004082128A1/en active Application Filing
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
11 EUROPEAN MICROWAVE CONF. DIG., Amsterdam, Sept, 1981, pp.297-300. * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2614570C1 (en) * | 2016-01-19 | 2017-03-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" | Transistor generator |
CN106653525A (en) * | 2017-01-16 | 2017-05-10 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | Millimeter waveband transition time oscillator based on high order mode working mechanism |
CN106653525B (en) * | 2017-01-16 | 2018-01-30 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | Millimere-wave band transit-time oscillator based on higher modes working mechanism |
RU2727277C1 (en) * | 2020-02-25 | 2020-07-21 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Салют" | Transistor microwave generator with electronic frequency tuning |
RU2776421C1 (en) * | 2022-01-28 | 2022-07-19 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Салют" | Stabilized transistor uhf generator |
RU2787847C1 (en) * | 2022-04-29 | 2023-01-13 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Салют" | Monolithic transistor microwave generator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004082128A1 (en) | 2004-09-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3868594A (en) | Stripline solid state microwave oscillator with half wavelength capacitive resonator | |
US4713632A (en) | Band reflection type FET dielectric resonator oscillator | |
US6798305B2 (en) | High frequency oscillator using transmission line resonator | |
CA1225126A (en) | Microstrip - slotline frequency halver | |
KR100322658B1 (en) | Dielectric Resonant Apparatus | |
US4484156A (en) | Transistor microwave oscillators | |
JP3196750B2 (en) | High frequency oscillator | |
JPS62252206A (en) | Frequency multiplying voltage control oscillator | |
KR100759940B1 (en) | A ring-type resonant cell and an microwave oscillator utilizing the ring-type resonant cell and efficiency enhancement method of it | |
RU2239938C1 (en) | Microwave transistor oscillator | |
JP2003204223A (en) | Two-terminal coupling high frequency oscillator | |
RU2357355C1 (en) | Microwave oscillator | |
US4890074A (en) | Quartz microstrip gunn oscillator | |
CA2260453C (en) | High-frequency module | |
Xiao et al. | A 20 GHz push-push oscillator using ring resonator | |
RU2727277C1 (en) | Transistor microwave generator with electronic frequency tuning | |
US6344779B1 (en) | Oscillator and radio equipment | |
JP2002000018U (en) | Oscillator stabilized by a conducting planar resonator | |
US6172577B1 (en) | Oscillator and oscillation apparatus using the oscillator | |
US20050184817A1 (en) | Planar high frequency oscillator | |
US6380814B1 (en) | Voltage-controlled oscillator having a variable capacitive element with an electrode coupled to a resonator | |
RU2003106818A (en) | Microwave Transistor Generator | |
Hoefer | Oscillators and amplifiers in integrated E-plane technique | |
RU2068616C1 (en) | Low-noise microwave oscillator | |
US7049897B2 (en) | High frequency band oscillator |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20070314 |